IT之家 4 月 23 日消息，印度理工學院孟買分校和倫敦國王學院的研究人員合作開發了一種超低功耗的二維晶體管，能夠模擬蝗蟲的神經元來實現避障功能，有望降低未來人工智能的能源消耗。圖源 Pexels自動駕駛和機器人自主移動一直是機器學習和人工智能研發人員夢寐以求的目標，而避障則是這項技術能否在現實世界落地應用的關鍵。為此，雙方研究人員致力于創造一種能以極低功耗實現避障的解決方案。研究人員在研究避障行為時，發現蝗蟲身上有一種名為“小葉巨人運動檢測器 (LGMD)”的神經元，當大型物體接近蝗蟲時，該
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晶體管 人工智能
光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式發布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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Zivid 3D 機器人
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業
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3D DRAM
晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經典的NPN晶體
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晶體管 BJT MOSFET
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
一、晶體管的功能晶體管具有放大和開關電信號的功能。 比如在收音機中，會擴大（放大）空中傳輸過來的非常微弱的信號，并通過揚聲器播放出來。這就是晶體管的放大作用。 另外，晶體管還能僅在事先確定的信號到達時才工作，這時發揮的是開關作用。 我們常聽到的“IC”也好“LSI”也好，都是晶體管的集合體，是晶體管構成了其功能的基礎。【晶體管的基本功能示意圖】作為開關使用的晶體管下面通過發射極接地時的開關工作來介紹起到開關作用的晶體管。當晶體管的基極引腳被施加電壓（約0.7V以上）并流過微小電流時，晶體管會導通，電流會在
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晶體管
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
MOS晶體管表現出理想模型所沒有的各種二階效應。為了設計在現實世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結構和工作區域。我們討論的模型描繪了一個理想的MOSFET，并且由于其較長的溝道尺寸，對于早期的MOSFET來說是相當準確的。然而，隨后的研究和晶體管的持續小型化都揭示了晶體管行為中的一系列非理想性。本文將介紹這些非理想性的基礎知識以及它們如何影響模擬集成電路中的晶體管性能。寄生電容由于MOSFET的物理實現，在端子結之間形成了以下寄生電容：CGS
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MOSEFT 晶體管
臺積電、英特爾都在規劃如何走向萬億級晶體管。
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晶體管
01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以
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IGBT 晶體管 基礎知識
IBM在2023年12月早些時候的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上展示了首個針對液氮冷卻進行優化的先進CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片，完全被柵包圍。IBM的高級研究員鮑汝強表示：“納米片器件結構使我們能夠在指甲大小的空間內容納50億個晶體管。”這些晶體管有望取代當前的FinFET技術，并被用于IBM的首個2納米原型處理器。納米片技術是邏輯器件逐步縮小的下一步，將其與液氮冷卻技術搭配可能會帶來更好的性能。研究人員發現，在77K的溫度下運行，與在大約300K的室溫條件下運行相比，設備
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IBM 芯片 晶體管
開發下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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3D NAND
●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩健的雜散場補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關系統中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車應用場景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業應用場景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL傳感器
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