海力士宣布成功研發(fā)首款 LPDDR6 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，超性能版LPDDR6內(nèi)存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達(dá) 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內(nèi)存架構(gòu)一旦落地于 SOCAMM 模組，或?qū)⒊蔀閿?shù)據(jù)中心市場的一大助力。這家存儲芯片廠商同時透露，此款 LPDDR6 內(nèi)存基于其 2024 年發(fā)布的領(lǐng)先 10nm 級（1c）工藝節(jié)點打造。

新款 LPDDR6 內(nèi)存芯片基礎(chǔ)運行速率超 10.7Gbps，遠(yuǎn)超目前市場上性能最強(qiáng)的在售 LPDDR5X 內(nèi)存模組，單芯片容量達(dá) 16Gb。為優(yōu)化功耗表現(xiàn)，海力士采用了全新的子通道架構(gòu)，并搭載動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)技術(shù)（DVFS），官方稱相較上一代 LPDDR 內(nèi)存產(chǎn)品，功耗降低超 20%。其中，子通道架構(gòu)僅為正在工作的數(shù)據(jù)通路供電，以此實現(xiàn)功耗削減；動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)技術(shù)則會在內(nèi)存負(fù)載較低時，降低時鐘頻率與電壓。

去年 7 月固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC）正式敲定并發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，時隔 8 個月，海力士便推出了自家的 LPDDR6 產(chǎn)品。不過海力士并非首家研發(fā)出 LPDDR6 的廠商，三星此前已發(fā)布首款 LPDDR6 產(chǎn)品，并在 2026 年國際消費電子展（CES）上進(jìn)行了展示，其產(chǎn)品速率同樣可達(dá) 10.7Gbps。

海力士已確認(rèn)，這款基于 1c 工藝的 LPDDR6 內(nèi)存將率先應(yīng)用于智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域，同時該產(chǎn)品也有望為數(shù)據(jù)中心市場帶來重大利好。LPDDR 系列內(nèi)存早已在搭載 SOCAMM/SOCAMM2 內(nèi)存模組的人工智能服務(wù)器中得到廣泛應(yīng)用，這類模組僅支持 LPDDR 內(nèi)存。例如，英偉達(dá)的 GB300 格雷斯?布萊克韋爾超級芯片便采用了 SOCAMM 模組，而英偉達(dá)最新的 Vera Rubin 超級芯片則搭載了 SOCAMM2 內(nèi)存模組。海力士去年底曾表示，預(yù)計英偉達(dá)繼 Vera Rubin 之后推出的人工智能芯片，也將采用 LPDDR6 內(nèi)存。

此次發(fā)布只是 LPDDR6 發(fā)展的開端，隨著存儲廠商不斷優(yōu)化和改進(jìn) LPDDR6 設(shè)計，遠(yuǎn)超 10.7Gbps 的運行速率或?qū)⒊蔀樾袠I(yè)常態(tài)。固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC）認(rèn)為，LPDDR6 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率有望達(dá)到 14400MT/s，這一數(shù)值遠(yuǎn)超目前 DDR5 內(nèi)存的最高超頻紀(jì)錄。