12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發和量產事宜建立戰略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發技術與臺積電業界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
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在2nm工藝制程的決戰上，臺積電又一次跑到了前面。12月6日，據中國臺灣媒體《經濟日報》報道，臺積電已在新竹縣的寶山工廠完成2nm制程晶圓的試生產工作。 據悉，此次試生產的良品率高達60%，大幅超越了公司內部的預期目標。值得一提的是，按照臺積電董事長魏哲家曾在三季度法說會上的表態，2nm制程的市場需求巨大，客戶訂單未來可能會多于3nm制程。從目前已知信息來看，臺積電已經規劃了新竹、高雄兩地的至少四座工廠用于2nm制程的生產，在滿產狀態下，四座工廠在2026年年初的2nm總產能將達12萬片晶圓。在三星工藝開
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12 月 9 日消息，在半導體行業中，“良率”（Yield）是一個關鍵指標，指的是從一片硅晶圓中切割出的可用芯片通過質量檢測的比例。如果晶圓廠的良率較低，制造相同數量的芯片就需要更多的晶圓，這會推高成本、降低利潤率，并可能導致供應短缺。據外媒 phonearena 透露，臺積電計劃明年開始量產 2 納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺積電工廠進行試產，結果顯示其 2nm 制程的良率已達到 60% 以上。這一數據還有較大提升空間，外媒稱，通常相應芯片良率需要達到 70% 或更高才能進入大規模量產階段。以目前
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英特爾日前在官網公告，執行長季辛格（Pat Gelsinger）已在12月1日正式退休，外界好奇英特爾新執行長誰接任，根據美國財經報導，臺積電、超威、英偉達等是英特爾最明顯的人才庫。報導指出，臺積電為蘋果、超威、英偉達等公司生產最先進芯片，臺積電制造能力遠超越英特爾，臺積電大將包括資深副總裁張曉強、資深副總經理暨共同營運長侯永清，亞利桑那廠執行長王英郎都是不錯人選。報導認為，超威執行長蘇姿豐不大可能接手英特爾，目前超威市值是英特爾逾兩倍，挖角蘇姿豐十分困難。跟英偉達挖人才也不容易，因為黃仁勛創造出摒棄傳統
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臺積電將于明年下半年開始量產其2nm（N2）制程工藝，目前臺積電正在盡最大努力完善該技術，以降低可變性和缺陷密度，從而提高良率。一位臺積電員工最近對外透露，該團隊已成功將N2測試芯片的良率提高了6%，為公司客戶“節省了數十億美元”。這位自稱 Kim 博士的臺積電員工沒有透露該代工廠是否提高了 SRAM 測試芯片或邏輯測試芯片的良率。需要指出的是，臺積電在今年1月份才開始提供 2nm 技術的穿梭測試晶圓服務，因此其不太可能提高之前最終將以 2nm 制造的實際芯片原型的良率，所以應該是指目前最新的2nm技術的
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財聯社12月6日訊（編輯 夏軍雄）據媒體援引消息人士報道，臺積電正與英偉達洽談，計劃在其位于美國亞利桑那州的新工廠生產Blackwell人工智能（AI）芯片。作為全球最大的芯片制造商，臺積電計劃在美國亞利桑那州建立三座芯片工廠，該公司將獲得美國政府通過《芯片法案》提供的支持。美國政府上月宣布，將為臺積電提供最多66億美元補貼，外加最高可達50億美元的低息政府貸款，以及附帶條件的稅收優惠政策。第一座工廠將于2025年上半年開始投產，該工廠采用4納米制程技術。第二座工廠采用最先進的2納米制程技術，其投產時間預
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The Elec一份新的韓語報道稱，隨著臺積電開始為未來的設備生產開發下一代處理器，蘋果已向臺積電訂購了M5芯片。M5系列預計將采用增強的ARM架構，據報道將使用臺積電先進的3納米工藝技術制造。蘋果決定放棄臺積電更先進的2納米，據信主要是出于成本考慮。盡管如此，M5將比M4有顯著的進步，特別是通過采用臺積電的集成芯片系統(SOIC)技術。與傳統的2D設計相比，這種3D芯片堆疊方法增強了散熱管理并減少了漏電。據稱，蘋果擴大了與臺積電在下一代混合SOIC封裝方面的合作，該封裝也結合了熱塑性碳纖維復合材料成型技
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據媒體報道，日前，臺積電11月歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術，該技術將提供高達9個掩模尺寸的中介層尺寸和12個HBM4內存堆棧，推測它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計算）芯片設計人員能夠構建手掌大小的處理器。報道稱，完全希望采用臺積電先進封裝方法的公司也能使用其系統級集成芯片（SoIC）先進封裝技術垂直堆疊其邏輯，以進一步提高晶體管
