900微米 文章 最新資訊
傳 JEDEC擬將HBM高度標準放寬至約900微米，或延緩混合鍵合普及
- 據(jù)《朝鮮日報》消息，JEDEC（電子器件工程聯(lián)合委員會）正考慮放寬下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）標準，計劃將 HBM 高度規(guī)格上調(diào)至約 900 微米（μm）。Newsis 報道稱，新標準預(yù)計從第七代 HBM4E開始實施。作為參考：第五代 HBM3E 高度約720μm，第六代 HBM4 約775μm，本次放寬幅度顯著。Newsis 援引行業(yè)觀察人士觀點：放寬標準有助于緩解存儲廠商的生產(chǎn)瓶頸，支持下一代產(chǎn)品更快量產(chǎn)；可降低對超薄 DRAM 晶圓加工的需求，同時簡化堆疊過程中的缺陷管控。標準放寬或重塑混合鍵合普及節(jié)
- 關(guān)鍵字： JEDEC HBM 900微米 混合鍵合
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