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晶圓 文章 最新資訊

美紐約州匿名團(tuán)體反對州政府資助450mm項(xiàng)目

  •   日前,一個(gè)匿名群體就美國紐約州對CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圓研發(fā)中心進(jìn)行資助表示反對。這個(gè)群體告訴紐約州的政客們州政府對450mm研發(fā)項(xiàng)目的任何資助不會(huì)對州內(nèi)的任何公司產(chǎn)生好處,是浪費(fèi)納稅人的錢。   該群體稱關(guān)于資助450mm研發(fā)的一項(xiàng)議案正在準(zhǔn)備中,資助金額達(dá)到數(shù)千萬美元。該群體稱這些錢大部分會(huì)花在設(shè)備上,而設(shè)備供應(yīng)商都是紐約州以外的公司,對州內(nèi)就業(yè)沒有任何好處。   這個(gè)群體還表示,目前公開表示將轉(zhuǎn)向450mm的公司有三家,英特爾、三星和臺(tái)積電。但它們沒
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晶圓雙雄產(chǎn)能計(jì)劃增長 恐致產(chǎn)能過剩

  •   最近臺(tái)灣兩家主要的半導(dǎo)體代工商臺(tái)積電和聯(lián)電公司均宣布今年將進(jìn)一步拓展其12英寸晶圓的產(chǎn)能,兩家廠商并宣布將提升今年的資本投資金額。不過有業(yè)者則認(rèn) 為這兩家公司的產(chǎn)能拓展計(jì)劃恐將造成今年12英寸晶圓產(chǎn)品的產(chǎn)能過剩。   聯(lián)電公司CEO孫世偉表示對公司今年的業(yè)務(wù)前景較為樂觀,他并預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)13-15%的增長,而芯片制造廠商的增長幅度則有望達(dá)到25-28%左右。   針對業(yè)內(nèi)關(guān)于12英寸晶圓產(chǎn)能過剩的擔(dān)憂,孫世偉表示聯(lián)電公司此前已經(jīng)對有關(guān)的市場狀況進(jìn)行過較為全面的評(píng)析,評(píng)析的結(jié)果顯示聯(lián)電公
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英特爾大連廠十月投產(chǎn) 65納米工藝生產(chǎn)芯片組

  •   英特爾近日宣布,其大連芯片廠將在2010年10月份如期投產(chǎn)。大連芯片廠將采用65納米工藝生產(chǎn)300毫米芯片組。   2007年3月,英特爾宣布投資25億美元在大連建立一個(gè)生產(chǎn)300毫米的晶圓廠。   當(dāng)時(shí),英特爾總裁兼CEO保羅·歐德寧表示,“英特爾大連廠是英特爾15年來第一次在全新的地點(diǎn)興建晶圓廠。在根植中國的22年中,英特爾在封裝測試和研發(fā)等領(lǐng)域在中國的投資已經(jīng)累計(jì)超過13億美元。此次新投資將使我們在中國的投資總額達(dá)到了40億美元,從而使英特爾稱為中國投資額最大的跨國
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再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠

  •   三星電子(Samsung Electronics)再度出手,繼2009年下半首度大幅擴(kuò)充產(chǎn)能外,2010年將首度啟動(dòng)擴(kuò)充產(chǎn)能機(jī)制,預(yù)計(jì)將再新增1座8寸晶圓廠,全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。   據(jù)了解,三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器,2座8寸晶圓廠月產(chǎn)能共4萬~4.5萬片,12寸廠月產(chǎn)能2萬~2.5 萬片,2009年下半為滿足客戶龐大需求,已先行在2座8寸晶圓廠內(nèi)每月再新增1.2萬~2萬片產(chǎn)能,不過即便如此,似乎仍無法滿足客戶需求。   據(jù)了解,新的8寸晶
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臺(tái)積電不吞并中芯背后:敗戰(zhàn)換中國半導(dǎo)體江山

  •   臺(tái)積電與中芯的專利糾紛自2003年始,其間共有兩次裁定,中芯都輸了。站在國人立場雖有點(diǎn)不服,似乎被欺負(fù),但也覺得要尊重知識(shí)產(chǎn)權(quán)是共同的商業(yè)法則,中國做半導(dǎo)體要光明磊落,任何“捷徑”是不可取的。從中也反映一個(gè)當(dāng)前中國社會(huì)的價(jià)值規(guī)律,應(yīng)當(dāng)如何來獲取價(jià)值。半導(dǎo)體是高科技,其中工藝的研發(fā)費(fèi)用甚高,因此對于中國無非有兩條路可走,一是自行研發(fā),下決心攻克,這樣是長久生存之計(jì)。二是購買技術(shù)授權(quán),顯然最先進(jìn)技術(shù)別人不會(huì)買給您,由此增加費(fèi)用,減少競爭實(shí)力。不過在自行研發(fā)未取得成功之前,這是一條過
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GlobalFoundries來勢洶洶 各晶圓廠展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)

