4nm 工藝文章最新資訊

三星電子計(jì)劃上調(diào)4nm與8nm工藝價(jià)格，漲幅約10%

據(jù)韓國至頂網(wǎng)（ZDNET Korea）2月4日?qǐng)?bào)道，三星電子旗下晶圓代工業(yè)務(wù)擬對(duì)部分制程價(jià)格進(jìn)行調(diào)整，主要涉及4nm與8nm工藝，預(yù)計(jì)漲幅約在10%左右。業(yè)內(nèi)人士透露，這兩項(xiàng)工藝已進(jìn)入成熟階段，良率趨于穩(wěn)定，且被認(rèn)為接近“實(shí)際產(chǎn)能極限”。其中，注重性能的客戶更傾向于選擇4nm工藝，而對(duì)價(jià)格敏感的客戶則偏向8nm工藝。具體漲幅可能因客戶類型和工藝不同而有所差異。通過此次價(jià)格調(diào)整，三星電子晶圓代工部門有望為自身工藝研發(fā)提供資金支持，同時(shí)提升中長期盈利能力。與此同時(shí)，臺(tái)積電此前已多次上調(diào)工藝價(jià)格，主要原因是AI
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小米最強(qiáng)旗艦芯片！玄戒O2繼續(xù)使用臺(tái)積電3nm工藝

1月28日消息，去年5月，小米正式推出自主研發(fā)的旗艦SoC——玄戒O1，這顆芯片由玄戒團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)，采用臺(tái)積電第二代3nm工藝，CPU和GPU都采用了Arm方案，多核跑分成績超過9000分，躋身行業(yè)第一梯隊(duì)。但小米并未大范圍在其自家產(chǎn)品上應(yīng)用玄戒O1，僅小米15S Pro及小米平板7 Ultra等少量產(chǎn)品搭載。小米創(chuàng)辦人雷軍曾在接受采訪時(shí)表示，研芯片需要有三到四年的研發(fā)周期，第一代是在驗(yàn)證技術(shù)，所以預(yù)定數(shù)量少，下一步我們會(huì)全部自研四合一的域控制，為將來小米自研芯片上車做好準(zhǔn)備。進(jìn)入2026年，小米玄戒O2
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臺(tái)積電將于下個(gè)月破土動(dòng)工1.4nm晶圓廠

經(jīng)濟(jì)新聞日?qǐng)?bào)》道，臺(tái)積電將于 10 月破土動(dòng)工，耗資 490 億美元的 Fab 25 工廠用于其 1.4 納米工藝。1.4nm 的試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年底在構(gòu)成 Fab 25 的四個(gè)晶圓廠中的第一個(gè)進(jìn)行。Fab 25 將在臺(tái)中市附近的臺(tái)灣中部科學(xué)園區(qū)舉行。所有四個(gè)晶圓廠都將運(yùn)行 1.4nm 工藝，能夠生產(chǎn) 50k wpm。該工廠將容納四家工廠，最初的晶圓廠計(jì)劃于 2027 年底開始試生產(chǎn)，并于 2028 年下半年量產(chǎn)。臺(tái)積電的第二代 GAA 工藝 1.4nm 工藝與 20nm 工藝相比，邏輯密度超過
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芯片內(nèi)部電路是怎樣的？

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英特爾14A工藝：依賴外部客戶不成功便成仁

隨著英特爾暫緩向客戶推廣該公司的18A制造工藝（1.8納米級(jí)），轉(zhuǎn)而將精力轉(zhuǎn)向下一代14A制造工藝（1.4納米級(jí)），英特爾14A的工藝進(jìn)展就成為業(yè)界關(guān)注的新焦點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將于2027年做好風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)準(zhǔn)備，并于2028年做好量產(chǎn)準(zhǔn)備。英特爾在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的未來極有可能取決于下一代英特爾14A工藝節(jié)點(diǎn)能否獲得蘋果和英偉達(dá)等主要客戶的認(rèn)可，首席執(zhí)行官陳立武強(qiáng)調(diào)了客戶合作在14A工藝研發(fā)過程中的重要意義，并警告說如果沒有重大承諾，英特爾可能會(huì)停止 14A 的開發(fā)，并有可能退出代工業(yè)務(wù)。如果英特爾真的
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三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進(jìn)，2028-29前不太可能實(shí)現(xiàn)1.4nm

據(jù)報(bào)道，隨著主要競(jìng)爭對(duì)手臺(tái)積電和英特爾的目標(biāo)是在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當(dāng)前先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時(shí)間表，但該報(bào)告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報(bào)道，在此次活動(dòng)中，三星透
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CellWise 以 23.7 億瑞典克朗的價(jià)格出售其海外工廠的控制股權(quán)

