4月29日消息，據MacRumors報道，蘋果原計劃為iPhone 17 Pro的屏幕配備抗刮抗反射涂層，目前已經取消。消息稱，蘋果在擴大顯示屏涂層工藝方面遇到了問題。此前考慮到Apple生產的數百萬臺設備，為iPhone顯示屏添加防反射涂層的過程太慢了，因此即使它只計劃用于Pro機型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就開始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同類型技術，可以將反射減少75%，在強光、燈光下保持屏幕清晰可見。目前市面上流行的一種AR貼膜就使用了
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工藝 蘋果 iPhone 17 Pro 屏幕抗 刮抗 反射涂層
臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節點將依賴其第二代全環繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術提供進一步的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入量產，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節點下一代先進芯片技術，”臺積電業務發展和全球銷售高級副總
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臺積電 1.4nm GAA 晶體管
財聯社4月23日訊（編輯 馬蘭）據媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產品，而這可能是其將Nova Lake生產外包給臺積電的一個原因。但業內也懷疑，既然18A工藝已經投入了試生產，英特爾將生產外包可能是由于產能需求的驅動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰略：既使用臺積電的2納米技術生產旗艦產品，
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英特爾 18A 工藝 2納米芯片 臺積電
隨著半導體制造復雜性的不斷增加，相關的排放量正在以驚人的速度增長。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數據顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產 ~30 萬 MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠每年產生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細工藝可以大大減少每個晶體管的輻射。半導體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
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移動處理器大廠高通（Qualcomm）計劃推出一款新的4納米高端芯片組，雖然定位低于旗艦級的Snapdragon 8 Elite，但性能依然備受市場關注。 最新消息指出，這款可能命名為Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍傾向于與老伙伴臺積電合作，而非選擇三星代工。追蹤三星相關消息的南韓科技媒體SamMobile報導，盡管三星的4納米制程已經通過測試，也經過市場驗證，看似有搶單的機會，然而高通似乎仍對三星持保留態度，最終還是決定交由臺積電獨家代工這款新芯片。其實三星早在2021年就以第
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3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平臺發布推文，分享了高通驍龍 8s 至尊版芯片的更多細節，并透露該芯片的各項配置更接近于驍龍 8s Gen 3 芯片。援引博文介紹，高通驍龍 8s 至尊版采用 4nm 制程工藝，沒有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：驍龍8s Gen 38s Elite8 Elite節點4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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半導體芯片制程技術的創新突破，是包括英特爾在內的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計算時代的根本。年內即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關鍵制程技術突破，同時還肩負著讓英特爾重回技術創新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導體制程技術創新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環繞柵極晶體管技術與PowerVia背面供電技術兩大關鍵技術突破，會給出世界一個答案。攻克兩大技術突破 實力出色RibbonFET全環繞柵極晶體管技術，是破除半
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英特爾 EDA 工藝
據外媒報道，近日，英特爾投資者關系副總裁John Pitzer在公開澄清了關于基于Intel 18A制程的首款產品——Panther Lake推遲發布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計劃于今年下半年發布，發布時間并未改變，且英特爾對于目前的進展非常有信心。報道中稱，John Pitzer表示當前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發階段的表現還要略勝一籌。幾周前有技術論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現已與臺積電N2工藝相當。“雖然技術比較存在多
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英特爾 芯片支撐 工藝
1 月 22 日消息，半導體互聯 IP 企業 Blue Cheetah 美國加州當地時間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對裸晶互聯 PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級 2.5D 和標準 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關，同時在面積和功耗表現上處于業界領先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應用中接受硅特性分析。Blue Che
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三星 SF4X 工藝 Blue Cheetah 流片 D2D 互聯 PHY
知情人士稱，蘋果在臺積電美國亞利桑那州工廠（Fab 21）生產的4nm芯片已進入最后的質量驗證階段，英偉達和AMD也在該廠進行芯片試產。不過，臺積電美國廠尚不具備先進封裝能力，因此芯片仍需運回臺灣封裝。有外媒在最新的報道中提到，去年9月份就已開始為蘋果小批量代工A16仿生芯片的臺積電亞利桑那州工廠，目前正在對芯片進行認證和驗證。一旦達到質量保證階段，預計很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度開始向蘋果設備供貨。▲ 臺積電亞利桑那州晶圓廠項目工地，圖源臺積電官方臺積電位于亞利桑那州的在美晶圓廠項目
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據韓媒報道，近日，三星電子在其內存業務部已完成HBM4內存邏輯芯片的設計，且Foundry已根據該設計正式啟動了4nm制程的試生產。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發的 HBM4 內存樣品。此前消息稱，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導入1c nm制程DRAM Die，以提升產品能效表現，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。
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12月30日消息，據國外媒體報道稱，臺積電亞利桑那工廠將于2025年下半年開始量產4nm工藝，蘋果、英偉達、AMD 和高通等客戶將成為主要受益者。不過，對于消費者來說就不那么友好了，因為如果真是這樣的話，那么大家要承擔30%漲價。為什么這么說？報道中提到，臺積電的4nm工藝將在亞利桑那州工廠的一期（1A）廠區投產，但生產成本預計將比現有的高出30%，這是美國客戶需要考慮的問題。據悉，該工廠將負責4nm生產，但這是第一階段的計劃，因為在第二階段，臺積電計劃在2028年量產2nm，盡管目前這還有點不確定。按照
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11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯發科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
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IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發布博文，宣布在美國加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯粒互連 PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項技術不僅實現了 64Gbps / bump 的行業最高性能，還在多芯粒架構中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標志著半導體互連領域的一次重大突破。IT之家注：芯粒互連 PHY 是一種用于連接多個芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實現高帶寬、低延遲和低功耗的數據傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
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據彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產線的試產良率已與臺積電位于臺灣地區的南科廠良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進行，進展良好”。根據此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產線的架設，并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產，而根據彭博社最新的報道來看，基于該生產線的第一批試產的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續如果量產，良率將不是問題。根據規劃，臺積電將在美國亞利
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