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3d 晶體管 文章 最新資訊

垂直氮化鎵晶體管：起飛時間

  • 垂直 GaN 晶體管有很多話要說。與其水平兄弟產品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時提供卓越的可靠性并簡化熱管理。然而，初創(chuàng)企業(yè)將垂直氮化鎵晶體管商業(yè)化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業(yè)上取得了成功，部分原因是建立了一個“殺手級”應用，即移動設備的快速充電。阻礙卓越幾何形狀的成功是其原生基礎。除了價格高昂之外，GaN 襯底的尺寸也有限，典型直徑僅為 50 mm。這可以防止在受益于規(guī)模經濟的成熟 200 毫米生產線上制造設備，以及使用更現代化的加工設備。Vertical Semicondu
  • 關鍵字： 氮化鎵  晶體管  

3D-IC將如何改變芯片設計

  • 專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
  • 關鍵字： 3D-IC  芯片設計  

長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元

  • 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
  • 關鍵字： 長江存儲  半導體  3D NAND  晶棧  Xtacking  

GAA晶體管市場規(guī)模、份額和趨勢預測（2034）

  • 全方位柵極 （GAA） 晶體管市場規(guī)模是多少？2024年全球柵極全環(huán)（GAA）晶體管市場規(guī)模為6.0005億美元，預計將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復合年增長率為12.84%。該行業(yè)代表了半導體設計的重大進步，為未來的電子設備提供了更高的性能和可擴展性。隨著 GAA 晶體管市場的持續(xù)增長，了解其市場規(guī)模和預計擴張對于利益相關者和行業(yè)分析師至關重要。市場亮點到 2024 年，亞太地區(qū)主導了全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場，市場份額最大，達到
  • 關鍵字： GAA  晶體管  

第一次深入真正的3D-IC設計

  • 專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
  • 關鍵字： 3D-IC設計  

麻省理工學院工程師用磁性材料制造晶體管

  • 我們當中一定年齡的人仍然記得每一代新一代視頻游戲機的發(fā)布所帶來的圖形的巨大改進。與最初的 NES 相比，超級任天堂是一個巨大的飛躍，與超級任天堂相比，任天堂 64 同樣是一個巨大的升級。但如今，當更新的硬件發(fā)布時，很難區(qū)分新舊。計算技術仍在快速發(fā)展，但這一領域也開始出現越來越多的類似感覺。今年的處理器似乎沒有像過去的升級那樣提供性能的巨大飛躍。這種速度放緩的部分原因是我們開始挑戰(zhàn)底層硬件的物理限制。特別是蝕刻在芯片硅中的晶體管現在非常小，以至于我們正在接近原子尺度。撞墻隨著硅基晶體管的不斷縮小，它們面臨著
  • 關鍵字： 麻省理工學院  磁性材料  晶體管  

國產廠商切入下一代存儲技術：3D DRAM

  • 隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發(fā)式增長，全球對算力的需求正以指數級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協同配合。傳統(tǒng)內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現，全球的存儲廠商也普遍將 3D
  • 關鍵字： 3D DRAM  

汽車應用3D-IC：利用人工智能驅動的EDA工具打破障礙

  • 汽車行業(yè)正在經歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術和超互聯生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現代汽車架構。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導體設計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅動的電子設計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關重要作用
  • 關鍵字： 汽車應用  3D-IC  人工智能  EDA工具  

實現120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

  • 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
  • 關鍵字： 3D DRAM  

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣

  • 全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產品計劃于?2025?年投入量產，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
  • 關鍵字： 鎧俠  3D 閃存  TLC存儲器  閃存  3D閃存  

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關注3D IC和數字孿生

  • 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
  • 關鍵字： EDA  3D IC  數字孿生  

西門子EDA推新解決方案，助力簡化復雜3D IC的設計與分析流程

  • ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰(zhàn)。西門
  • 關鍵字： 西門子EDA  3D IC  

2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發(fā)展

  • 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發(fā)了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現 BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
  • 關鍵字： 2.5D/3D  芯片技術  半導體封裝  

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中

  • 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
  • 關鍵字： Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  

3D打印高性能射頻傳感器

  • 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現了深溝槽，同時還實現了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數 （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
  • 關鍵字： 3D  射頻傳感器  
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3d 晶體管介紹

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