隨著全球半導體制程推進至2納米以下世代，晶圓廠對潔凈室環境要求不斷拉升，氣態分子污染物（AMC）解決方案需求快速攀升，包括濾能、鈺祥與來自瑞典的康法（Camfil）等大廠，在產業擴產潮與先進制程快速推進，主力客戶皆為臺積電帶動下，近年罕見出現供應吃緊，甚至醞釀新一波漲價。先進制程線寬線徑愈來愈窄，AMC對于制程良率的影響持續增加。 因先進制程對于AMC微污染十分敏感，當制程持續演進，對AMC控制有更多的需求。據了解，AMC氣體分子直徑約在0.3~1.5納米，在5納米制程下，大約只要5~17個氣體分子，便可
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3月4日消息，小米集團總裁盧偉冰在接受采訪時透露，小米芯片、操作系統以及自研AI大模型將在今年內迎來一次具有里程碑意義的大會師。這意味著在不久后的同一款終端產品上，這三大核心技術將實現深度的整合與協同。這次大會師不是單純的技術堆疊，而是意味著小米正在構建起一套完整的自研技術棧。通過軟硬件與AI能力的底層打通，小米產品將具備更強的自主掌控力和性能表現。據博主數碼閑聊站透露，小米在今年肯定會推出全新的玄戒芯片，該芯片將采用臺積電3納米工藝制程制造，可能會命名為玄戒O2。這顆芯片的應用范圍將不再局限于智能手機，
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AI世代，一線芯片設計大廠之間的技術競爭持續火熱。 博通（Broadcom）早在2024年就曾宣布，和臺積電合作推出「3.5D eXtreme Dimension System in Package（XDSiP）」平臺，相關產品將在2026年正式出貨。?博通近期公告，證實這款采用2納米制程與3.5D系統級封裝的產品，已準時啟動出貨，主系提供給客戶富士通（Fujitsu）。博通強調，公司自2024年推出3.5D XDSiP平臺技術以來，已進一步擴展3.5D平臺的效能，以支持更廣泛的客戶群開發XPU
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據媒體報道，臺積電前企業戰略發展高級副總裁羅唯仁于2025年退休后，接受英特爾邀請擔任執行副總裁，這一舉動引發爭議。中國臺灣司法機關隨即啟動調查，目前已完成對羅唯仁涉嫌泄露敏感信息的證據收集工作。中國臺灣“科技委員會”主委吳誠文透露，檢方在事件發生后咨詢了新竹科技園管理局，以確認羅唯仁掌握的2nm以下制程技術是否屬于核心關鍵技術。 2025年11月，臺積電向知識產權及商事法院提起訴訟，指控羅唯仁掌握可能被競爭對手利用的關鍵商業秘密。為維護自身權益，臺積電采取了包括損害賠償在內的法律行動。與此同時
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根據晶圓代工大廠臺積電披露的2025年度報告顯示，自2021年-2024年的四年間，臺積電亞利桑那州晶圓廠（TSMC Arizona）累計虧損12.6億美元。但是在2025年，臺積電亞利桑那州晶圓廠就扭虧為盈，并獲利高達5.16億美元。財報顯示，臺積電亞利桑那州晶圓廠2025年累計投資資金已經達到了214.28億美元。值得一提的是，2025年臺積電來自美國市場營收同比大漲42.28%，在其總營收當中的比重高達74.42%，為臺積電最主要營收來源。而臺積電亞利桑那州晶圓廠之所以能夠在2025年實現盈利，很大
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背面供電網絡從晶圓下方為前沿晶體管直接供電，這一架構革新不僅能提升處理器性能、大幅降低功耗損失，還能提高電源效率。但背面供電網絡的落地，需要全新的制造策略支撐：既要實現硅晶圓的深度減薄、納米級通孔（nanoTSVs）與晶體管源漏極的精準對準，也需要通過新的建模方法，降低因發熱晶體管被夾在正面和背面互連堆疊層之間而產生的熱損耗。盡管挑戰重重，頭部集成電路制造商已取得顯著進展，尤其是在鰭式場效應晶體管（finFET）向納米片場效應晶體管（nanosheet FET）近乎同步轉型的背景下。英特爾近期已將采用絲帶
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核心要點背面供電技術可緩解先進制程節點的布線擁堵問題，為芯片性能提升提供多種可行方案該技術也帶來了通孔對準、互連工藝等一系列新挑戰前沿晶圓代工廠已取得實質性進展，均計劃在 2 納米及以下制程中推出背面供電網絡（BPDN）背面供電網絡從晶圓下方為前沿晶體管直接供電，這一架構革新不僅能提升處理器性能、大幅降低功耗損失，還能提高電源效率。但背面供電網絡的落地，需要全新的制造策略支撐：既要實現硅晶圓的深度減薄、納米級通孔與晶體管源漏極的精準對準，也需要通過新的建模方法，降低因發熱晶體管被夾在正面和背面互連堆疊層之
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英偉達首席執行官黃仁森在臺北告訴記者，臺積電必須積極擴大晶圓產量，以應對AI硬件的需求——這表明僅憑英偉達的需求，晶圓廠產能就可能在未來十年內翻倍以上。據路透社報道，黃在臺北舉辦了一場備受矚目的供應商晚宴后發表上述言論，晚宴出席者包括臺積電首席執行官魏永昌和富士康董事長劉永英。Tom's Hardware援引《南華早報》報道，黃明明表示臺積電今年需要“非常努力”，因為英偉達“需要大量晶圓”。臺積電人工智能產能展望這些評論直白地重申了供應鏈中許多人已經感受到的觀點：人工智能計算不再是唯一的限制。它是