  •   全球晶圓(Global Foundries)喊出以全球市場占有率3成為目標(biāo)!各家晶圓廠紛紛展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn),僅管聯(lián)電也表示將以沖市占率為目標(biāo),不過執(zhí)行長孫世偉還是不忘股東權(quán)益報(bào)酬率,他說必須在兩者間求取適切平衡。聯(lián)電也認(rèn)真考慮「30、20、10」分別代表毛利率30%、營業(yè)凈利20%、股東權(quán)益報(bào)酬率10%為努力目標(biāo)。   對于全球晶圓來勢洶洶,繼購并新加坡特許(Chartered)之后,市占率很可能已經(jīng)接近10%,日前又喊出以全球市占率30%的目標(biāo),外界推測,若加上聯(lián)電約15~20%市占率便可達(dá)此目標(biāo)
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分析師:丟了晶圓廠就丟了成功的支柱

  •   眾家無晶圓廠IC供貨商、以及那些追求“輕晶圓廠(fab-lite)”策略的半導(dǎo)體業(yè)者們可能要大吃一驚了——一位資深分析師指出,這些公司中有部分可能會(huì)表現(xiàn)不佳或是被市場淘汰,而不是如所想象的前景繁榮,主因就是他們失去了對芯片制造的掌控權(quán)。   這位市場研究機(jī)構(gòu)Future Horizons的首席分析師Malcolm Penn甚至認(rèn)為,輕晶圓廠經(jīng)營模式在架構(gòu)上是騙人的、在營運(yùn)上是有毛病的,其財(cái)務(wù)也有缺陷。”   輕晶圓廠是又一種“
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臺(tái)積電擊潰中芯大起底

  •   2月1日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)灣《天下雜志》一月刊發(fā)表名為《智財(cái)戰(zhàn)換中國半導(dǎo)體江山,臺(tái)積電不消滅中芯的秘密》的文章,介紹了臺(tái)積電與中興的訴訟戰(zhàn)。   本文沒有著墨于訴訟的糾紛,而將站在臺(tái)積電的角度,講述了起訴期間,長達(dá)七年的埋伏、準(zhǔn)備,最后一擊即中,潰中芯于一役。當(dāng)中,決定案件的因素多樣而復(fù)雜:證據(jù),證人,法律團(tuán)隊(duì),大環(huán)境的迎合等等因素。   該文對于企業(yè)與企業(yè)訴訟,具有一定的參考意義。   原文:   一樁和解案、一段十年恩怨、一位中國半導(dǎo)體教父下臺(tái),一鞠躬、一場中國半導(dǎo)體市場的競爭新局。
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上海推出芯片流片服務(wù)新模式 費(fèi)用將下降90%

  •   昂貴的芯片設(shè)計(jì)流片費(fèi)常讓一部分具有創(chuàng)新活力的中小企業(yè)心有余而力不足。記者從1月21日上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心主辦的“2009 MPW年會(huì)”上獲悉,一種新的服務(wù)模式多項(xiàng)目晶圓服務(wù),可使流片費(fèi)用下降90%—95%。   “流片”是集成電路芯片研發(fā)過程中必不可少的環(huán)節(jié),用來驗(yàn)證新的集成電路布圖設(shè)計(jì)是否可行。按照慣例,不同廠家設(shè)計(jì)的芯片必須分別流片,成本居高不下。此次由上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心推出的“多項(xiàng)目晶圓”
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友達(dá)光電參與M. Setek現(xiàn)金增資 強(qiáng)化太陽能價(jià)值鏈布局

  •   友達(dá)光電今宣布,為掌握太陽能高速成長的契機(jī),加速關(guān)鍵原材料的產(chǎn)能建置,董事會(huì)于二十九日通過參與M. Setek的現(xiàn)金增資計(jì)劃,預(yù)計(jì)投資金額將不超過日幣150億元,來強(qiáng)化其位于太陽能價(jià)值鏈的策略布局。   M. Setek是日本太陽能上游多晶硅及太陽能高轉(zhuǎn)換效率晶圓的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商,供應(yīng)世界各知名太陽能電池(Solar Cell)大廠原料,是目前全球少數(shù)能提供高質(zhì)量及高效能太陽能晶圓的供貨商之一。為鞏固在太陽能價(jià)值鏈的策略地位,友達(dá)將再次透過參與M. Setek現(xiàn)金增資的方式,進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)建與強(qiáng)化財(cái)務(wù)體質(zhì)
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臺(tái)灣12寸晶圓廠暫不開放登陸

