葉俊顯代表國發基金加入臺積電董事會。 他17日以TSMC+1五個要素的模型，解析臺積電的成功關鍵，將該公司與中國臺灣經濟發展體系緊扣，并強調在政策配合下，臺積電的企業優勢可繼續維持至少五至十年。葉俊顯以TSMC+1五要素，進一步加以解釋。 他說，T是信任（trust），臺積電受到客戶的信任，最大原因是不做自己的品牌，所有的品牌都是客戶，而且可以定制化; S是系統（system），一個是教育系統，一個是生態系統; M就是人，中國臺灣人才，還包括臺積電創辦人張忠謀，他也為臺積電立定了一個「只做制程」的明確方向
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臺積電 TSMC+1
無晶圓廠半導體設計領域的全球領導者聯發科宣布與臺積電合作取得突破性成就。該公司已成功開發出采用臺積電尖端 2nm 工藝技術的旗艦片上系統 （SoC），計劃于 2026 年底量產。這一里程碑加強了聯發科和臺積電之間的長期合作，臺積電始終如一地為旗艦移動設備、計算、汽車、數據中心等應用提供高性能、高能效的芯片組。臺積電的2nm制程技術引入了納米片晶體管結構，這是半導體設計的重大飛躍。這種創新架構可以顯著提高性能和能效，為先進芯片組樹立新標準。聯發科首款基于 2nm 的芯片組預計將于 2026 年底首次亮相，將
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聯發科技 臺積電 2nm 性能 能效
英偉達預計推出針對中國大陸市場的新款降規芯片，以Blackwell為架構，初步名稱為「B30A」最新消息指出，該晶片采用雙晶片設計，搭配HBM3E內存，使用臺積電N4P制程，為5納米的強化版本，預計在今年第四季亮相。 外媒認為，英偉達積極推動此計劃，以避免市占率在短時間內快速流失。wccftech報導，廣發證券指出，B30A預計會成為英偉達在大陸的旗艦型產品，不同于H20的單晶片設計，B30A采用雙晶片設計，效能提升主要來自升級成Blackwell架構，預估規格約為B300晶片的一半。報導提到，由于Hop
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臺積電排除萬難實現芯片「美國制造」，再度替印度、越南、卡塔爾等重燃芯片大夢。半導體業者透露，地緣政治下，歐、美、日以強大國力實現半導體制造目標，屬于第一梯次，新加坡與馬來西亞也全力補強實力。 印度、越南、中東則是第三梯次，難度偏高，外界普遍不看好。然而臺積電美國亞利桑那廠的成功，讓想發展芯片產業的國家又帶來希望。 「請不動臺積電，但至少可找臺積電的建廠供應鏈班底相助。」臺積電美國新廠立下標竿 多國找上臺積大、小聯盟助陣過去1年來，臺積亞利桑那州廠的成功，多國信心大振，頻向臺系半導體鏈招手，如印度
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臺積電 晶片夢
隨著臺積電的 2 納米工藝計劃于 2025 年下半年量產，多家主要客戶已經加入，中國臺灣的聯發科是最新加入者。這家手機芯片制造商今天宣布，其首個旗艦 SoC 在臺積電的 2 納米工藝上成功流片，量產計劃定于 2026 年下半年，根據其 新聞稿 。雖然聯發科尚未正式命名這款芯片，但 MyDrivers 暗示，首款 2 納米旗艦 SoC 極有可能是下一代天璣 9 系列——天璣 9600。同時，蘋果也在積極采用臺積電的尖端 2 納米工藝。根據商業時報報道，2026 年的高
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臺積電迎來AI成長黃金期！ 隨著2納米制程進入量產，成長動能將由HPC貢獻。 業者認為，2026年除手機大廠將使用臺積電2納米外，AMD以2納米打造的HPC（高效能運算）芯片也將于明年登場; 面對競爭，供應鏈消息直指英偉達已考慮導入最先進制程，也就是臺積電明年下半年量產的A16（擁有晶背供電版本的2納米制程），這將是由AI應用第一次主導臺積電最先進制程的重要轉折。業界透露，這是英偉達繼之前0.11微米以來，再次使用臺積電最先進制程技術制作芯片。 法人看好，未來AI相關營收貢獻增速，明年其資本支出將再締新猷
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臺積電承受了地緣政治巨大風險壓力，在外界不看好下，不得不宣布高成本的長期海外擴產大計。 其中，美國亞利桑那首座廠建置難關重重，人才、成本與法令的困難接二連三出現，臺積電與相關廠務、設備及材料供應鏈，正面臨前所未有的挑戰。肩負全球建廠重任的臺積電廠務副總經理莊子壽表示： 從中國臺灣到海外，供應鏈要入境隨俗與遵守當地法律。 另外，千萬別為省一點點錢去冒險，不能再以中國臺灣思維去建廠，「系統化」是供應鏈必須加速學習與導入的首要之件。近年歐、美、日等大國，以地緣政治壓力及補助金策略等，力邀臺積電設廠。
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臺積電
臺積電正在重新利用其位于新竹科學園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來生產極紫外薄膜，并將這種生產引入內部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受強烈的 EUV 輻射和熱應力，同時最大限度地減少光吸收和波前失真。生產薄膜是一種縮短更換周期的方法，并對組件施加更多控制，在 EUV 環境中，該組件必須保護光掩模免受顆粒影響，同時應對極端暴露條件。與舊的 DUV 工藝不同，EUV 系統使用 400 W 光源和局部加熱運行，掩模溫度接近 1
