IBM 與泛林集團（Lam Research）宣布達成一項為期五年的合作，計劃借助高數值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻技術與泛林集團的 Aether 干法光刻膠技術，研發面向 1 納米以下制程邏輯芯片所需的材料與制造工藝。相關研發工作將在 IBM 研究中心位于紐約州奧爾巴尼市 “紐約創新聯盟奧爾巴尼納米技術園區” 的設施內開展。

兩家公司已擁有超過十年的合作歷史，曾聯合推動 7 納米制程研發、納米片晶體管架構創新及早期極紫外光刻工藝集成 —— 作為長期合作的重要成果，IBM 于 2021 年推出了號稱全球首款 2 納米制程芯片。根據新協議，雙方合作重點將轉向驗證納米片、納米堆疊（nanostack）器件架構及背側供電技術的完整工藝流程，所采用的核心設備與技術包括泛林集團的 Kiyo 和 Akara 刻蝕平臺、Striker 與 ALTUS Halo 沉積系統，以及 Aether 干法光刻膠。

傳統極紫外光刻依賴化學放大光刻膠，這類濕法工藝材料難以滿足高數值孔徑極紫外光刻機對精度公差的嚴苛要求。而泛林集團的 Aether 技術屬于干法光刻膠，通過氣相前驅體沉積而非旋涂方式制備，并采用基于等離子體的干法工藝進行顯影。

Aether 的金屬有機化合物對極紫外光的吸收率是傳統碳基光刻膠材料的 3-5 倍，這不僅能降低每片晶圓的曝光劑量需求，還能在先進制程節點實現單次圖形曝光，無需采用成本更高的多重曝光技術。今年 1 月，泛林集團曾宣布，Aether 技術已被一家領先的存儲制造商選定為其最先進 DRAM 制程的量產核心工具，不過并未披露該制造商的具體名稱。

根據聯合聲明，此次合作旨在實現高數值孔徑極紫外圖形向實際器件層的高良率可靠轉移，并加速行業將高數值孔徑極紫外技術應用于下一代互連與器件圖形化工藝。而在圖形轉移良率這一關鍵問題上，泛林集團的 Aether 干法光刻膠技術相比傳統濕法工藝具備顯著優勢 —— 曝光與刻蝕之間的工序更少，意味著在更小幾何尺寸下，圖形退化的可能性更低。

值得一提的是，納米片晶體管通過堆疊多層薄硅片，可在不擴大器件面積的前提下提升驅動電流。聯合聲明確認，雙方團隊將構建并驗證納米片、納米堆疊器件架構及背側供電技術的完整工藝流程；其中背側供電技術通過晶圓背面輸送電力，能釋放正面互連層資源，專門用于信號傳輸。

聲明中提到：“這些技術能力的結合，旨在實現高數值孔徑極紫外圖形向實際器件層的高良率可靠轉移，助力芯片制程持續微縮、性能提升，并為未來邏輯器件提供可行的量產路徑。”