ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤系統，該系統主要針對嵌入式處理器、DRAM 和 NAND
等應用的晶圓測試，可在 -40°C 耗散高達 2.5kW 的功率 。2023 年 11 月 14 日，半導體制造業提供溫度管理解決方案的領導者——ERS electronic，現推出全新高功率溫度卡盤系統。該技術針對高端 CPU、GPU 和高并行性 DRAM 器件應用的晶圓測試，可在-60°C 至+200°C 溫度范圍內對 Device Under Test (DUT)進行精確且強大的溫度控制
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ERS electronic 高功率溫度卡盤系統 晶圓
11月10日，晶圓代工大廠臺積電發布公10月營收公告，該月營收約2432.03億元新臺幣，較9月增加34.8%，較2022年同期增加15.7%，創歷史新高，并終止連七個月營收年減。2023年1月至10月營收1兆7794 .1億元新臺幣，較2022年同期減少3.7%。臺積電在上次法說會預估，第四季以美元計價的營收金額約188億至196億美元，毛利率51.5%~53.5%，營業利益率39.5%~41.5%。若以1美元兌換新臺幣32元匯率基礎計算，第四季營收將落在6016億至6072億元新臺幣，較第三季成長9%
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臺積電 晶圓 PC
美國加州時間2023年10月26日，SEMI在其年度硅出貨量預測報告中指出，受半導體需求的持續疲軟和宏觀經濟狀況影響，2023年全球硅晶圓出貨量預計將下降14%，從2022年創紀錄的14565百萬平方英寸（million square inches, MSI）降至12512百萬平方英寸，隨著晶圓和半導體需求的恢復和庫存水平的正常化，全球硅晶圓出貨量將在2024年反彈。隨著人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、5G、汽車和工業應用推動著硅需求的增加，從2024年開始的反彈勢頭預計將持續到2026年，晶圓出
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晶圓 硅片
2023 年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產能，然而業界樂觀預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能，目前這些中國企業每月的總產能約為 6 萬片。隨著各公司產能釋放，預計 2024 年月產能將達到 12 萬片，年產能 150 萬。根據行業消息和市調機構的統計，此前天岳先進、天科合達合計占據全球
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碳化硅 晶圓
香港科技園公司與微電子企業杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發中心。大半導體產業網消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。據悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產24萬片碳化硅晶圓，帶動年產值超過110億港元，并創造超過700個本地和
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晶圓 碳化硅 第三代半導體
至少出于性能原因，器件晶圓背面的空間看起來很有發展潛力。把電源軌從前端移到背面可以緩解晶圓正面的擁塞，實現單元微縮并減少電壓降。領先的半導體邏輯企業深知背面供電的優勢，正積極開發背面分布網絡。
?作者：泛林集團 Semiverse? Solutions 半導體和工藝整合工程師 Sandy Wen
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晶圓 薄膜
美國加州時間2023年9月19日，SEMI發布的《2026年200mm晶圓廠展望報告》（200mm Fab Outlook to 2026）顯示，預計在2023年到2026年，全球半導體制造商200mm晶圓廠產能將增加14%，新增12個200mm晶圓廠（不包括EPI），達到每月770多萬片晶圓的歷史新高。功率化合物半導體對消費、汽車和工業領域至關重要，是200mm投資的最大驅動力。特別是電動汽車的動力總成逆變器和充電站的發展，預計隨著電動汽車采用率的持續上升，將推動全球200mm晶圓產能的增長。SEMI總
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SEMI 晶圓 半導體
在我從事半導體設備的職業生涯之初，晶圓背面是個麻煩問題。當時發生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過程中，幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來。收拾完殘局后，我們想到，可以在晶圓背面沉積各種薄膜，從而降低其摩擦系數。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個問題，但我們的客戶經理不太高興，因為他們不得不向客戶解釋由此導致的產量減少的原因。盡管初識晶圓背面的過程不太順利，但當2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發布時，我開始更加關注這個領域。Xilinx的產品是首批采用“堆疊硅互連技術”的異構集成
