SemiQ 推出面向數據中心制冷與工業驅動的半橋系列產品，集成 1mΩ 導通電阻 SiC MOSFET 與并聯碳化硅二極管，實現高功率轉換效率。來源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司開發的 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊，主要面向數據中心制冷系統中的電機驅動、儲能系統電網變流器以及工業驅動設備。該系列共六款產品，其中兩款的導通電阻 RDS (on) 僅 1mΩ，在 62mm×152mm 封裝內實現 240W/in3 的功率密度。QSiC
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SiC AI數據中心 液冷
SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSFET的并聯應用的場景越來越普遍。不管是SiC MOSFET還是IGBT,并聯的目標都是實現電流的均勻分布,且消除芯片間的振蕩。為了達到這一目標,我們需要做到三點:1.并聯芯片參數盡可能一致2.功率回路、驅動回路與散熱結構布局一致3.門極驅動電路的優化設計作為高速開關器件,SiC MOSFE
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英飛凌 SiC MOSFET 并聯設計
對于我國的電力電子界來說,固態變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網合環運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經的商業化之路面對的挑戰大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統概念的普及,和未來智能電網的電力潮流雙向流動,讓SST的商業價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW級機架演進,傳統數據中心供電架構已經不堪重負,難以承載極端功率密度與能效要求。智算中心正從“算力堆砌”邁入“算電協同”的關鍵階段。在這一背景下,SST
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英飛凌 溝槽柵 SiC MOSFET SST高頻高壓
碳化硅(SiC)憑借其優異的材料特性,在服務器、工業電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構電源設計邏輯出發,剖析其在工業與服務器電源場景的應用價值。我們已經介紹了碳化硅如何革新電源設計、工業與服務器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的動態特性、SiC Combo JFET的應用靈活性。本文將介紹利用 SiC CJFET替代超結 MOSFET以及開關電源應用。1、利用 SiC CJFET替代
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安森美 碳化硅 SiC CJFET，MOSFET
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型航天級表面貼裝共模扼流圈---SGCM05339，適用于嚴苛航空航天應用電磁干擾（EMI）濾波和噪聲抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC開關應用的理想選擇，這類應用的波形會出現銳邊，導致電磁輻射干擾。共模扼流圈還可用于低電流立式電源、分布式電源系統DC/DC轉換器，以及太陽能電池
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Vishay GaN SiC 開關 EMI濾波 航天級 共模扼流圈
在設計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復雜了。因為在相同的電流等級下，SiC MOSFET的短路耐受時間通常比IGBT小很多。這主要是因為SiC MOSFET的芯片尺寸比傳統的硅基器件小很多，同時非常薄的外延層使得發熱位置更加集中（詳細原因闡述見談談SiC MOSFET的短路能力）。這給短路保護設計帶來了巨大的挑戰，即使是微小的系統設計差異也會顯著影響S
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英飛凌 SiC MOSFET 短路行為
在新能源革命與工業數字化的浪潮中，功率半導體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉換系統的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領域的技術積淀，推出了CoolSiC? MOSFET G2系列產品，以全方位的性能突破，重新定義了SiC MOSFET的行業標準，為光伏、儲能、電動汽車充電等關鍵領域注入強勁動力。相比于G1單管器件僅有650V/1200V兩檔電壓等級，G2系列電壓等級更加全面，涵蓋400V/650V/750V/1200V/1400V，以及豐富多樣的封裝形式
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英飛凌 SiC MOSFET
很多人想不明白為何美國以軍事用途為由列舉出海量的半導體禁運名單中，其中絕大部分并不是最先進的處理器，而是很多看似工藝并不先進的模擬類芯片。半導體作為現代信息技術的基石，其技術迭代直接推動國防裝備的性能躍升。從第一代硅（Si）半導體到第二代砷化鎵（GaAs）半導體，再到以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體，每一次材料體系的革新，都為國防軍事裝備帶來革命性變化。與前兩代半導體相比，第三代半導體具備高飽和電子遷移速率、高擊穿電壓、高熱導率、抗輻射等核心優勢，完美適配高溫、高壓、高頻、大
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第三代半導體 SiC GaN 硅基芯片 202603
2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目標在于提升汽車、能源、工業及通信系統中高頻應用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS
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Vishay SOT-227 1200V SiC MOSFET 功率模塊
隨著AI數據中心向更高功率密度和更高效能源分配演進，高壓中間母線轉換器（HV IBC）正逐漸成為下一代云計算供電架構中的關鍵器件。本文針對橫向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJFET）三類寬禁帶功率器件，在近1 MHz高頻開關條件下用于高壓母線轉換器的性能展開對比分析。重點評估了導通損耗、開關特性、柵極電荷損耗及緩沖電路需求等關鍵指標。同時，本文亦探討了三種諧振轉換器拓撲——堆疊式LLC、單相LLC與三相LLC——對其系統效率與元件數量的影響。仿真結果表明，盡管三
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全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，在官網發布了搭載EcoSiC?品牌SiC塑封型模塊“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack?”的三相逆變器電路參考設計“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。設計者可利用此次發布的參考設計數據制作驅動電路板，與ROHM的SiC模塊組合使用，可縮減實際設備評估的設計周期。在以大功率工作的功率轉換電路中，SiC功率元器件雖有助于提高效率和可靠性，但外圍電路設計和熱設計所需的工時往往會增加。ROHM
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ROHM SiC 模塊 三相逆變器 參考設計
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模塊“TRCDRIVE pack?”、“HSDIP20”及“DOT-247”已開始網售。近年來，全球電力緊缺危機加劇，節能的重要性日益凸顯，這促使更多的應用產品通過采用SiC產品來實現高效率的功率轉換。這些產品通過Ameya360、Oneyac等電商平臺均可購買。詳見羅姆官方網站。樣品價格型號TRCDRIVE pack?75,000日元/個（不含稅）1200V? A type (Small) (BST400D12P4A101
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ROHM SiC塑封型模塊 SiC
2031 年，化合物半導體襯底與開放式外延片市場規模合計預計將接近 52 億美元，年復合增長率約為 14%。汽車電動化推動碳化硅（SiC）襯底市場發展，射頻領域仍由砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）主導，磷化銦（InP）助力光子學技術加速發展，發光二極管（LED）與微發光二極管（MicroLED）則依托氮化鎵、砷化鎵、藍寶石及硅基平臺發展。化合物半導體供應鏈正圍繞頭部企業整合：碳化硅晶圓領域有沃爾夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件領域為英飛凌科技（Infineon Tec
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化合物半導體 襯底 年復合增長率 碳化硅 SiC
英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業與能源系統設計的工程師而言，這一產品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當前柵極驅動器性能正不斷演
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