據韓媒報道，SK海力士近日宣布，其高帶寬存儲器（HBM）混合鍵合工藝的良率已實現顯著提升。

公司技術負責人金鐘勛（Kim Jong-hoon）透露，采用混合鍵合技術的12層HBM堆疊結構已完成驗證工作。目前，團隊正集中精力優化良率，以確保該技術能夠順利投入實際生產。這一進展標志著SK海力士在高性能存儲器領域的技術研發邁出了重要一步。

混合鍵合技術被認為是推動HBM性能提升的關鍵工藝之一。通過該技術，存儲芯片能夠實現更高的帶寬和更小的尺寸，從而滿足人工智能、高性能計算等領域日益增長的需求。