Microchip BZPACK 碳化硅功率模塊可應對 HV?H3TRB 嚴苛環(huán)境
Microchip 正式推出 BZPACK mSiC 碳化硅功率模塊,該系列產(chǎn)品專為滿足高濕、高電壓、高溫反向偏置(HV?H3TRB) 標準而設(shè)計,可應對 HV?H3TRB 嚴苛環(huán)境.

功率變換拓撲
產(chǎn)品支持多種拓撲結(jié)構(gòu),包括半橋、全橋、三相橋以及 PIM/CIB 拓撲配置。
Microchip 強調(diào),為滿足 HV?H3TRB 可靠性要求,該模塊可穩(wěn)定工作超過 3000 小時,遠超 1000 小時的行業(yè)標準。
應用場景
模塊面向工業(yè)與可再生能源領(lǐng)域部署,典型應用包括:可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電源、重型交通、航空航天及國防裝備。
BZPACK mSiC 核心特性
采用相比漏電起痕指數(shù)(CTI)600V封裝外殼
全溫范圍內(nèi)導通電阻 Rds(on) 性能穩(wěn)定
可選用氧化鋁(Al?O?) 或氮化鋁(AlN) 基板,實現(xiàn)最優(yōu)散熱性能
官方評述
Microchip 大功率解決方案事業(yè)部副總裁 Clayton Pillion 表示:
“BZPACK mSiC 功率模塊的推出,進一步彰顯了 Microchip 致力于為最嚴苛的功率變換環(huán)境提供高可靠性、高性能解決方案的承諾?!?/p>
目前,BZPACK mSiC 功率模塊已實現(xiàn)量產(chǎn)供貨。












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