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4nm 工藝 文章 最新資訊

三星電子計劃上調(diào)4nm與8nm工藝價格，漲幅約10%

  • 據(jù)韓國至頂網(wǎng)（ZDNET Korea）2月4日報道，三星電子旗下晶圓代工業(yè)務(wù)擬對部分制程價格進行調(diào)整，主要涉及4nm與8nm工藝，預(yù)計漲幅約在10%左右。業(yè)內(nèi)人士透露，這兩項工藝已進入成熟階段，良率趨于穩(wěn)定，且被認為接近“實際產(chǎn)能極限”。其中，注重性能的客戶更傾向于選擇4nm工藝，而對價格敏感的客戶則偏向8nm工藝。具體漲幅可能因客戶類型和工藝不同而有所差異。通過此次價格調(diào)整，三星電子晶圓代工部門有望為自身工藝研發(fā)提供資金支持，同時提升中長期盈利能力。與此同時，臺積電此前已多次上調(diào)工藝價格，主要原因是AI
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小米最強旗艦芯片！玄戒O2繼續(xù)使用臺積電3nm工藝

  • 1月28日消息，去年5月，小米正式推出自主研發(fā)的旗艦SoC——玄戒O1，這顆芯片由玄戒團隊自主設(shè)計，采用臺積電第二代3nm工藝，CPU和GPU都采用了Arm方案，多核跑分成績超過9000分，躋身行業(yè)第一梯隊。但小米并未大范圍在其自家產(chǎn)品上應(yīng)用玄戒O1，僅小米15S Pro及小米平板7 Ultra等少量產(chǎn)品搭載。小米創(chuàng)辦人雷軍曾在接受采訪時表示，研芯片需要有三到四年的研發(fā)周期，第一代是在驗證技術(shù)，所以預(yù)定數(shù)量少，下一步我們會全部自研四合一的域控制，為將來小米自研芯片上車做好準備。進入2026年，小米玄戒O2
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臺積電將于下個月破土動工1.4nm晶圓廠

  • 經(jīng)濟新聞日報》道，臺積電將于 10 月破土動工，耗資 490 億美元的 Fab 25 工廠用于其 1.4 納米工藝。1.4nm 的試生產(chǎn)計劃于 2027 年底在構(gòu)成 Fab 25 的四個晶圓廠中的第一個進行。Fab 25 將在臺中市附近的臺灣中部科學園區(qū)舉行。所有四個晶圓廠都將運行 1.4nm 工藝，能夠生產(chǎn) 50k wpm。該工廠將容納四家工廠，最初的晶圓廠計劃于 2027 年底開始試生產(chǎn)，并于 2028 年下半年量產(chǎn)。臺積電的第二代 GAA 工藝 1.4nm 工藝與 20nm 工藝相比，邏輯密度超過
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英特爾14A工藝：依賴外部客戶 不成功便成仁

  • 隨著英特爾暫緩向客戶推廣該公司的18A制造工藝（1.8納米級），轉(zhuǎn)而將精力轉(zhuǎn)向下一代14A制造工藝（1.4納米級），英特爾14A的工藝進展就成為業(yè)界關(guān)注的新焦點。該節(jié)點預(yù)計將于2027年做好風險生產(chǎn)準備，并于2028年做好量產(chǎn)準備。 英特爾在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的未來極有可能取決于下一代英特爾14A工藝節(jié)點能否獲得蘋果和英偉達等主要客戶的認可，首席執(zhí)行官陳立武強調(diào)了客戶合作在14A工藝研發(fā)過程中的重要意義，并警告說如果沒有重大承諾，英特爾可能會停止 14A 的開發(fā)，并有可能退出代工業(yè)務(wù)。如果英特爾真的
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三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進，2028-29前不太可能實現(xiàn)1.4nm

  • 據(jù)報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當前先進節(jié)點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報道，在此次活動中，三星透
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CellWise 以 23.7 億瑞典克朗的價格出售其海外工廠的控制股權(quán)