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11月28日消息，據報道，臺積電（TSMC）在其歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上宣布，正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術進行認證。此項革新性技術核心亮點在于，它能夠支持多達9個光罩尺寸（Reticle Size）的中介層集成，并配備12個高性能的HBM4內存堆棧，專為滿足最嚴苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封裝技術的實現之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個光罩尺寸的配置，也需仰賴超過100
x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標準尺寸的上限（102 x
165m
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【環球時報特約記者 陳立非】美國當選總統特朗普即將上任，外界關注美國可能要求臺積電加速將2納米以下先進制程在美落地生產。臺積電前董事長劉德音首次稱，如果臺積電最先進的技術到美國生產，可能會賠上幾百億美元，引發島內高度關注。首次提出相關說法據臺灣《經濟日報》報道，“特朗普2.0時代”即將來臨，臺灣工商協進會理事長吳東亮26日在一場活動上稱，“臺積電去投資更是重要，這也凸顯一件事情，就是臺積電跟美國的科技產業絕對是合作，不是惡性競爭”。他認為，臺積電沒有搶美國生意，因為半導體設計還是以美國為主，臺積電只做制造
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臺積電表示，先進工藝的開發正按路線圖推進，未來幾年基本保持不變。
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11月27日消息，據國外媒體報道稱，在美國的要求下，臺積電從本月11日開始停止向中國大陸客戶供應7納米及更先進工藝的AI芯片。這一出口限制措施主要針對用于人工智能加速器以及圖形處理單元（GPU）的芯片。報道稱，美商務部的這封信函允許美國繞過相關規則制定過程，迅速對特定公司實施新的許可要求。幾周前，臺積電通知美國商務部，其產品被發現安裝在大陸一家廠商的產品中，這可能違反了美國對該廠商的出口限制措施。對此，相關專家表示，該事件反映了臺積電在與大陸有關的運營決策上，仍然沒有獨立決策能力。隨著臺積電在美國建廠，其
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在歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上，臺積電表示電子設計自動化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強型N2P/N2X制程技術做好準備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經通過N2P工藝開發套件（PDK）版本0.9的認證，該版本PDK被認為足夠成熟。這意味著各種芯片設計廠商現在可以基于臺積電第二代2nm制程節點開發芯片。據悉，臺積電計劃在2025年末開始大規模量產N2工藝，同時A16工藝計劃在2026年末開始投產。臺積電N2系
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近日，臺積電（TSMC）在其歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上宣布，準備在2025年末開始大規模量產N2工藝，同時A16（1.6nm級）工藝技術的首批芯片計劃在2026年末開始投產。臺積電表示，目前先進工藝的開發正在按路線圖推進，預計未來幾年基本保持不變。據悉，A16將結合臺積電的超級電軌（Super Power Rail）架構，也就是背部供電技術。可以在正面釋放出更多的布局空間，提升邏輯密度和效能，適用于具有復雜訊號及密集供電網絡的高性能計算（HPC）產品。相比于N2P工藝，A16在相同工作電壓下速度快了
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據臺媒報道，日前，臺積電傳出已在南科圈地30公頃，首度打造“先進供應鏈專區”，而并非為了增建新廠。消息稱，該專區將以先進封裝為主，全力支持未來嘉義廠（AP7）與臺南廠（AP8）的CoWoS/SoIC產能。臺積電曾表示，其CoWoS是AI革命的關鍵推動技術，讓客戶能夠在單一中介層上并排放置更多的處理器核心及HBM。同時SoIC也成為3D芯片堆疊的領先解決方案，客戶愈發趨向采用CoWoS搭配SoIC及其他元件的做法，以實現最終的系統級封裝（System in Package; SiP）整合。臺積電董事長魏哲家
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