臺積電在2026年北美技術論壇指出，2029年底沒有計劃導入艾司摩爾（ASML）最先進的微影設備，此消息沖擊ASML股價跌逾1%，臺積電ADR大幅上漲逾5%，顯示投資人對臺積電以較低成本推進技術的策略給予正面評價。

根據《路透》報導，臺積電并未規劃在2029年前采用ASML最新一代高數值孔徑極紫外光微影設備（High-NA EUV）投入芯片量產，主因在于該設備成本極為高昂。

臺積電暫緩導入新設備 成本高昂是關鍵

臺積電副共同營運長張曉強直言，ASML新世代High-NA EUV設備價格「非常、非常昂貴」，該設備單臺價格超過3.5億歐元 （約4.1億美元，折合約新臺幣131.2億），因此公司現階段仍將以既有EUV曝光機為核心，透過持續優化與技術升級來推進制程發展。

張曉強表示，公司將持續以現有EUV設備為基礎進行深化發展，而非急于導入新世代設備。 他指出，研發團隊已成功在既有技術上挖掘更多潛力，并穩步推進未來制程藍圖。 他也強調，臺積電在極紫外光刻技術上的累積與優化能力，是公司重要的競爭優勢之一。

報導指出，臺積電近期展示的新一代制程技術，強調即使不依賴最新High-NA EUV設備，仍可持續縮小芯片尺寸并提升運算效能，展現其在制程整合與工程優化上的實力。

除了制程技術外，臺積電也同步揭露先進封裝與多芯片整合的進展。 公司預估，到2028年時，將可在單一封裝中整合最多10顆大型運算芯片，并搭配20組高帶寬記憶體，顯著提升AI芯片的整體效能，滿足高速運算與資料處理需求。

晶片制造成本攀升 投資更趨審慎

《Financial Post》分析，臺積電選擇延后導入High-NA EUV設備對ASML來說可能并非好兆頭，而且臺積電的技術選擇對半導體產業有著廣泛的影響，它是最大的設備買家，擁有最龐大的新工廠和設備預算，在制造技術方面也處于領先地位，其技術常常被競爭對手效仿，這項決定不僅反映成本與效益的權衡，也可能影響未來整體產業的技術發展節奏。

《Financial Post》也提到，芯片制造成本日益高昂，全球頂尖半導體制造商必須謹慎支出以維持獲利能力，如今，建造一座最先進的芯片工廠大約需要200億至300億美元，而制造最先進人工智能芯片所需的ASML入門級EUV光刻機，售價也超過2億美元。