  • 2025 年 6 月 13 日，CellWise 發(fā)布了一份關(guān)于重大資產(chǎn)出售的草案報告摘要，稱其計劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括 Bure 和 Creades 在內(nèi)的七家買家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉(zhuǎn)讓 441,0115 股——相當于交易后總股本的 45.24%——以現(xiàn)金形式進行。根據(jù)公告，該交易的定價為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權(quán)，使 Sile
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X-FAB 擴展 180nm 工藝，推出新的 SPAD 隔離類別

  • X-FAB 硅晶圓廠 SE 在其 180nm XH018 半導(dǎo)體工藝中發(fā)布了一種新的隔離類別，該工藝支持更緊湊和高效的單光子雪崩二極管（SPAD）實現(xiàn)。新的隔離類別可以實現(xiàn)更緊密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，從而減小芯片面積。SPAD 是許多新興應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，包括自動駕駛汽車的激光雷達、3D 成像、AR/VR 系統(tǒng)的深度感知、量子通信和生物醫(yī)學傳感。X-FAB 已經(jīng)在其 180nm XH018 平臺上提供多個 SPAD 器件，其有效面積從 10 μm 到 20 μm 不等。這包括一個近紅
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三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達24Gbpsv

  • 據(jù)韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯粒互聯(lián)技術(shù)上的顯著進展。UCIe（統(tǒng)一芯粒互聯(lián)接口）是一種通用的芯粒互聯(lián)標準，能夠?qū)崿F(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運行，表明其技術(shù)已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進的能力。
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臺積電美國廠首批4nm晶圓送往臺灣封裝

  • 據(jù)臺媒報道，臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋果、英偉達（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國臺灣進行封裝。這批在臺積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國臺灣的臺積電的先進封裝廠利用CoWoS技術(shù)進行先進封裝。雖然臺積電也計劃在美國建設(shè)兩座先進封裝廠，但是目
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聚合物波導(dǎo)提高了 CPO 共封裝光學

  • 日本的研究人員開發(fā)了一種聚合物波導(dǎo)，其性能與現(xiàn)有復(fù)雜芯片封裝中的共封裝光學（CPO）方法相似。這可以降低將光學連接添加到芯片封裝中的成本，以減少功耗并提高數(shù)據(jù)速率。CPO 系統(tǒng)需要激光源才能運行，該激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。雖然集成激光源允許更多連接，但確保一致性可靠性可能具有挑戰(zhàn)性，這可能影響整體系統(tǒng)魯棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系統(tǒng)可靠性。由日本國立先進工業(yè)科學技術(shù)研究所的 Satoshi Suda 博士領(lǐng)導(dǎo)的研究團隊測試了在玻璃
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臺積電可能對1.6nm工藝晶圓漲價5成

  • 隨著臺積電準備在今年晚些時候開始采用其 N2（2nm 級）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價以及后續(xù)節(jié)點定價的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道，據(jù)報道，臺積電計劃對使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達 2 美元的費用，但現(xiàn)在《中國時報》報道稱，該公司將對“更先進的節(jié)點”收取每片晶圓高達 45,000 美元的費用，據(jù)稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級）節(jié)點。2nm 生產(chǎn)成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據(jù)傳 [更多] 先進節(jié)點將達到 45,000
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臺積電重申1.4nm級工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV

  • 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會上重申了其對下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會為這些節(jié)點采用 High-NA EUV 工具。“當臺積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯(lián)席首席運營官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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芯片的先進封裝會發(fā)展到4D？

  • 電子集成技術(shù)分為三個層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內(nèi)的集成，情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類的兩個重要依據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節(jié)點即將推出

  • 4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點的后續(xù)一代。英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術(shù)，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點現(xiàn)在處于風險生產(chǎn)階段，預(yù)計今年晚
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4nm 工藝介紹

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