據《商業時報》援引業內消息,臺積電的CoWoS封裝技術已成為全球AI供應鏈中供需最為緊張的核心資源之一。目前,單片CoWoS晶圓的平均售價約一萬美元,與7納米先進制程工藝的價格相當,標志著封裝環節正式進入高附加值競爭領域。行業分析顯示,CoWoS業務憑借高產品均價和相對輕量化的資本開支結構,有望實現與先進制程相當的毛利率表現,商業盈利價值顯著。盡管臺積電先進封裝業務的毛利率暫時低于集團整體平均水平,但隨著產能擴張和規模效應顯現,這一業務將成為企業未來核心盈利增長點。機構預測,到2026年,臺積電CoWoS
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臺積電 CoWoS 晶圓 7nm
意法半導體(STMicroelectronics)已開始批量交付完全在中國制造的通用微控制器,將 2024 年首次公布的計劃正式落地量產。首批中國制造的 STM32 MCU 出自STM32H7 系列,意法表示,更多 H7 型號以及 STM32H5、STM32C5 系列計劃在 2026 年底前實現本地量產。中國制造 STM32 MCU 正式投產根據其 3 月 23 日公告,首批晶圓已交付給中國客戶。意法稱,晶圓前道制造由華虹采用公司 40nm 嵌入式非易失性存儲器工藝完成,封測則由意法深圳廠區及本地封測合作
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意法半導體 嵌入式 晶圓 STM32 MCU
Coherent計劃在OFC 2026上重點介紹其最新的磷化銦(InP)技術發展,將該平臺定位為下一代光網絡的關鍵推動力。公司將推出一系列廣泛的組件和子系統,旨在滿足AI驅動數據中心基礎設施日益增長的需求。隨著數據流量激增和能源效率日益重要,此次公告凸顯了InP如何持續支撐高速光連接。這些進展揭示了光子學供應商如何通過性能和制造規模來支持AI工作負載和未來網絡架構。擴展InP產品組合,目標是高速網絡Coherent展示的核心是一個涵蓋激光、調制器、光電二極管及集成子系統的廣泛InP產品組合。公司將推出一款
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Coherent 網絡 晶圓 InP 相干光學
隨著傳統銅基電傳輸達到物理極限,半導體行業越來越多地轉向光學傳輸技術,UMC也加入了這一趨勢。HyperLight與UMC以及晶圓廠全資子公司Wavetek宣布建立戰略合作伙伴關系,將HyperLight的TFLN(薄膜鈮酸鹽)芯片組平臺批量生產于6英寸和8英寸晶圓上。根據UMC的新聞稿,此次合作標志著TFLN光子學商業化的重要里程碑。UMC高級副總裁洪元智指出,為了實現1.6T及以上帶寬,TFLN正成為滿足下一代數據中心連接帶寬需求的有前景材料。UMC解釋說,TFLN芯片組平臺自始設計,旨在實現AI基礎
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安世半導體(中國)宣布,其基于自主研發的“12英寸平臺”創新實踐,已成功實現12英寸晶圓雙極分立器件的小批量量產。據介紹,安世半導體(中國)此次小批量12英寸晶圓雙極分立器件,并非簡單地將原有8英寸產品移植,而是通過“12英寸平臺”的自主研發,對芯片結構、工藝集成及制造流程進行全面優化與重構。這一里程碑式的突破,不僅標志著安世半導體(中國)在先進特色工藝領域的自主研發與規模化生產能力邁上新臺階,更意味著安世中國在被安世荷蘭總部斷供晶圓之后,成功依托國內12英寸晶圓制造平臺實現了部分器件的本地化制造。截至目
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該聲明發布之際,這家子公司與荷蘭總部的法律對峙再次升級。安世半導體中國子公司宣布,已實現 12 英寸硅晶圓芯片的小批量生產。這一進展讓該子公司與荷蘭母公司的分歧進一步加深,而其荷蘭母公司目前并無該尺寸晶圓的生產能力。安世半導體中國區通過其中文社交媒體賬號發布聲明稱,公司在 “自主研發和量產能力” 上取得新的里程碑,成功量產雙極型分立器件、肖特基整流器以及靜電放電保護器件。據路透社報道,這些均為荷蘭母公司也在生產的通用功率半導體產品。安世半導體歐洲總部對此拒絕置評,而記者也未能立即聯系到安世半導體中國區,以
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《科創板日報》3月3日訊 地緣政治緊張局面下,中東地區晶圓代工廠供貨也受到影響,而這使全球訂單發生了轉移。據臺灣經濟日報報道,近日世界先進(VIS)成熟制程訂單激增,成為中東地區晶圓供貨受阻背景下的替代方案之一;力積電(PSMC)也表示,其訂單量明顯回升,正密切關注市場變化。在其背后,以色列最大、全球前十大晶圓代工廠高塔半導體(Tower)出貨受阻,其下游客戶已正式啟動轉單動作。資料顯示,該公司主營高壓與特殊成熟制程,涵蓋電源管理IC、功率元件、CIS感測器、射頻、MEMS及類比訊號IC等產品,技術結構與
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就在Tower半導體公司剛剛宣布與英偉達(NVIDIA)達成硅光子學合作之際,其與另一家大型芯片制造商的合作關系卻似乎正在瓦解。據以色列媒體CTech報道,Tower披露,英特爾(Intel)計劃退出雙方于2023年簽署的一項生產協議——根據該協議,這家美國半導體巨頭本應在新墨西哥州工廠為Tower的客戶代工300毫米晶圓。報道稱,援引Tower方面的消息,雙方目前已進入調解程序。原定在英特爾新墨西哥州工廠生產的晶圓產能,已重新調配至其位于日本的Fab7工廠——該廠此前已完成相關制造工藝的認證。CTech
