- 盡管 JEDEC 計劃放寬 HBM 高度限制，將 HBM4 的上限從 775 微米上調至約 900 微米，行業仍在持續尋求突破傳統 HBM 架構的結構瓶頸。據《ET News》報道，三星電子未來技術研究項目下一項基于垂直芯片（Vertical Die） 的先進封裝研發已取得實質性進展。值得關注的是，該方案據稱可將I/O 密度提升最高 10 倍、帶寬提升約 4 倍。報道稱，該項目由韓國科學技術院（KAIST）權志旼教授擔任首席研究員，已取得重要學術里程碑：一篇關于 Vertical Die 架構的論文已被
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三星 垂直芯片 Vertical Die HBM I/O 帶寬
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