SK 海力士會長崔泰源表示，當前全球內(nèi)存芯片供應緊張的局面或再持續(xù) 4 至 5 年，這也意味著，這場已推高全電子行業(yè)存儲芯片價格、加劇供貨緊張的供應危機將進一步延續(xù)。

3 月 16 日，崔泰源在加州舉辦的英偉達 GPU 技術大會（GTC）上發(fā)表講話時指出，當下的核心問題并非單純的人工智能需求爆發(fā)，而是為加速器和人工智能服務器打造高帶寬內(nèi)存（HBM） 所需的晶圓用量激增。這一現(xiàn)狀的關鍵影響在于，高帶寬內(nèi)存已成為半導體行業(yè)利潤最高的產(chǎn)品品類之一，行業(yè)產(chǎn)能正持續(xù)向該領域傾斜，而市場其他存儲芯片品類只能爭奪剩余產(chǎn)能。

內(nèi)存短缺已成結(jié)構性問題

此番表態(tài)的重要意義在于，行業(yè)對內(nèi)存短缺的認知已從短期周期波動轉(zhuǎn)向長期結(jié)構性短缺。SK 海力士已著手擴大產(chǎn)能，包括加快韓國本土新晶圓廠的建設進度，但半導體行業(yè)的新產(chǎn)能并非一朝一夕就能落地。即便企業(yè)加大資本投入，新產(chǎn)線的搭建、設備調(diào)試與產(chǎn)品認證仍需要數(shù)年時間。

這一長期化的判斷與市場各方的信號一致。三星同樣將當前市場環(huán)境定義為人工智能驅(qū)動的超級周期，并正推動簽訂長期供貨協(xié)議；而下游設備制造商則發(fā)出預警，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）與閃存（NAND）價格的持續(xù)上漲，已開始侵蝕企業(yè)利潤、打亂產(chǎn)品規(guī)劃?！稓W洲電子工程新聞》此前曾報道過本輪存儲芯片價格暴漲的現(xiàn)象，其核心原因正是人工智能基礎設施建設占用了原本面向個人電腦、手機及主流存儲市場的產(chǎn)能。

內(nèi)存短缺對采購方的實際影響

對于設備制造商和原始設備制造商（OEM）而言，內(nèi)存短缺帶來的實際影響不僅是采購成本攀升，還包括供貨配額的不確定性。這一影響的范圍遠不止數(shù)據(jù)中心領域，還將嚴重擾亂各行業(yè)的產(chǎn)品路線規(guī)劃。筆記本電腦廠商、智能手機制造商及嵌入式系統(tǒng)設計企業(yè)，都可能面臨存儲子系統(tǒng)采購成本上漲的問題，甚至需要根據(jù)芯片供貨情況重新設計產(chǎn)品，或通過簽訂長期供貨協(xié)議來降低對現(xiàn)貨市場價格波動的風險敞口。

頗具諷刺意味的是，人工智能需求為存儲芯片廠商帶來了豐厚的財務收益，卻讓其眾多客戶的經(jīng)營陷入困境。路透社在報道崔泰源此番言論時，重點提及了晶圓產(chǎn)能受限與新產(chǎn)能建設周期漫長的行業(yè)現(xiàn)狀 —— 這也是問題的核心：即便未來人工智能的需求增長放緩，半導體行業(yè)仍需要時間來實現(xiàn)產(chǎn)能再平衡。在此之前，內(nèi)存短缺不再是市場的短期波動，而將成為行業(yè)的常態(tài)化運營背景。

2026 年及未來數(shù)年，內(nèi)存芯片的采購工作仍將是企業(yè)需要重點關注的核心事項。