正當三星電子加速其泰勒工廠 2 納米工藝量產步伐之際，SK 海力士同步加大在美國的先進封裝布局。據《韓國經濟先驅報》報道，SK 海力士已正式破土動工，建設其在美國的首座半導體工廠 —— 印第安納州晶圓廠，這距離該公司 2024 年公布投資計劃約兩年，成為重要里程碑。

工廠規劃

• 投產時間：2028 年下半年全面投產

• 核心產品：下一代 AI 存儲芯片，主打HBM（高帶寬內存）

• 主力型號：HBM4E（第七代）、HBM5（第八代）

建設進度

SK 海力士于 4 月 17 日告知當地社區，已啟動地基打樁作業，為主體建筑施工做準備。打樁作業預計持續數月，最早2026 年下半年進入主體結構施工階段。

投資規模

• 美國印第安納州：投資約38.7 億美元（約 5.2 萬億韓元），打造 AI 存儲專用先進封裝基地

• 韓國本土清州：投資約19 萬億韓元，建設新一代先進封裝廠（P&T7），預計2027 年底完工，以應對 HBM 需求激增

DRAM 產能同步擴張

1. 清州 M15X 廠：第四階段潔凈室于 3 月啟用后，將啟動設備安裝

2. 龍仁半導體集群首座晶圓廠：潔凈室預計2027 年 2 月完工，進一步提升整體產能

先進設備投入

據《韓國先驅報》報道，SK 海力士計劃在關鍵產線部署約20 臺ASML 極紫外（EUV）光刻設備，強化下一代 DRAM 制造工藝競爭力。