2025 年 6 月 13 日，CellWise 發(fā)布了一份關(guān)于重大資產(chǎn)出售的草案報(bào)告摘要，稱其計(jì)劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括 Bure 和 Creades 在內(nèi)的七家買家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉(zhuǎn)讓 441,0115 股——相當(dāng)于交易后總股本的 45.24%——以現(xiàn)金形式進(jìn)行。根據(jù)公告，該交易的定價(jià)為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權(quán)，使 Sile
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X-FAB 擴(kuò)展 180nm 工藝，推出新的 SPAD 隔離類別

X-FAB 硅晶圓廠 SE 在其 180nm XH018 半導(dǎo)體工藝中發(fā)布了一種新的隔離類別，該工藝支持更緊湊和高效的單光子雪崩二極管（SPAD）實(shí)現(xiàn)。新的隔離類別可以實(shí)現(xiàn)更緊密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，從而減小芯片面積。SPAD 是許多新興應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，包括自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)、3D 成像、AR/VR 系統(tǒng)的深度感知、量子通信和生物醫(yī)學(xué)傳感。X-FAB 已經(jīng)在其 180nm XH018 平臺(tái)上提供多個(gè) SPAD 器件，其有效面積從 10 μm 到 20 μm 不等。這包括一個(gè)近紅
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三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評(píng)估，傳輸帶寬達(dá)24Gbpsv

據(jù)韓媒etnews于6月18日?qǐng)?bào)道，三星電子近期在高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評(píng)估，傳輸帶寬達(dá)到24Gbps。這一成果標(biāo)志著三星在芯粒互聯(lián)技術(shù)上的顯著進(jìn)展。UCIe（統(tǒng)一芯粒互聯(lián)接口）是一種通用的芯粒互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)，能夠?qū)崿F(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺(tái)。三星早在去年就對(duì)其工藝進(jìn)行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運(yùn)行，表明其技術(shù)已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進(jìn)的能力。
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臺(tái)積電美國廠首批4nm晶圓送往臺(tái)灣封裝

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋果、英偉達(dá)（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達(dá)到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國臺(tái)灣進(jìn)行封裝。這批在臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達(dá)Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺(tái)積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國臺(tái)灣的臺(tái)積電的先進(jìn)封裝廠利用CoWoS技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)封裝。雖然臺(tái)積電也計(jì)劃在美國建設(shè)兩座先進(jìn)封裝廠，但是目
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聚合物波導(dǎo)提高了 CPO 共封裝光學(xué)

日本的研究人員開發(fā)了一種聚合物波導(dǎo)，其性能與現(xiàn)有復(fù)雜芯片封裝中的共封裝光學(xué)（CPO）方法相似。這可以降低將光學(xué)連接添加到芯片封裝中的成本，以減少功耗并提高數(shù)據(jù)速率。CPO 系統(tǒng)需要激光源才能運(yùn)行，該激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。雖然集成激光源允許更多連接，但確保一致性可靠性可能具有挑戰(zhàn)性，這可能影響整體系統(tǒng)魯棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系統(tǒng)可靠性。由日本國立先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所的 Satoshi Suda 博士領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)測(cè)試了在玻璃
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臺(tái)積電可能對(duì)1.6nm工藝晶圓漲價(jià)5成

隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在今年晚些時(shí)候開始采用其 N2（2nm 級(jí)）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價(jià)以及后續(xù)節(jié)點(diǎn)定價(jià)的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達(dá) 2 美元的費(fèi)用，但現(xiàn)在《中國時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，該公司將對(duì)“更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)”收取每片晶圓高達(dá) 45,000 美元的費(fèi)用，據(jù)稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級(jí)）節(jié)點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺(tái)積電的 2nm 芯片晶圓代工價(jià)格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據(jù)傳 [更多] 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)將達(dá)到 45,000
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臺(tái)積電重申1.4nm級(jí)工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV

臺(tái)積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上重申了其對(duì)下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場(chǎng)。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級(jí)）和 A14（1.4 納米級(jí)）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會(huì)為這些節(jié)點(diǎn)采用 High-NA EUV 工具。“當(dāng)臺(tái)積電使用 High-NA 時(shí)，人們似乎總是很感興趣，我認(rèn)為我們的答案非常簡單，”副聯(lián)席首席運(yùn)營官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在活動(dòng)中說。“每當(dāng)我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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芯片的先進(jìn)封裝會(huì)發(fā)展到4D？

電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級(jí)集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對(duì)于封裝內(nèi)的集成，情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類的兩個(gè)重要依據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節(jié)點(diǎn)即將推出

4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動(dòng)中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項(xiàng)目上的進(jìn)展。陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點(diǎn)（1.4nm 等效）的主要客戶進(jìn)行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的后續(xù)一代。英特爾已有幾個(gè)客戶計(jì)劃流片 14A 測(cè)試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強(qiáng)版的背面電源傳輸技術(shù)，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)今年晚
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