比利時微電子研究中心（imec）在其位于魯汶的 300 毫米超凈間內，完成了阿斯麥（ASML）EXE:5200 高數值孔徑（High NA）極紫外（EUV）光刻系統的裝機調試，這是半導體制造與研發領域的一項里程碑式突破。該系統實現了前所未有的光刻分辨率與工藝控制能力，為 2 納米以下邏輯芯片技術和下一代存儲器架構的研發奠定了基礎。這套高數值孔徑極紫外光刻平臺與頂尖的計量、圖形刻制設備及材料體系深度融合，有望大幅縮短技術研發周期，滿足人工智能和高性能計算應用對芯片制程微縮的需求。

高數值孔徑極紫外光刻技術將傳統極紫外光刻系統的數值孔徑從 0.33 提升至約 0.55，光學分辨率實現質的飛躍。這一改進使得芯片制造商可通過單次曝光刻制出更小的器件特征尺寸，減少對多重曝光技術的依賴 —— 而多重曝光會增加工藝復雜度、提升制造成本并引入更多工藝偏差。阿斯麥 EXE:5200 系統實現了更精細的節距分辨率和更高的套刻精度，助力半導體廠商將摩爾定律推進至埃米級制程時代。對于環柵納米片晶體管、互補式場效應晶體管等先進晶體管架構而言，層間對準公差要求極為嚴苛，因此更高的套刻精度顯得尤為關鍵。

EXE:5200 系統在產能和工藝穩定性上也實現了多項升級。重新設計的晶圓存儲裝置與優化的載物臺機械結構，降低了晶圓傳輸過程中的工藝偏差；改進的照明和投影光學系統，有效提升了線邊緣粗糙度和關鍵尺寸均勻性。這些性能提升是保障先進制程芯片良率的核心要素。該系統與先進計量設備的集成，實現了閉環工藝控制，讓光刻、刻蝕、檢測各工序間能快速反饋數據。這種一體化設計縮短了工藝研發周期，也讓比利時微電子研究中心及其合作方能夠在符合工業量產標準的尺度下，探索全新的圖形刻制策略。

比利時微電子研究中心的協同創新生態，是充分發揮高數值孔徑極紫外光刻技術價值的關鍵。該研究中心與芯片制造商、設備供應商、光刻膠廠商、掩模研發企業及計量領域專家展開深度合作，實現了光刻工藝、光刻膠化學配方、掩模設計與刻蝕工藝集成的協同優化。例如，光刻膠材料需經過特殊設計，在高數值孔徑曝光條件下平衡感光度、分辨率和線邊緣粗糙度三大指標；同時，更高的數值孔徑會讓掩模的三維效應更加顯著，這就需要借助先進的計算光刻技術和掩模校正技術來解決。通過向行業合作方開放 EXE:5200 系統的早期試用權限，比利時微電子研究中心推動各方協同攻克上述技術難題，加速技術的產業化落地。

高數值孔徑極紫外光刻技術的落地，對人工智能和高性能計算負載下的器件微縮也具有重要意義。隨著晶體管集成密度的提升，電源效率和性能的優化成為支撐大規模神經網絡、數據中心加速等計算密集型應用的核心需求。高數值孔徑極紫外光刻賦能的 2 納米以下制程技術，可提升晶體管開關速度、降低漏電流并實現更高的互連密度。這些技術突破有助于打造更高效的計算架構，降低先進處理器的時延并提升能效。此外，該技術還能推動動態隨機存取存儲器及新型存儲架構等先進存儲技術的制程微縮，而這對高帶寬需求的人工智能系統而言至關重要。

EXE:5200 系統的裝機，也對區域半導體研發的領先地位具有重要戰略意義。作為阿斯麥、歐洲相關科研計劃及各國政府深度合作的成果，該系統鞏固了歐洲在先進半導體研發領域的地位，成為比利時微電子研究中心中試線基礎設施的核心組成部分，助力開展符合工業標準的實驗研究和技術轉化。阿斯麥與比利時微電子研究中心在費爾德霍芬共建的高數值孔徑極紫外光刻聯合實驗室將持續運營，確保 2026 年第四季度完成系統認證前的各項研究工作穩步推進。

總結

阿斯麥 EXE:5200 高數值孔徑極紫外光刻系統的落地，是半導體制程微縮進程中的關鍵里程碑。該平臺融合了更高的光學分辨率、更精準的套刻控制、更高的生產效率和生態協同創新優勢，為埃米級器件架構的研發提供了可能。這一技術突破不僅支撐邏輯和存儲芯片技術的持續創新，加速人工智能和高性能計算市場的技術研發，還進一步鞏固了下一代半導體制造所需的協同研究體系。