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臺積電 舊晶圓廠 EUV 薄膜生產
臺積電（臺積電）昨天表示，為先進封裝設備開發本地化供應鏈對于跟上客戶日益縮短的新型人工智能（AI）芯片上市周期至關重要。臺積電先進封裝技術與服務副總裁何軍在臺北舉辦的 3D IC 全球高峰會上表示，在 AI 革命的推動下，客戶正在將產品升級速度加快到幾乎每年，與過去兩到三年的開發節奏相比。他說，這些縮短的周期給芯片制造商帶來了沉重壓力，因為從芯片設計到批量生產的整個過程現在必須壓縮到一年內。他說，這需要臺積電在短短三個季度內將產量從零提高到峰值水平，將實現大批量生產所需的時間縮短 30%，并引用了該公司過
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據DigiTimes報道，臺積電計劃從2026年開始對基于其先進制程工藝技術生產的晶圓價格提高5%至10%。臺積電新的定價策略反映了該公司在美國和中國臺灣先進制造能力擴張的推動下增加的資本支出（CapEx），同時打算保持利潤率目標步入正軌。目前臺積電正在美國、日本、德國等地同時擴建晶圓廠，其中在美國的總投資額更是提高到了1650億美元。與此同時，臺積電還在中國臺灣斥巨資同時建設多座尖端制程晶圓廠和先進封裝廠，其中就包括多座2nm制程晶圓廠。近日傳聞還顯示，臺積電將于今年10月啟動1.4nm晶圓廠的建設，預
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AI浪潮下，半導體先進封裝產業正加速擴產。原本「并未」把先進封裝視為主力的臺積電，過去兩年來態度大轉彎、大擴產。 而專業封測代工廠以往泰半保守看待先進封裝業務，現也轉趨積極。 業界推估，在「臺積電」與「非臺積電」兩大陣營全力沖刺先進封裝技術、產能的趨勢下，設備供應鏈將成為大贏家，可望繼續暢旺2年。首先是臺積電，不僅在臺灣的北、中、南部接連擴產，亦確立于美國亞利桑那州廠區再建2座先進封裝工廠。半導體設備業者強調，CoWoS產能供不應求，技術更是快速推進，不只臺積電擴產大啖商機，OSAT廠也陸續確立擴產大計。
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全球最值得信賴的半導體代工廠臺積電發布了 2024 年可持續發展報告，強調了其致力于將環境、社會和治理原則融入其運營的承諾。臺積電成立于 1987 年，總部位于新竹科學園區，在全球擁有 84,512 名員工，在臺灣、中國、美國、日本和歐洲設有工廠。這份長達 278 頁的報告強調了臺積電作為“創新先驅、負責任的購買者、綠色電力的踐行者、受人尊敬的雇主和改變社會的力量”的角色。正如世界經濟論壇的《全球風險報告》所指出的，在極端天氣等全球風險不斷上升的情況下，臺積電強調多邊合作，以促進可持續發展，與聯合國可持續
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彭博2日驚爆，美國政府撤銷了臺積電南京廠「驗證終端用戶資格（VEU）」輸送許可，沖擊其中國成熟制程芯片制造。 相關部門深夜緊急回應，坦言此舉確實對南京廠營運造成影響，但評估僅占其產能3%，不影響臺積電整體產業競爭力，將持續掌握狀況、提供協助。美國政府取消對臺積電南京廠VEU資格，代表未來進口每臺美國設備，需單獨申請許可。 意味著南京廠取得美國產業安全局（BIS）的許可，將從「綠色通道」模式（亦即授權允許取得美國管制貨品，無需逐批申請），回歸到須「逐案審批」的模式，此一發展，將會對該廠未來營運的可預期性造成
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臺積電 南京廠 斷許可
英特爾近年來持續沖刺半導體領域，2024年研發支出金額高達165.5億美元（超千億人民幣），位居全球芯片制造商之冠，甚至超越三星與臺積電。 然而，盡管投入龐大資金，至今卻未能交出具備市場競爭力的制程技術，讓外界對其前景憂心。 根據市場研究機構TechInsights的分析，英特爾研發支出是業界最高，原因之一是同時經營芯片設計與晶圓制造兩大領域。 英特爾必須在架構設計、制程研發、產能建置等多線并行，導致費用極為龐大，其中，18A制程被視為英特爾翻身的關鍵，但目前仍傳出良率不穩定、產能不足等問題，市
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特朗普政府在放松對美國制造商的管制幾周后，對臺積電的半導體出口施加了新的限制。 全球最大的半導體制造商臺積電在給 MeriTalk 的一份聲明中證實，該公司收到特朗普政府的通知，其向中國南京主要工廠快速跟蹤美國芯片制造設備出口的授權已被撤銷。 該公司在一份聲明中表示：“雖然我們正在評估情況并采取適當措施，包括與美國政府溝通，但我們仍然完全致力于確保臺積電南京的不間斷運營。 臺積電表示，臺積電的特權——經過驗證的最終用戶身份——將于 12 月 31 日結束，屆時臺積電將被要求獲
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