據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》消息，JEDEC（電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)）正考慮放寬下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）標(biāo)準(zhǔn)，計(jì)劃將 HBM 高度規(guī)格上調(diào)至約 900 微米（μm）。

Newsis 報(bào)道稱，新標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)從第七代 HBM4E開(kāi)始實(shí)施。作為參考：第五代 HBM3E 高度約720μm，第六代 HBM4 約775μm，本次放寬幅度顯著。

Newsis 援引行業(yè)觀察人士觀點(diǎn)：放寬標(biāo)準(zhǔn)有助于緩解存儲(chǔ)廠商的生產(chǎn)瓶頸，支持下一代產(chǎn)品更快量產(chǎn)；可降低對(duì)超薄 DRAM 晶圓加工的需求，同時(shí)簡(jiǎn)化堆疊過(guò)程中的缺陷管控。

標(biāo)準(zhǔn)放寬或重塑混合鍵合普及節(jié)奏與競(jìng)爭(zhēng)格局

高度標(biāo)準(zhǔn)大幅放寬，可能延緩混合鍵合設(shè)備的導(dǎo)入速度?！冻r日?qǐng)?bào)》指出，規(guī)格放寬后，現(xiàn)有 ** 熱壓鍵合機(jī)（TC Bonder）** 仍可支持更高層數(shù)堆疊，主流 TC 鍵合設(shè)備供應(yīng)商韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductor）有望維持領(lǐng)先地位。

報(bào)道稱，HBM 向最高 20 層堆疊演進(jìn)時(shí)，需要更薄的 DRAM，逼近工藝極限；混合鍵合設(shè)備是解決方案之一。傳統(tǒng)熱壓鍵合通過(guò)微凸點(diǎn)連接層間，而混合鍵合可實(shí)現(xiàn)無(wú)凸點(diǎn)直接芯片對(duì)芯片鍵合，縮小間距，讓相同高度內(nèi)可堆疊更多 DRAM 層。

目前混合鍵合市場(chǎng)由荷蘭BESI主導(dǎo)。韓國(guó)方面，New Tomato 消息稱，韓華 Semitech 計(jì)劃今年上半年向客戶供應(yīng)第二代混合鍵合設(shè)備，用于性能驗(yàn)證。

混合鍵合普及仍取決于技術(shù)成熟度與客戶需求

《朝鮮日?qǐng)?bào)》同時(shí)提到，行業(yè)共識(shí)是混合鍵合最終仍不可避免。SK 海力士封裝開(kāi)發(fā)副總裁 Lee Kang?wook 表示，20 層及以上 HBM 堆疊必須采用混合鍵合。報(bào)道補(bǔ)充，三星近期在 NVIDIA GTC 2026 展示其混合鍵合技術(shù)，稱相比 TC 鍵合熱阻改善超 20%，可支持16 層以上堆疊。

同時(shí)，關(guān)鍵導(dǎo)入因素在于大客戶英偉達(dá)—— 三星、SK 海力士均按其性能要求開(kāi)發(fā)與供貨 HBM。

另?yè)?jù) The Elec 消息，三星已開(kāi)始導(dǎo)入混合鍵合新型檢測(cè)設(shè)備，正與多家供應(yīng)商探討采用并聯(lián)合開(kāi)發(fā)，使用超聲、X 光無(wú)損檢測(cè)技術(shù)，偵測(cè)混合鍵合界面的空洞等微缺陷；美國(guó)Onto Innovation為頭部廠商之一，已與三星開(kāi)展聯(lián)合開(kāi)發(fā)項(xiàng)目（JDP），并向量產(chǎn)線供貨設(shè)備。