- 據媒體報道，臺積電日前召開董事會，決定投資11億1680萬美元，以擴充12英寸晶圓廠的45納米制程產能，與設置32納米制程產能;至于市場關注的太陽能投資，臺積電并未宣布投資對象，但將先投入0.5億美元在太陽能相關產業。
據臺灣媒體報道，臺積電發言人何麗梅表示，董事會決議通過人事變動，任命杜隆欽擔任人力資源組織副總經理;調任張秉衡擔任資材暨風險管理組織副總經理。
其次，資本支出部分，臺積電董事會核準資本預算11.168億美元，以擴充12英寸晶圓廠的45奈米制程產能與設置32奈米制程產能。同時
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臺積電 晶圓 32納米
- 徐州中能硅業母公司─協鑫光伏，首席執行官江游指出，因太陽能電池需求加溫，近來上游的多晶硅已有供給告急壓力，加上國內開始限制海外晶圓的進口，而2010年招標的項目目前也已達到2GW(20億瓦)，因此估計太陽能電池缺料的問題將會延續下去，而多晶硅的價格年底前也都能持穩。
太陽能電池產業在全球性金融危機爆發后需求下跌，直到今年第三季，進入產業旺季后，歐洲、美國需求轉強，加上國內加碼對太陽能電池產業的扶持，繼推出太陽能屋頂補貼計劃、規劃在敦煌、內蒙和新疆等偏遠地區蓋太陽能發電廠后，更于7月公布關于實施金
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太陽能電池 晶圓 多晶硅
- Intel日本分公司在筑波市舉行了一次技術會議，內容頗為豐富，涉及半導體技術現狀與未來、Nehalem微架構、ATM主動管理技術、Anti-Thefe防盜技術、My WiFi無線技術等等。
其中有關半導體制造工藝的展望引起了我們的特別關注。近十幾年來，Intel以每兩年升級一次的速度從0.25微米(um)一路走到了45納米(nm)，中間歷經了0.18微米、0.13微米、90納米、65nm等四個世代，并帶來了多種技術革新，比如晶圓尺寸從200毫米到300毫米、內部互聯材料從鋁到銅、通道從硅到應變硅
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- 晶圓雙雄太陽能競賽日益白熱化，繼臺積電董事會通過設置5,000 萬美元專款發展節能事業后，聯電搶先一步規劃進軍大陸，旗下薄膜太陽能電池廠聯相光電日前前往山東考察，評估在當地設廠事宜。
業界認為，在臺積電尚未明確出手投資太陽能標的或興建產能下，聯電集團在太陽能領域企圖心強烈，考慮大陸太陽能內需市場龐大，若能透過聯相插旗大陸，將可享地利之便，趁機搶食大陸太陽能的商機，并拉大與臺積電之間的距離。
聯電在太陽能事業布局領先臺積電，早在2005年11月便成立聯相(原名晶能)，作為進軍太陽能的試金石。
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聯電 晶圓 薄膜太陽能電池
- 基于極其成功的Galaxy印刷設備，得可已利用卓越的精準技術開發了專門處理超薄晶圓的系統。新的Galaxy薄晶圓系統提供杰出的穩定性、工藝能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并擁有先進的速度和加速控制，確保強健地處理當今易損的晶圓產品。
Galaxy薄晶圓系統的杰出工藝能力核心是專業設計的晶圓托盤，提供輸送和加工75微米薄晶圓時正確固定晶圓所需的支撐和穩定性。約400毫米見方的得可晶圓托盤，平整度小于10微米，且能容納300毫米大的晶圓。仔細的選擇和多孔材料的使用確保薄晶圓的安全
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Galaxy 晶圓 托盤
- 8月12日消息，臺積電周二召開董事會，決定投資11億1680萬美元，以擴充12英寸晶圓廠的45奈米制程產能，與設置32奈米制程產能;至于市場關注的太陽能投資，臺積電并未宣布投資對象，但將先投入0.5億美元在太陽能相關產業。
據臺灣媒體報道，臺積電發言人何麗梅表示，董事會決議通過人事變動，任命杜隆欽擔任人力資源組織副總經理;調任張秉衡擔任資材暨風險管理組織副總經理。
其次，資本支出部分，臺積電董事會核準資本預算11.168億美元，以擴充12英寸晶圓廠的45奈米制程產能與設置32奈米制程產能。
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晶圓 32納米 太陽能
- 上個月，GlobalFoundries紐約州晶圓廠Fab 2正式破土動工，相隔幾周后，GlobalFoundries宣布，他們將盡快著手Fab 3計劃。
隨著紐約州晶圓廠的破土動工，GlobalFoundries的信心也更加充足，GlobalFoundries主席Hector Ruiz表示：“GlobalFoundries的目標是成為半導體制造行業的領軍者，我們也將盡快著手Fab 3工廠計劃。”
雖然現在還不清楚Fab 3的具體規劃，也不知道它的開工時間，但是既然G
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- 曾經是歐洲最大內存廠的奇夢達進入資產拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內存產業領域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下，大陸內存產業鏈終于完備。
德國內存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰，并已正式進入資產拍賣階段。目前奇夢達的資產包括6大研發中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地，只有西安的研發中心與蘇州的內存后
