據報道，三星已攻克其 SOCAMM2 設計中的一項關鍵技術難題。據 ETNews 援引消息人士透露，該公司已解決翹曲（warpage）問題 —— 這是下一代 AI 服務器內存模組 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量產前的主要障礙。報道稱，三星通過應用自研下一代低溫焊料（LTS）技術解決了該問題。

報道指出，翹曲是指元器件在制造過程中因受熱而產生的輕微彎曲，主要由不同材料之間熱膨脹系數（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 結構尤為敏感，因為它將 LPDDR5X 芯片組裝成模組并通過螺栓壓緊固定，大幅增加了連接失效的風險。

為解決這一問題，三星將焊接工藝溫度從 260℃ 以上降至 150℃ 以下。通過大幅降低峰值溫度，有效減小了熱膨脹系數不匹配帶來的影響。

SOCAMM2 是一款重要的低功耗內存模組，將與 HBM 配合用于英偉達下一代 AI 平臺 Vera Rubin。報道補充稱，三星通過在 SOCAMM2 上應用低溫焊料（LTS），在研發(fā)與量產進度上被認為獲得了相對于競爭對手的優(yōu)勢。

除溫控外，三星還推出多項設計改良：將芯片配置從雙塔結構改為單塔結構以提升機械剛性；優(yōu)化環(huán)氧塑封料（EMC）的厚度與熱膨脹特性；并采用高精度仿真模型提升翹曲預測精度。 

三星、SK 海力士、美光 SOCAMM2 競爭白熱化

AI 半導體市場的競爭正迅速蔓延至 SOCAMM2 領域。《中央日報》稱，三星電子正鞏固其業(yè)內首家量產 192GB SOCAMM2 的地位。報道援引分析師估算，三星對英偉達的供應量有望達到約 100 億 GB，占總需求的 50% 左右。憑借 10nm 級第五代（1b）工藝實現的良率與性能穩(wěn)定，三星預計將在供應份額上領跑。

據 TheElec 消息，SK 海力士正加速在今年轉向第六代（1c）DRAM，此舉有望支撐其包括 SOCAMM2 在內的 AI 內存產品陣容擴張。與此同時，《中央日報》報道，美光已于 3 月初送出全球首款 256GB SOCAMM2 客戶樣片，容量較三星、SK 海力士的 192GB 旗艦產品提升約 33%。