Vishay采用行業標準SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率
2026年3月17日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120,其目標在于提升汽車、能源、工業及通信系統中高頻應用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用了Vishay最新一代碳化硅(SiC)MOSFET,并且以行業標準的SOT-227形式進行封裝。
此次推出的每個功率模塊都采用單開關和低邊斬波器配置,內置的SiC MOSFET集成了軟體二極管,可實現低反向恢復特性。這種設計降低了開關損耗,提高了效率,可適用于太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電器、SMPS、直流/直流轉換器、不間斷電源(UPS)、暖通空調(HVAC)系統、大規模電池儲能系統以及通信電源設備等領域。
VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用緊湊型的SOT-227封裝,使得這些器件能夠作為現有設計中競品的“即插即用”型替代方案。這樣,設計人員無需對PCB布局進行更改,即可采用最新的SiC技術,從而節省成本。模壓封裝還可提供高達2500 V(一分鐘)的電氣絕緣,通過消除組件與散熱器之間對額外絕緣措施的需求,進一步降低了成本。
這些功率模塊提供50 A至200 A的連續漏極電流,導通電阻低至12.1 mW。這些器件符合RoHS標準,具備低電容高速開關特性,并可支持+175 °C的最高工作結溫。
器件規格表:
產品編號 | VDSS | ID | RDS(ON) | 配置 | 封裝 |
VS-SF50LA120 | 1200 V | 50 A | 43 mW | 低邊斬波器 | |
VS-SF50SA120 | 50 A | 47 mW | 單開關 | ||
VS-SF100SA120 | 100 A | 23 mW | 單開關 | ||
VS-SF150SA120 | 150 A | 16.8 mW | 單開關 | ||
VS-SF200SA120 | 200 A | 12.1 mW | 單開關 |
VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為13周。













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