據韓媒ETNews報道，三星電子設備解決方案（DS）事業部正計劃重啟下一代半導體技術的研發與設施投資，重點布局下一代NAND閃存、化合物半導體以及先進封裝和基板三大領域。這標志著三星在存儲業務逐步穩定后，開始加速中長期技術的戰略部署。

此前，三星因集中資源修復DRAM和HBM業務的競爭力，暫緩了部分新業務的推進。隨著2024年下半年存儲市場需求回暖，DRAM良率和HBM產能利用率顯著提升，存儲業務重回正軌，為新技術研發騰出了資源。

在下一代NAND閃存領域，三星正全力推進V10 NAND的研發，目標是將堆疊層數提升至400層以上，較目前量產的286層V9 NAND實現顯著突破。這一技術將大幅提升單晶圓存儲容量，滿足AI時代對高密度存儲的需求。自2024年4月V9 NAND的TLC版本量產后，三星的閃存技術迭代一度停滯，此次重啟研發將重新確立其技術領先地位。

化合物半導體方面，三星正加速推進氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）產線的建設。其中，8英寸GaN產線計劃于2026年第二季度投產，而SiC產線則預計在2028年實現量產。目前，三星已啟動供應鏈搭建和設備采購，計劃投入1000億至2000億韓元采購MOCVD等關鍵設備，以搶占新能源汽車和儲能市場的功率半導體機遇。

此外，三星還將重點發展先進封裝及基板業務，同步推進封裝技術研發和配套基板產能規劃，以滿足HBM與邏輯芯片整合的需求，進一步鞏固其在AI芯片封裝領域的競爭優勢。