SK 海力士宣布，已成功開發基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預計今年上半年完成量產準備，并于下半年開始供貨。

LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一種主要應用于智能手機與平板等行動裝置的低功耗 DRAM 標準，通過低電壓運作降低能源消耗。

SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要鎖定 On-device AI 應用，例如智能手機、平板電腦等終端設備。與通過云端伺服器運算的 AI 不同，On-device AI 可直接在裝置端完成資料處理，提升反應速度并提供更個人化的 AI 服務。

在效能方面，該產品通過擴大頻寬與提升單位時間資料傳輸量，使資料處理速度較前一代 LPDDR5X 提升約 33%，基礎運作速度超過 10.7Gbps。在功耗方面，通過導入 Sub-channel 子通道架構與 DVFS（Dynamic Voltage and Frequency Scaling）技術，功耗較前一代產品降低 20% 以上。

其中，Sub-channel 架構可僅啟用必要的資料通道，而 DVFS 技術則能依據晶片運作環境動態調整電壓與頻率，在高負載情境下提供最大頻寬，在一般使用時則降低功耗。SK 海力士指出，相關設計有助于延長行動裝置電池續航時間，同時提升多工處理效能。

SK 海力士：內存上行周期預計將比預期更長

據追風交易臺，摩根大通于 2026 年 3 月 8 日發布研報，記錄了 SK 海力士管理層在摩根大通韓國大會上的核心表態。摩根大通維持對 SK 海力士的增持評級，目標價為 125 萬韓元，較當前股價（92.6 萬韓元）隱含約 35% 的上行空間。

對投資者而言，本次大會傳遞出以下幾個關鍵信號：

內存上行周期持續時間將超出市場預期，供需缺口在 DRAM 和 NAND 兩端均十分嚴峻；

HBM 業務保持強勁領導地位，HBM4 量產時間表未變，盈利能力目標維持與去年持平；

龍頭廠商戰略重心轉向"工廠優先"，約 22 萬億韓元的基礎設施資本開支計劃彰顯長期擴產決心；

股東回報力度加大，公司已于 2026 年 1 月宣布 1 萬億韓元特別股息及庫存股注銷計劃，釋放積極信號。

上行周期持續時間將超預期

SK 海力士管理層在大會上系統闡述了內存上行周期有望延續更長時間的多重驅動因素：

定制化內存解決方案的崛起：以 HBM（高帶寬內存）為代表的定制化產品正在重塑內存市場格局；HBM 帶來的晶圓與供給經濟學變化：由于"晶圓到芯片損耗"（wafer-to-die penalty）概念的存在，HBM 消耗了更大比例的產能。

AI 推理需求向傳統 DRAM/NAND 延伸：AI 應用場景的擴展正在將內存需求從高端 HBM 向常規 DRAM 和 NAND 拓展。

在供需層面，管理層明確表示，DRAM 和 NAND 兩端均面臨嚴重的供需缺口，價格上漲趨勢預計在可預見的未來將持續。目前供應商及渠道客戶的庫存均低于平均水平，出貨量比特增長與產量比特增長基本持平。

本次大會上，投資者對長期供貨協議（LTA）及周期持續性表現出濃厚興趣。管理層將當前內存行業定性為商業模式轉型階段，并將維持內存上行周期視為首要戰略優先級。

在 LTA 框架方面，管理層強調：更具約束力的雙邊協議對于提升收入和現金流可見性至關重要；關鍵考量因素包括鎖定供貨量以及價格區間，以確保供貨合同的可預期性；LTA 通常為多年期協議（超過三年）；

摩根大通判斷，SK 海力士正采取更為均衡的 LTA 策略，在 B2B 與 B2C 客戶結構之間尋求平衡，同時保持相對保守的定價策略。

SK 海力士重申了今年整體 HBM 業務計劃，HBM4 量產爬坡時間表保持不變（摩根大通預計 HBM4 比特出貨量將在 2026 年第三季度實現交叉）。

公司對維持 HBM 業務領導地位展現出強烈信心，主要依托：與生態系統合作伙伴的深度協作，包括與一家領先晶圓代工廠商在邏輯芯片設計與制造方面的合作；清晰的技術路線圖可見性。

在定價方面，SK 海力士重申 HBM 比特出貨量和定價均按年度談判，目標是維持與去年相近的盈利水平。盡管 D5/LPD5 價格自 2025 年第四季度以來出現大幅反彈，公司認為 2026 年合同量幾乎不存在重新議價的可能性。