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DDR5利潤率現已超過HBM

作者: 時間:2026-03-26 來源: 收藏

美光科技公司表示,包括在內的傳統DRAM的利潤率最近已經超過了的利潤率,這反映了長期合同結構和供應緊張狀況的綜合影響。

采用先進封裝技術將多個DRAM芯片堆疊在一起,通常制造工藝更復雜,價格也更高。值得注意的是,和傳統DRAM目前利潤都很豐厚,但通用DRAM(包括用于PC和智能手機的產品)的利潤率已經超過了HBM。

利潤率變化的主要原因

首先,HBM的供應越來越受長期協議的制約,美光將其稱為戰略客戶協議 (SCA)。美光首席商務官Sumit Sadana表示,HBM的價格通常在年初之前就已確定,2026年出貨量的很大一部分是在去年年底定價的。雖然此類協議能夠提供穩定且可預測的收入,但除了超出合同供應量的增量生產外,它們限制了存儲器制造商立即從價格快速上漲中獲利的能力。

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其次,傳統DRAM市場受益于強勁的需求和受限的供應。HBM的生產比標準DRAM消耗更多的晶圓產能,從而減少了通用產品的可用供應。與此同時,數據中心服務器和消費電子設備的需求依然強勁,導致供應短缺。

受此影響,DRAM現貨價格飆升。美光表示,DRAM平均售價近期上漲超過60%,使得傳統DRAM利潤率能夠反映實時價格上漲,而HBM價格則基本受合同約束。

盡管DRAM短期內具有盈利優勢,但美光表示不會采取純粹以利潤為導向的產品分配策略?,F代人工智能服務器部署需要HBM和 DRAM的組合。如果只優先考慮利潤率更高的產品,可能會延遲客戶發貨,最終損害美光自身的營收表現。

美光首席執行官Sanjay Mehrotra強調了產品類別之間需要保持平衡,并指出大規模系統出貨需要“自然平衡”,而且HBM和DRAM必須作為完整解決方案的一部分一起供應。


關鍵詞: DDR5 HBM

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