多年來持續試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統的設計和工程建設能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創新不應只在單點的芯片工藝上，而是應該在系統架構上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據《快科技》報導，在今天的數據大會上，華為常務董事張平安就芯片技術發展發言指出，「通過系統的設計和工程建設可以解決我們整體數字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們在芯片上的代差。」張平安說，「在華為看來，AI數據中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數能結合。」在這之
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工藝 華為 系統設計 芯片代差
7月29日消息，高通正式發布了新款移動平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級市場，采用三星4nm工藝技術。CPU為八核心設計，包括2個最高可達2.0GHz的A78內核和6個A55內核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內存。與前代產品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數有所降低，例如CPU大核主頻從2
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高通 驍龍 4s Gen2 三星 4nm 主頻2.0GHz
近日，臺積電業務發展高級副總裁張曉強博士在接受采訪時被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡單，不在乎。只要我們能繼續推動工藝進步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了。”在張曉強看來，臺積電的優勢在于，每年都能投產一種新的制程工藝，為客戶改進性能、功耗和面積 （PPA）指標進。比如說最近十年來，蘋果一直是臺積電的頭號客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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臺積電 摩爾定律 工藝
英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發展。英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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Intel 3 3nm 工藝
此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯發科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor
G5的樣品發送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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谷歌 臺積電 Tensor G5 3nm 工藝
根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節點制程的產品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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4nm 2nm 三星 晶圓廠 制程節點
IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯合創始人兼首席執行官 Timo Valtonen 認為這項技術有著廣泛的應用前景：“CPU 是計算中最薄弱的環節。它無法勝任自己的任務，這一點需要改變。”該芯片技術涉及一個配套芯片，不產生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實時優化處理任務
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CPU 工藝 荷蘭
IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當地時間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結構方面的創新，積極研究后 1.4nm 時代的先進邏輯制程技術，實現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
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三星 1.4nm 晶圓代工
近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數據，同時寫入速度是NAND的1000倍數。基于上述特性，業界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
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存儲 工藝 三星
在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為
2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4
制造的基礎模具的新細節，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4
制造工藝中占據有
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臺積電 12nm 5nm 工藝 HBM4 基礎芯片
這幾年，Intel以空前的力度推進先進制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領先地位，現在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領先地位。目前，Intel正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。其中，Intel 3作為升級版，應用于服務器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個。In
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英特爾 晶圓 芯片 先進制程 1.4nm
5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業內人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進行原型試產，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表：今年下半年量產、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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三星 AI Mach-1 原型試產 4nm 工藝
IT之家 4 月 26 日消息，臺積電近日展示了全新 4nm 級別生產工藝 N4C，通過顯著降低成本和優化設計能效，進一步增強 5nm 級別生產工藝。臺積電公司近日舉辦了 2024 北美技術研討會，IT之家翻譯該公司業務開發副總裁張凱文內容如下：我們的 5nm 和 4nm 工藝周期還未結束，從 N5 到 N4，光學微縮密度改進了 4%，而且我們會繼續增強晶體管性能。我們現在為 4nm 技術陣容引入 N4C 工藝，讓我們的客戶能夠消除一些掩模并改進標準單元和 SRAM 等原始 IP 設計，以進一步
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臺積電 晶圓代工 4nm
幾個月前，臺積電發布了 2023
年年報，但顯然，文件中包含的關鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談談臺積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術革命的
A14。臺積電宣布，該公司終于進入了"Angstrom 14 時代"，開始開發其最先進的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進入市場之前還有很長的路要走，很可能會在 2 納米和 1.8 納米節點之后出現，這意味著你可以預期它至少會在未來五年甚至更長的時間內出現。著
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臺積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經在 16 個數據中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動表示
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Meta MTIA 芯片 5nm 工藝 90W 功耗 1.35GHz
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