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奇夢達 晶圓 服務器 DRAM NAND
- 數碼媒體體驗開發混合信號集成電路廠商美國IDT公司與臺灣積體電路制造股份有限公司6日宣布簽訂制造協議， IDT公司將其位于美國奧瑞岡州半導體廠的工藝及產品制造移轉給臺積電。此項協議預計在兩年內完成所有產品的移轉，目前已獲得雙方公司與IDT公司董事會的同意。
IDT公司全球制造副總經理Mike Hunter表示：“過去一年來，我們已逐漸轉型為專為通訊、電腦與消費性電子市場開發特定應用解決方案的公司。與臺積電達成的協議讓我們能充分利用臺積電各個工藝世代的尖端技術，是我們轉型之路中必然的下
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IDT 晶圓 IC設計
- 市場研究公司iSuppli指出，隨著市場需求復蘇，在已經公布第二季度業績的半導體公司中有多數都有不錯的業績。
在15家已公布第二季度業績的公司中，有11家表示該季度公司的“庫存天數(DOI)”低于過去三年的平均值，有8家公司與三年平均值的差距為兩位數百分比。
“半導體公司的最新業績報告驗證了iSuppli的觀點，庫存已從過剩降至合適水平。”iSuppli財務分析師Carlo Ciriello說道，“庫存水平是低的，但結合當前的收入
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Intel 晶圓 半導體
- 最近Globalfoundries公司可謂喜事連連，繼紐約Fab2工廠正式奠基后，又與意法半導體成功簽約。不過按GF公司主席Hector Ruiz的說法，他們現在已經開始籌劃第三間制造廠Fab3的項目。目前在建的Fab2將采用300mm技術生產晶圓，建成初期的2012年，將采用 28nm制程技術進行生產，隨后轉向22nm制程。
目前外界很難猜測Fab3項目的細節，更不用說興建計劃的日期了。不過此舉至少說明GF對自己的Fab1/Fab2工廠充滿信心，并對公司的發展前景非常樂觀。
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Globalfoundries 晶圓 22nm 28nm
- 8月6日消息，臺積電今日表示，美國半導體廠商IDT決定將位于奧瑞岡州半導體廠的芯片制造業務移轉給臺積電，并在移轉完成之后關閉這座晶圓廠，并已聘請第三人在市場上尋求潛在接手者。
臺積電在一份聲明中稱，IDT預計在兩年內完成0.13微米及以上的制程及產品的移轉，并將經營模式從輕晶圓廠(fab-lite)轉型到無晶圓廠制造模式(fabless)。
臺積電并未說明該項制程及產品移轉計劃可能帶來的業績影響。
臺積電今日下跌0.18%報收56.8臺幣，大盤加權股價指數.TWII則微漲0.30%報
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IDT 晶圓 fabless
- 8月6日消息，日本芯片制造業龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業務資本支出增長將減緩，并尋求擴張核能發電及智能型電網業務，3年后其電力及基礎建設業務的獲利，將達電子產品部的2倍。
東芝的半導體部門已連續3季出現營業虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領域尋求固定營收來源，例如健康醫療及水處理等。
東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產品部門于2012年3月底結束的會計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎建設業務獲利則可達2000億
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- 隨著Globalfoundries紐約廠的破土動工，半導體行業的競爭也愈加激烈。近日，臺積電CEO張忠謀在接受記者采訪時就將他們和Globalfoundries的競爭比作是一場戰爭，把自己比作是斯大林，同時認為他們將取得最終的勝利。
張忠謀說：“我們把Globalfoundries看作是很有競爭力的對手，這場戰爭將十分慘烈，我的任務就是將我們的損失降到最低。”
他認為，Globalfoundries花費42億美元在紐約建立Fab 2晶圓廠就是在宣戰，Globalfo
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- 臺積電等臺灣大型半導體生產企業最近陸續宣布調高今年的資本支出計劃。除了經濟復蘇情況好于預期外，市場變化是促使半導體業者擴大投資的主要因素。
據臺灣媒體報道，聯電決定將資本支出從原來的不到4億美元調高至5億美元;臺積電更是二度調高今年資本支出計劃，將資本支出自最初的15億美元調高至18億美元后，再進一步調高至23億美元。
日月光也將資本支出自1.5億美元調高至2億美元;力成將資本支出自30億元新臺幣上調至50億元新臺幣。矽品雖將資本支出維持原訂的40億元新臺幣，不過，董事長林文伯表示，在新興
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臺積電 晶圓 封測
晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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