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3d 晶體管 文章 最新資訊

DRAM迎來3D時代？

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
  • 關鍵字： 3D NAND  

干貨總結｜晶體管的應用知識

  • 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。
  • 關鍵字： 晶體管  

平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
  • 關鍵字： 3D DRAM  存儲器  

外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業化

  • 據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
  • 關鍵字： 存儲  3D DRAM  

芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”

  • 國內EDA行業領導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計，這一事件引起了我們極大的關注。“3D InCites創始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
  • 關鍵字： 芯和半導體榮  3D InCites  Herb Reiter  年度最佳設計工具供應商獎  

芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”

  • 國內EDA行業領導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計，這一事件引起了我們極大的關注。“3D?InCites創始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
  • 關鍵字： 芯和半導體  3D InCites  Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎  

妙趣橫生的電子小知識　第1篇：初識晶體管

  • 本系列連載將介紹電力電子相關的基礎知識和各種小知識。本系列涉及到的內容很廣泛，涵蓋從基礎知識到應用部分的豐富內容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人，但又拿不準自己是否已經理解了”的人。第一個應該了解的要數“晶體管”了。“晶體管”在電子制作領域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機時，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對于電子制作初學者來說，掌握晶體管的使用方法有點難。剛開始電子制作時使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開關等，幾乎都是兩個引腳，而晶體管卻有三個引
  • 關鍵字： ROHM  晶體管  

支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
  • 關鍵字： 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內容生態

  • 近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅動3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術， 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點，是否會向其他同類產品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布， 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內容生態系統，包含大量運用裸眼3D技術的App，并獲得了來自多個包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開發商的內容支持。
  • 關鍵字： 努比亞  MWC  3D  游戲引擎  

基于晶體管VBE 的振蕩器測量溫度

  • 模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數百篇文章、書籍和應用筆記是（并將繼續是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設計難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風格中。這里介紹的設計思想源自他發表在 AN45測量和控制電路集（夜班尿布和設計）第 7 頁的電路之一。模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數百篇文章、書籍和應用筆記是（并將繼續是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設計難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風格中。這里介紹的設計思想源自他發表在 AN45測量和控制電路
  • 關鍵字： 晶體管  VBE  振蕩器  

意法半導體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果： 適用于機器視覺和機器人的3D 立體視覺攝像頭

  • 雙方將通過立體攝像頭數據融合技術演示3D立體深度視覺， *AIoT      、AGV小車和工業設備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運動物體參考設計利用意法半導體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器，確保打造出最佳品質的深度感測和*點云圖資訊2023年1月5日，中國----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費電子展上，服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專
  • 關鍵字： 意法半導體  鈺立  CES 2023  機器視覺  3D 立體視覺攝像頭  

如何達到3D位置感測的實時控制

  • 本文回顧3D霍爾效應位置傳感器的基礎知識，并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬向節馬達系統中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應位置傳感器的范例。用于實時控制的3D位置感測在各種工業4.0應用中不斷增加，從工業機器人、自動化系統，到掃地機器人和保全。3D霍爾效應位置傳感器是這些應用的理想選擇；它們具有高重復性和可靠性，還可以與窗戶、門和外殼搭配，進行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此，使用霍爾效應傳感器設計有效且安全的3D感測系統可能復雜且耗時。霍爾效應傳感器需要與足夠強大的微控制器（MCU）介接，以
  • 關鍵字： 3D位置感測  實時控制  3D 霍爾效應傳感器  

復旦大學研發出晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，集成度翻倍并實現卓越性能

  • IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統集成電路技術使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補結構，從而獲得高性能計算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實現。例如，大家最常見的案例就是半導體行業的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據復旦大學微電子學院官方公告，該學院教授周鵬、研究員包文中及信息科學與工程學院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝，研發出性能優異的異質 CFET 技術
  • 關鍵字： 復旦大學  晶體管  

放大器設計：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區別

  • 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有
  • 關鍵字： 放大器  晶體管  MOS  BJT  
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3d 晶體管介紹

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