4月2日，據外資投行摩根士丹利針對美光科技（Micron）的跟蹤報告顯示，美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投資人會議中透露，盡管美光正在加速擴產DRAM，但新產能最快要到2027年底才能出貨。因此，DRAM供不應求的局面將持續至2027年。此外，部分關鍵半導體設備的產能不足也是導致這一現象的重要原因。 

目前，人工智能芯片對高帶寬內存（HBM）的強勁需求，成為DRAM市場供不應求的核心瓶頸。美光計劃在2025年第三季度將其HBM市場份額提升至與整體DRAM市場份額持平的水平。同時，美光看好未來HBM4E與HBM5技術導入定制化邏輯芯片后，將進一步提升HBM的價格、成本與利潤率。從HBM3E過渡到HBM4/5時，對DRAM產能的消耗比例可能高達4:1，而目前HBM制造的良率僅在50%-60%左右，這將進一步加劇DRAM市場的供需失衡。 

為應對這一結構性變化，美光已啟動“戰略性客戶協議”（SCA），并與客戶簽署了一份為期五年的長期合約，以確保資本支出的合理回報率（ROIC）。這一舉措表明，美光的運營模式正逐步擺脫傳統周期性波動，展現出更強的持久性。 

在財務表現方面，美光最新季度的毛利率指引高達81%，管理層還設定了遠期目標，計劃將毛利率維持在80%區間中段。盡管近期市場對DRAM現貨價格下跌及部分過量出貨傳聞表示擔憂，但美光認為這些因素影響有限，并預計到2027年每股盈余（EPS）將至少達到100美元。 

在擴產計劃上，美光大幅上調資本支出預算，預計2026財年資本支出將達250億美元，2027財年更可能突破370億美元。美光計劃讓所有產線具備EUV設備能力，以支持HBM及先進制程DRAM的制造。然而，美光預計首批新建晶圓廠的產能最快要到2027年底才能出貨，預計到2028年才會對市場供給產生實質性影響，屆時DRAM市場可能實現供需平衡。在此過程中，極紫外光刻（EUV）設備的供應尤為關鍵，但目前EUV設備的產能有限且交付周期較長。 

針對地緣政治風險，美光強調其產能布局分散，并作為美國供應商，相較于日韓競爭者具有顯著的戰略優勢。