在 AI 與邊緣計算需求激增的背景下，內存標準正快速演進。JEDEC 固態技術協會近期公布，正為JESD209?6 LPDDR6標準下一版規劃新增特性，并確認基于 LPDDR6 的SOCAMM2（片上系統先進內存模塊）規范正在開發中。 

一、LPDDR6 標準重點升級

JEDEC 表示，新版 LPDDR6 將引入更窄的單裸片接口，在非二進制架構下新增x12、x6 子通道模式（位寬從 x16 擴展至 x24），可提升單封裝裸片數量、顯著增加單通道容量，以滿足 AI 級內存需求。

標準還將加入靈活元數據劃分機制，在保持峰值帶寬的同時，讓數據中心運營商在可用容量與可靠性之間取得平衡。

同時，LPDDR6 有望將內存密度提升至512GB，超越現有 LPDDR5/5X 上限，更好匹配 AI 訓練與推理負載的增長需求。 

二、面向 AI 的 SOCAMM2 標準同步推進

隨著英偉達在 Vera Rubin 平臺加快采用 SOCAMM2，JEDEC 正開發基于 LPDDR6 的 SOCAMM2 模塊標準，延續緊湊、易維護的形態，并為現有 LPDDR5X SOCAMM2 模塊提供清晰升級路徑。

此外，JEDEC 即將完成 LPDDR6 內存內計算（PIM） 標準制定，將計算功能直接集成到內存中，減少內存與處理器間的數據搬運，提升邊緣與數據中心推理性能及能效。 

三、三星、SK 海力士 LPDDR6 進展

三星

• 已完成 LPDDR6 開發，計劃2026 年下半年量產上市

• 采用 12nm 工藝，初始速率最高10.7Gbps，能效較 LPDDR5 提升 21%

• 后續版本速率有望突破14.4Gbps

• 已向高通送樣 LPDDR6X，用于下一代 “AI250” AI 加速器

SK 海力士

• 2026 年 3 月宣布采用1c 工藝成功開發 LPDDR6，速率達10.7Gbps

• 目標2026 年上半年具備量產條件，下半年出貨

• 較 LPDDR5X 數據處理性能提升約33%，功耗降低20% 以上，得益于子通道架構與 DVFS 技術