Imec 已接收阿斯麥（ASML）EXE:5200 高數值孔徑極紫外光刻系統，這是目前全球最先進的光刻設備。該設備將讓Imec的合作伙伴提前接觸到下一代芯片微縮技術。

這套高數值孔徑極紫外光刻系統與一整套完整的圖形化、量檢測設備及材料直接集成，將助力 Imec 及其生態伙伴解鎖所需性能，率先開發2 納米以下邏輯芯片與高密度存儲技術，為先進人工智能與高性能計算的發展提供動力。

“過去兩年是高數值孔徑（0.55NA）極紫外光刻技術發展的重要篇章，Imec 與 ASML 攜手產業生態，在荷蘭費爾德霍芬的聯合高 NA EUV 光刻實驗室共同開創了高 NA 極紫外技術。”Imec 首席執行官盧克?范登霍夫表示，“隨著 EXE:5200 高 NA EUV 光刻系統在比利時魯汶的 300 毫米潔凈室完成安裝，我們致力于將這些高 NA 極紫外圖形化技術推向產業適用規模，并開發下一代高 NA 極紫外光刻應用場景。其無與倫比的分辨率、更優的套刻精度、高產能，以及全新的晶圓存儲單元（可提升工藝穩定性與產能），將為我們的合作伙伴在加速 2 納米以下芯片技術研發方面帶來決定性優勢。隨著產業進入埃米時代，高 NA 極紫外光刻將成為一項基石級能力，Imec 很榮幸能夠率先引領，為合作伙伴提供最早、最全面的技術接入渠道。”

這一里程碑是 Imec 與 ASML 五年戰略合作的關鍵部分，該合作得到了歐盟（芯片聯合執行機構與歐洲共同利益重大項目 IPCEI）、比利時弗拉芒政府及荷蘭政府的支持。

范登霍夫補充道：“作為歐盟資助的 NanoIC 中試線的核心組成部分，該設備將在未來數十年鞏固歐洲在先進半導體研發領域的領先地位方面發揮關鍵作用。”

Imec 獲得全球最先進光刻設備

ASML EXE:5200 高 NA EUV 光刻系統入駐 Imec 潔凈室，穩固了 Imec 作為全球最完備先進圖形化研發平臺的地位。Imec 與頭部芯片制造商、設備、材料及光刻膠供應商、掩膜企業和量檢測專家深度生態協作，將加速技術迭代周期、提升工藝穩定性，開發并驗證面向下一代邏輯與存儲器件的前沿圖形化技術，推動突破性創新，塑造未來先進計算與人工智能的發展格局。

ASML 首席執行官克里斯托夫?福凱表示：“Imec 完成 EXE:5200 裝機，標志著產業向埃米時代邁出重要一步。我們將共同拓展高 NA 極紫外光刻技術，服務于下一代先進存儲與計算芯片。”

Imec 預計 EXE:5200 高 NA EUV 光刻系統將于2026 年第四季度全面通過驗證。與此同時，ASML 與 Imec 在荷蘭費爾德霍芬運營的聯合高 NA EUV 光刻實驗室將繼續運行，保障 Imec 及其生態伙伴的高 NA 極紫外研發工作持續推進。