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臺積電公布了最新的月度營收報告。數據顯示，臺積電2026年1月合并營收突破4000億元臺幣大關，達到了4012.6億元臺幣，同比增長36.8%，環比增長19.8%，再創單月歷史新高紀錄。此前的最高紀錄是2025年10月創下的，當月營收為3674.7億元臺幣。2025年全年，臺積電累計營收約為38090.54億元臺幣，同比增長31.6%。盡管存在AI泡沫擔憂，但全球科技巨頭并未減少芯片訂單。臺積電預期在2024年至2029年的五年期間，AI業務的年復合成長率將達到中到高雙位數（即50%以上）。面對分析師提出
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據路透社報道，臺積電（TSMC）首席執行官魏哲家日前宣布，該公司將在日本南部熊本市啟動先進3納米芯片量產，當地媒體估計此次投資規模高達170億美元。目前，臺積電最先進的芯片仍在中國臺灣地區生產，此前其僅計劃在日本布局生產成熟工藝芯片產能，而這一舉措將使日本成為全球尖端芯片制造的重要基地，這類芯片正是人工智能服務器與高性能計算領域的關鍵核心器件。此外，臺積電還計劃于2027年在其位于美國亞利桑那州的第二座工廠啟動3納米芯片生產，并正積極尋求與日本客戶及關鍵人工智能領域相關利益方進一步深化合作。與此同時，日本
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這是臺積電創紀錄的一筆投資獲批。臺積電于本周二召開董事會，會上批準了一項規模達 449.62 億美元的投資計劃，將用于新建晶圓廠及升級現有產能。該筆投資是臺積電今年 520 億至 560 億美元資本支出總計劃的一部分，剩余資金的審批將在后續董事會中完成。此外，臺積電還對其 1 納米級制程技術的核心研發人員予以晉升。創紀錄的投資獲批金額臺積電每季度都會召開董事會，審批資本撥款、注資及股息派發等事項，且公司往年通常會力求全年各季度的資本支出審批金額相對均衡。例如去年，臺積電董事會一季度批準 171.41 億美
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人工智能競賽的最大贏家是誰？人工智能超級周期正在重塑半導體和電子產業，人工智能基礎設施的大規模建設讓整個供應鏈承壓。集邦咨詢的預估數據顯示，盡管英偉達等人工智能加速器研發企業正借人工智能熱潮賺得盆滿缽滿，但存儲芯片廠商才是最大的獲利者。究其原因，除大宗商品市場的運行規律外，存儲芯片廠商與芯片代工廠的商業模式、擴張策略存在本質差異，是造就這一結果的關鍵。需求激增，供應告急集邦咨詢預測，2026 年全球芯片代工市場營收預計為 2187 億美元，而 3D NAND 閃存和 DRAM 動態隨機存取存儲器的營收總額
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隨著臺積電加速推進2納米和3納米等先進制程以滿足激增的AI需求，這家晶圓代工巨頭正悄然縮減其8英寸晶圓產線布局。據《經濟日報》援引IC設計公司消息人士報道，臺積電目前每年約生產500萬片8英寸晶圓，其中約80%將在未來幾年逐步轉移至其關聯公司——世界先進（Vanguard International Semiconductor, VIS）。此舉預計將使世界先進的8英寸產能翻倍，為其業務帶來重大提振。此前《自由時報》也曾報道，世界先進目前產能已滿載，繼第一季度選擇性調漲價格后，已通知客戶將于4月起實施第二輪
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盡管半導體關稅的具體細節仍不明確，但一個確定的事實是：2025年1月，特朗普政府曾對AMD和英偉達的部分AI芯片加征25%的關稅。如今，《金融時報》（Financial Times）報道稱，華盛頓正計劃為亞馬遜、谷歌、微軟等大型科技公司提供關稅豁免，以支持它們加速擴建驅動AI熱潮的數據中心。據熟悉內情的消息人士透露，美國商務部正準備為這些美國超大規模云服務商（hyperscalers），但前提是晶圓代工巨頭臺積電（TSMC）需作出相應的投資承諾。《金融時報》指出，根據這項擬議中的新方案，臺積電將可為其美國
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隨著臺積電正式宣布2nm制程工藝量產，三星電子和英特爾也加入競爭，圍繞大型科技公司的晶圓代工競爭正迎來一個重要的轉折點。英偉達聯手英特爾根據近期行業報告，英偉達以每股23.28美元的價格購入了214,776,632股英特爾股票，總投資額達50億美元 —— 此次收購使英偉達成為英特爾的主要股東，持有約4%的股份。業內人士認為，這筆投資并非簡單的財務決策，而是一項戰略舉措。分析表明，此舉旨在將英特爾的CPU設計技術與英偉達的AI能力相結合，同時為未來在芯片生產領域的合作留下空間。英偉達收購英特爾股份，再次撼動
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