  •   臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”已向馬英九報(bào)告兩岸產(chǎn)業(yè)類別松綁內(nèi)容,惟開放幅度不如外界預(yù)期。其中12吋晶圓廠因短期無迫切開放需求,新設(shè)12吋晶圓廠登陸將暫不開放,擬議開放第3座8吋晶圓廠及赴陸參股投資。   至于面板投資松綁,初步保留在開放清單上,但要求面板業(yè)者對臺(tái)灣需有相對投資保證,且技術(shù)需有至少2個(gè)世代以上差距。   臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥25日隨馬英九赴中南美洲訪問,但各界關(guān)切兩岸產(chǎn)業(yè)類別松綁及赴大陸投資管理規(guī)范,尚未完成,“經(jīng)濟(jì)部”對管理
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四大Foundry助力MPW模式的發(fā)展

  •   集成電路產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顯著特點(diǎn)是產(chǎn)品的不斷更新和中小企業(yè)的不斷涌現(xiàn)。在強(qiáng)者如林的世界中,小企業(yè)如何將創(chuàng)新在制造中得以實(shí)現(xiàn)?多項(xiàng)目晶圓(Multi-Project Wafer,簡稱MPW)服務(wù)是其中的一個(gè)重要手段。   MPW服務(wù)是將多個(gè)具有相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一晶圓片上流片加工服務(wù),每個(gè)設(shè)計(jì)品種可以得到數(shù)十片芯片樣品,用于產(chǎn)品研發(fā)階段的實(shí)驗(yàn)和驗(yàn)證測試。MPW流片費(fèi)用由所有參加MPW的項(xiàng)目按照芯片所占面積分?jǐn)偅瑢?shí)際成本僅為原來的5%-10%,不但大幅降低了集成電路研發(fā)階段的成本,也為集成電路設(shè)計(jì)工
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上海官方扶植華力微 中芯表示樂見同業(yè)發(fā)展

  •   華虹NEC、上海宏力半導(dǎo)體與上海官方出資成立的華力微電子,將投入12寸晶圓廠。對此,位于上海張江園區(qū)的同業(yè)中芯國際表示,樂觀對待同業(yè)積極發(fā)展,并有志一同為大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前進(jìn)做出貢獻(xiàn)。半導(dǎo)體人士解讀,上海市政府以人民幣45億元投資新的12寸廠,有意在中芯國際之外,扶植更多產(chǎn)業(yè)龍頭,做大長江三角地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。   規(guī)劃已久的華虹NEC、上海宏力半導(dǎo)體合并案終于正式啟動(dòng)第1階段,不過在正式合并前,雙方先以透過合資模式營運(yùn)12寸廠,總投資額預(yù)算達(dá)人民幣145億元,其中上海出資人民幣45億元。消息宣布當(dāng)
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IC制造業(yè)的五大趨勢

  •   近年來,IC制造格局發(fā)生了巨大改變。   越來越少的公司擁有晶圓廠。許多IDM轉(zhuǎn)向fab-lite或fabless。Fabless公司所占的份額越來越高。代工廠在制造領(lǐng)域的控制力正在增強(qiáng)。   未來將有哪些趨勢呢?IC Insights總裁McClean給出了一些預(yù)言:   1.不會(huì)出現(xiàn)新的擁有晶圓廠的IC公司   新進(jìn)入者要成為IDM的門檻太高了。IC產(chǎn)業(yè)基本已經(jīng)對想進(jìn)入IC制造的新進(jìn)者關(guān)上了大門。中國公司是最后一批入局者。GlobalFoundries不能算,因?yàn)樗臼茿MD的一部分。
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2010 年半導(dǎo)體制造商的命運(yùn)如何

  •   據(jù)iSuppli 公司,2009年第一季度芯片制造業(yè)遭受重挫,下滑幅度驚人。但在接下來的三個(gè)季度,芯片廠商的產(chǎn)能利用率持續(xù)改善。由于廠商實(shí)行保守的產(chǎn)能管理,大多數(shù)廠商2009 年末的生產(chǎn)情況接近2008 年第三季度產(chǎn)業(yè)尚未衰退之前的水平。   那么,2010年制造商的命運(yùn)又將如何?芯片制造業(yè)是否能繼續(xù)復(fù)蘇?全球經(jīng)濟(jì)狀況是否會(huì)再度迫使消費(fèi)者支出轉(zhuǎn)向比較基本的必需品,從而致使半導(dǎo)體消費(fèi)下降?   縱觀2009 年,全球經(jīng)濟(jì)的不確定性一直左右著半導(dǎo)體制造商的經(jīng)營策略。直到2009年第四季度末,制造商才有
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晶圓 介紹

晶圓  晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]

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