引言電力電子領域正在飛速發展，MOSFET 晶體管始終處于創新前沿。隨著 2026 年臨近，這類器件在消費電子、工業系統等眾多應用中變得愈發不可或缺。2026 年全球半導體產業規模預計達到 5952 億美元，正反映出這一增長趨勢。在高效電源轉換與管理方案需求持續攀升的背景下，掌握 MOSFET 技術的最新趨勢與參數規格，對工程師和設計人員至關重要。本文深入解析 MOSFET 晶體管的關鍵參數、設計要點與應用場景，展望其在未來電力電子領域的核心作用。技術概述MOSFET（金屬?氧化物?半導體場效應晶體管）是
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電力電子 MOSFET 晶體管
增材制造（3D 打?。┑捏@人進步已耳熟能詳，它可以使用一長串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需復刻現有零件，另一些則是采用鍛造、機加工、注塑、鑄造、擠壓、化學蝕刻等任何標準制造工藝都無法生產的結構。麻省理工學院（MIT）的一組研究人員現已開發出一個多材料 3D 打印平臺，可一步到位完整打印出電氣設備（圖 1）。圖 1 本研究開發的多模式、多材料擠出系統集成工具：(a) E3D Hemera 絲材擠出機；(b) 帶定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 顆粒
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增材制造 3D 打印 電動機
近年來半導體行業發展迅猛，尤其是高性能計算、人工智能和先進汽車系統的需求持續攀升，傳統單裸片芯片設計已難以滿足當下的功耗、性能、面積（PPA）指標要求。為此，工程師們開始采用多裸片架構，將多個小尺寸裸片集成在單個封裝中。該架構雖提升了芯片的可擴展性與性能，卻也帶來了新的挑戰，其中互連規劃問題尤為突出。而實現不同裸片間的通信，凸點與硅通孔（TSV）的高效規劃，是多裸片集成過程中至關重要的環節。（圖 1：基于電子表格的凸點規劃示意圖）在多裸片設計中，芯片間的互連通過布置在裸片表面的微凸點或混合鍵合焊盤實現，這
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多裸片芯片 凸點 硅通孔 3D 堆疊芯片 新思科技 硅通孔
半導體行業材料工程領域的領軍企業應用材料公司今日推出全新的沉積、刻蝕及材料改性系統，大幅提升 2 納米及更先進制程前沿邏輯芯片的性能。該系列技術通過對電子領域最基礎的構建單元 —— 晶體管進行原子級優化，實現人工智能計算性能的飛躍。向全環繞柵晶體管的轉型是半導體行業的重要轉折點，也是打造更高性能人工智能芯片所需的高能效計算技術的核心支撐。隨著 2 納米級全環繞柵芯片于今年進入量產階段，應用材料公司推出多項材料創新技術，為埃米制程的下一代全環繞柵晶體管提供性能增強方案。這些新型芯片制造系統的協同作用，為全環
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應用材料 晶體管 布線創新技術 人工智能芯片
近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現場三期擴產與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
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動力強勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機、士兵的單兵背包、智能可穿戴設備，這些產品有著一個共同點：都需要電池供電。理想狀態下，電池能精準適配各類不規則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實現這一點。曾參與設計梅賽德斯 - AMG 馬石油車隊賽車、助力該車隊拿下七連冠的工程師 Gabe Elias，聯合創立了一家初創企業，推出電池 3D 打印技術 —— 可將電池直接打印在設備表面，填充各類設備和交通工具中的閑置空間。該公司近期與美國空軍簽下一份價值 125 萬美元、為期 18 個月的合同，旨
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CDimension最近發布了一項技術，使傳統半導體晶圓廠能夠使用超薄半導體材料制造垂直集成的極小、快速且高效的“二維”晶體管陣列。它有潛力改變數字和功率器件的可能性。據公司介紹，它已經幫助多家芯片制造商探索如何將技術應用于制造數字和模擬集成電路，這些集成電路能提供顯著更高的邏輯密度、運行速度和能效。CDimension還為開發者提供了資源，使他們最終能夠利用相同的工藝生產垂直集成芯片，將計算、內存和電源功能統一到單一高效設備中。BEOL工藝使原子薄膜能夠生長公司商業化產品的核心是一種專有的低溫后端（BE
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簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業不斷變化的需求而持續提供創新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車載信息娛樂系統的新型100V GaN晶體管，到面向未來車載充電器和牽引逆變器的高壓產品解決方案。 產品特色AEC-Q101 獲得資格100 V e模功率晶體管雙側冷卻封裝無反向回收裝藥超低功績 產品優點同級最佳功率密
