康耐視推出In-Sight 3D-L4000視覺系統

• 作為全球工業機器視覺領域的領導者之一，康耐視公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式視覺系統。這是一款采用3D激光位移技術的創新型智能相機，能幫助用戶快速、準確且經濟高效地解決自動化生產線上的一系列檢測應用難題。“一直以來，3D檢測系統對于大多數用戶來說面臨兩個問題：產品操作復雜、使用成本昂貴，”康耐視3D事業部經理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000視覺系統很好的解決了這兩個痛點，其提供了大量的3D視覺工具套件，使3D檢測能夠像行業先進的In-
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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產品，該產品擁有5個系列，并針對工業、醫療、智能電網、交通和安全等應用進行了優化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術，該技術具有 176 層存儲單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發的第二代產品，上一代 3D NAND 則是 128 層設計，算是美光的過渡節點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特
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臺積電披露3nm工藝更多細節信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍

• 據國外媒體報道，正如外媒此前所預期的一樣，芯片代工商臺積電在今日開始的全球技術論壇上，披露了下一代先進工藝3nm的更多細節信息。2020年的臺積電全球技術論壇，是他們舉行的第二十六屆全球技術論壇，論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進工藝方面的信息，但在5nm工藝已經投產的情況下，外界最期待的還是5nm之后的下一個全新工藝節點3nm工藝。在今天的論壇上，臺積電也披露了3nm工藝的相關信息。他們的3nm工藝，仍將繼續使用鰭式場效應（FinFET)晶體管，不會采用三星計劃在3nm工藝節點上使用的
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三星加快部署3D芯片封裝技術 希望明年同臺積電展開競爭

• 據國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術的部署。外媒是援引行業觀察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看，三星的3D芯片封裝技術名為“eXtended-Cube” ，簡稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術來
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三星電子展示3D晶圓封裝技術 可用于5納米和7納米制程

• 據臺灣媒體報道，三星電子成功研發3D晶圓封裝技術“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協助解決次世代應用嚴苛的表現需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術，確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節
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打破國外壟斷，全國產3D芯片為機器人“點睛”

從原子的物理世界到0和1的數字世界，3D視覺“感知智能”技術是第一座橋梁。我國放量增長的工業級、消" />

• 傳統機器人只有“手”，只能在固定好的點位上完成既定操作，而新一輪人工智能技術大大推動了機器和人的協作，這也對機器人的靈活性有了更高要求。要想像人一樣測量、抓取、移動和避讓物體，機器人首先需要對周邊世界的距離、形狀、厚薄有高精度的感知，而3D視覺芯片可以引導機器人完成上述復雜的自主動作，它相當于機器人的”眼睛”和”大腦”。近日，中科融合感知智能研究院（蘇州工業園區）有限公司（以下簡稱中科融合）的全球首顆高精度3D-AI雙引擎SOC芯片，已經在國內一家芯片代工廠進入最終流片階段。這顆芯片將和中科融合已經進入批
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Intel 5年內量產納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？

• Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導體前沿技術研究和儲備，Intel的實力仍是行業數一數二的。在近日的國際超大規模集成電路會議上，Intel首席技術官、Intel實驗室總監Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結構研究，包括GAA環繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場效應管納米片結構，乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節點上引入的，仍在持續推進，而接下來最有希望的變革就是GAA環繞柵極結構，重新設計晶體管底層
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Melexis 推出汽車級 3D 霍爾效應傳感器 IC

• 微電子半導體解決方案全球供應商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis? 磁力計節點，這是一款汽車級 (AEC-Q100) 單片傳感器 IC，可利用霍爾效應提供三維無接觸式傳感功能。MLX90395 雙裸片版本可實現冗余，適用于要求苛刻的場景，例如汽車應用中的變速換檔桿位置傳感。MLX90395 的功能通過系統處理器定義，而不是硬連線到器件本身。就位置傳感的適用性而言，該產品幾乎不受任何范圍限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 兩種接口，可輕松在汽車或工業控制環境中集成。
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群聯全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

• 電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫護或宅經濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長動能，更讓NAND Flash產業成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產后，也為市場添增了一股活力。
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臺積電3nm細節公布：2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升

• 近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情，其晶體管密度達到了破天荒的2．5億／mm2！
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長江存儲：128層3D NAND技術會按計劃在今年推出

• 據證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業界常見的96層，直接投入128層閃存的研發和量產工作。▲長江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
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比官方宣傳還猛！臺積電5nm晶體管密度比7nm提高88％

• 一般來說,官方宣傳數據都是最理想的狀態,有時候還會摻雜一些水分,但是你見過實測比官方數字更漂亮的嗎?臺積電已在本月開始5nm工藝的試產,第二季度內投入規模量產,蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會使用它,而且消息稱初期產能已經被客戶完全包圓,尤其是蘋果占了最大頭。臺積電尚未公布5nm工藝的具體指標,只知道會大規模集成EUV極紫外光刻技術,不過在一篇論文中披露了一張晶體管結構側視圖。WikiChips經過分析后估計,臺積電5nm的柵極間距為48nm,金屬間距則是30nm,鰭片間距25
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微軟Surface Duo未來新特性：支持3D深度相機

• 新推出的Surface Neo并不是微軟唯一的雙屏設備。在去年10月份的發布會上，微軟還宣布了一款名為“Surface Duo”的Surface手機，Surface Duo可運行Google的Android應用，并直接從谷歌Play商店支持Microsoft服務。Surface Duo是由Panos Panay領導的Surface團隊設計的，它具有出色的硬件，但是之前有傳言稱Surface Duo設備將配備中核相機。與三星Galaxy Fold和華為Mate Xs競爭的Surface Duo可能沒有配備出
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歐司朗推出首款智能3D感應發射器模塊，讓智能手機玩轉專業攝影

• 圖片已經成為人們在社交媒體展現自我的重要方式。為了追求“完美的圖像”，越來越多的應用程序提供了濾鏡或編輯功能來增強圖像效果。盡管智能手機攝影功能創新層出不窮，但仍然有一些圖像效果只能通過專業相機和復雜昂貴的鏡頭來實現。歐司朗推出首款3D傳感發射器模塊，讓智能手機以交錯景深拍攝高質量的圖像和視頻，達到專業效果。例如在人像拍攝中，實現人臉聚焦、背景模糊的小景深。如今，智能手機、可穿戴設備和其他移動設備的功能越來越多，留給內部元器件的設計空間也越來越小。對制造商而言，能找到合適的發射和接收器件以及IC元器件，進
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