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隨著臺積電加速推進2納米和3納米等先進制程以滿足激增的AI需求,這家晶圓代工巨頭正悄然縮減其8英寸晶圓產線布局。據《經濟日報》援引IC設計公司消息人士報道,臺積電目前每年約生產500萬片8英寸晶圓,其中約80%將在未來幾年逐步轉移至其關聯公司——世界先進(Vanguard International Semiconductor, VIS)。此舉預計將使世界先進的8英寸產能翻倍,為其業務帶來重大提振。此前《自由時報》也曾報道,世界先進目前產能已滿載,繼第一季度選擇性調漲價格后,已通知客戶將于4月起實施第二輪
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AI需求助力晶圓代工廠度過傳統淡季。據中央通訊社報道,第一季度通常是晶圓代工行業的傳統淡季,但今年受益于強勁的AI相關需求以及面板驅動IC訂單的復蘇,包括臺積電在內的多家代工廠一季度運營表現預計將保持韌性,有效抵御季節性下行壓力。報道稱,在AI應用對先進制程的強勁拉動下,臺積電2026年第一季度營收預計將達到346億至358億美元,創下歷史新高,環比增長約4%,有望成為本季度表現最佳的晶圓代工廠。世界先進產能吃緊,啟動兩輪全面漲價作為臺積電的關聯企業,世界先進(Vanguard International
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英偉達首席執行官黃仁勛在臺北向記者表示,臺積電需大幅提升晶圓產能,才能滿足人工智能硬件的市場需求 —— 這意味著僅英偉達一家的需求,就可能推動這家晶圓代工廠在未來十年將產能提升一倍以上。據報道,黃仁勛是在臺北舉辦高規格供應商晚宴后發表上述言論的,臺積電首席執行官魏哲家、富士康董事長劉揚偉等企業高管均出席了該晚宴。黃仁勛還表示,臺積電今年需要 “全力以赴”,因為英偉達 “對晶圓的需求量極大”。臺積電人工智能芯片產能發展前景黃仁勛的此番表態,直言不諱地印證了供應鏈業內諸多人士的看法:人工智能計算的瓶頸已不再單
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成熟制程晶圓代工廠可能正迎來新一輪漲價潮。據《工商時報》報道,人工智能(AI)應用的快速擴展正帶動電源管理類芯片需求激增,業內人士認為,這將推動成熟制程代工價格觸底反彈。在成熟制程代工廠中,臺積電旗下專注8英寸晶圓廠的世界先進(Vanguard International Semiconductor)被視為關鍵風向標。報道稱,世界先進可能從2026年第一季度起實施漲價,幅度預計在4%至8%之間。與此同時,中國大陸領先的代工廠——中芯國際(SMIC)和華虹集團——目前產能持續滿載,部分工藝節點的價格已上漲約
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據TrendForce最新調查顯示,全球8英寸晶圓供需格局正發生顯著變化,代工廠漲價趨勢或將波及非主力的8英寸晶圓領域。隨著臺積電和三星電子兩大巨頭逐步減產,AI相關功率IC需求持續增長,消費類產品廠商擔憂下半年IC成本上升,已提前備貨。從供給端來看,臺積電計劃從2025年起逐步削減8英寸晶圓產能,并于2027年實現部分廠區全面停產。三星電子同樣將在2025年開始減產,且態度更為積極。受此影響,2025年全球8英寸晶圓產能預計將減少約0.3%,進入負增長階段。盡管2026年部分廠商如世界先進計劃小幅擴產,
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在臺積電1月15日財報電話會議前,公司悄然確認其2nm工藝已按計劃于2025年第四季度進入量產。隨著市場期待在簡報會上獲得更多細節,以下是值得關注的關鍵事項,隨著這個備受期待的節點走入聚光燈下。月容量可能挑戰14萬《商業時報》援引分析師的話指出,臺積電正在迅速提升高雄22制造廠和寶山晶圓廠的2nm產能,預計到今年年底月產量將攀升至10萬片硅片,以滿足包括蘋果、AMD、聯發科和高通等主要客戶的需求。自由時報則更為樂觀,預計其月2納米晶圓產量可能達到14萬片,標志著僅生產一年就實現了非凡的增長。相比之下,《自
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Imec在將固態納米孔技術從實驗室帶入大規模生產方面邁出了重要一步。在IEDM 2025上,比利時研發中心展示了首次成功利用極紫外(EUV)光刻技術在晶圓級制造固態納米孔。這一發展凸顯了前沿CMOS工藝在主流芯片擴展之外的應用。極紫外光刻正作為新型設備類別的推動力,包括醫療應用中的固態生物傳感器。從實驗室規模的孔隙到300毫米晶圓納米孔徑僅有幾納米,制造商將其蝕刻在薄膜上,通常是氮化硅。在浸液膜上施加電壓,使單個分子通過孔隙并產生特征性電信號。這使得納米孔成為單分子檢測(包括DNA、蛋白質和病毒)的強大工
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光刻技術 半導體 晶圓
晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [
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