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晶圓 背面供電 泛林
IT之家 8 月 3 日消息，金剛石（鉆石的原石）是半導體行業有前景的材料之一，但由于將其切割成薄晶圓具有挑戰性，因此一直沒有大規模應用。當地時間周二，日本千葉大學官網發布消息，介紹了一項被稱為金剛石半導體新型激光切片技術的突破，使用激光脈沖將金剛石切割成薄片，號稱“為下一代半導體材料鋪平了道路”。千葉大學的一個研究小組開發了一種新的基于激光的技術，號稱“可以毫不費力地沿著最佳晶面切割金剛石”，可用于電動汽車的高效功率轉換和高速通信技術。▲ 圖源日本千葉大學官網據介紹，包括金剛石在內的大多數晶體
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晶圓 半導體制造
作為半導體從業者，我們都知道芯片制造程序大致有IC設計、晶圓制造和封裝三大環節，每個環節都會影響到產品的好壞。總的來說，一顆設計完好的芯片的良率主要受到晶圓制造和封裝環節的影響，所以必須要通過測試環節來把控芯片質量的優劣。而半導體測試主要包括芯片設計環節中的設計驗證、晶圓制造中的晶圓針測以及成品測試。晶圓針測通常發生在晶圓加工完成后，封裝工藝進行前，主要用到的設備是探針臺，用于晶圓的輸送與定位，使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個測試。通過電學參數檢測等，測試晶圓上每個晶粒的有效性，標記異常的晶粒，減少后續
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ERS 封裝 晶圓 測試 卡盤
英特爾對外宣布，晶圓代工業務將成為獨立部門。今后其需要在性能和價格上參與競爭，而英特爾的各產品業務部門則將能夠自主選擇是否與第三方代工廠進行合作。英特爾表示正在調整企業結構，介紹了內部晶圓代工業務模式的轉變，計劃明年第一季將把晶圓代工事業（IFS）獨立運作，在財報單獨列出損益
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英特爾 晶圓 代工 臺積電 三星
中國，2023年6月6日——全球排名前列、提供功能豐富產品技術的半導體制造商格芯(GlobalFoundries，簡稱GF；納斯達克證交所代碼:GFS)和服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，雙方于2022年7月公布的將在法國Crolles新建一個高產能半導體聯營廠的合作，現正式完成協議簽署。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield博士表示：“我要向法國經濟和財政部長勒梅爾及其團隊致謝，感謝他
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格芯 意法半導體 12英寸 晶圓
5月12日消息，臺積電去年底已經量產了3nm工藝，今年會大規模放量，蘋果依然會首發3nm，但是臺積電的3nm工藝代工成本不菲，很多廠商也吃不消。此前數據顯示，從10nm開始，臺積電的每片晶圓價格開始瘋狂增長，2018年的7nm晶圓每片價格飆升至10000美元，2020年的5nm工藝晶圓每片價格突破16000美元。而到了3nm工藝，這個數字就達到了20000美元，約合14萬人民幣，而且這還是基準報價，訂單量不夠的話價格會更高。這也導致除了蘋果之外，其他客戶，如AMD、NVIDIA、高通、聯發科等，要么推遲3
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臺積電 3nm 晶圓
5月8日消息，臺積電是全球最大最先進的晶圓代工廠，然而代工價格也是業界最貴的，特別是先進工藝代工，5nm芯片代工要1.7萬美元，3nm等下一代工藝更是貴出天際，除了蘋果之外其他廠商很難跟進。谷歌的安卓親兒子Pixel系列也使用了三星、谷歌合作的Tensor G系列處理器，今年是Tensor G3系列，基于三星的芯片改進，生產工藝也是三星的4nm工藝，沒用上臺積電4nm，盡管后者的能效可能更好。傳聞稱明年的Tensor G4會改用谷歌自研架構，并轉向臺積電的4nm工藝代工，再往后的Tensor G5甚至會上
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AMD已與三星電子簽署協議，計劃從臺積電轉移部分4nm處理器業務到三星。傳聞AMD正在調整代號Phoenix的Ryzen 7040系列的設計，以適應三星的4nm工藝。
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晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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