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人工智能（AI）已成為當今半導體擴展的工作負載。無論是在超大規模數據中心訓練基礎模型，還是在網絡邊緣執行嚴格功耗范圍的推理，人工智能都依賴于單位面積內裝入更多晶體管，同時降低每次作的功耗。在半導體領域，更高的密度和效率等同于器件的擴展。通過平面互補金屬氧化物半導體（CMOS）器件進行傳統縮放，幾十年前就達到了物理和泄漏極限。隨后出現了FinFET，進一步擴展了摩爾定律，引入了鰭狀信道，提升了門控。但FinFETs也已達到極限。隨著門長接近個位數納米，靜電短通道效應和泄漏再次限制了縮放。簡單來說，FinFE
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借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術，科學家們開發出一種既能實現微觀細節又能實現高通量的新型3D打印技術。研究人員建議，他們的新技術有望實現復雜納米級結構的大規模生產。潛在應用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復雜微觀特征最精確的方法是雙光子光刻。該技術使用液態樹脂，只有當樹脂中的感光分子同時吸收兩個光子而非一個光子時才會凝固。 雙光子光刻技術使得體素——相當于像素的三維結構——體積僅幾十納米的器件成為可能。然而，雙光子光刻技術在大規模實際應用中被證明過于緩慢。這在很大程度上使其成為實驗
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Imec在本周的IEEE國際電子器件會議（IEDM 2025）上公布了二維材料晶體管集成的兩項關鍵進展，重點介紹了采用單層WSe?和與行業合作伙伴共同開發的新型晶圓廠兼容工藝模塊的創紀錄性能p型場效應晶體效應晶體管。這項工作進一步證明了二維材料可以將CMOS的尺度擴展到硅之外的論點。這一公告意義重大，因為它顯示了實現可制造2D-FET（可制造性場效應晶體管）的具體工藝層面進展——這一領域與未來的邏輯路線圖、晶體管性能擴展以及歐洲的戰略半導體抱負密切相關。二硒化鎢 p 型場效應晶體管集成技術實現突破近年來，
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據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
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近日，英偉達宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發行業廣泛關注。作為一家以算力和應用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應的是，臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規則直接嵌入設計工具之中。 這一系列動作清晰地揭示了一個深層趨勢：在摩爾定律逼近極限、先進封裝成為算力增長核心引擎的今天，半導體產業的競爭范式正從單一的制程競賽，轉向系統級的協同優化。想要繼續提升性能、控制成本，就必須實現“工藝 + EDA + 設計”的深度協同，而
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第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術專家、行業領袖、學術界、學生和研究人員，主題為“以數據驅動的半導體創新改變未來”。今年，該會議由IEEE班加羅爾分會、IEEE計算機科學學會班加羅爾分會和Women in Engineering AG班加羅爾分會聯合主辦，由三星半導體印度研究院（SSIR）主辦。IEEE班加羅爾分會主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導體創新引擎
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芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術，在有限空間內集成更強計算能力。然而，當前用于檢測可能導致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過，一家初創公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望幫助代工廠在生產過程中快速捕捉這些隱藏缺陷，且不會對芯片造成損壞，這可能為行業節省數十億美元成本。馬里蘭州大學公園市量子技術公司 EuQlid 的聯合創始人兼首席執行官 Sanjive Agarwala 表示：“芯片中電流傳輸所依賴的互連結構若存在缺陷 —— 無論是金屬沉積不當、硅片裂紋還
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