日本Rapidus正加速沖刺先進制程芯片制造。據日經 XTech 報道，該公司首席技術官Kazunari Ishimaru（丸和一成）表示，目標是在1nm 節點將與臺積電的技術差距縮小至6 個月左右。

與此同時，日經 XTech 另一篇報道指出，Rapidus 計劃2026 年啟動 1.4nm 半導體制造技術研發，預計2029 年前后實現量產。

對比來看，經濟日報消息顯示，臺積電 1nm 工藝將率先在中部科學園區投產，首座晶圓廠預計2027 年底完成試產，2028 年下半年大規模量產。

Rapidus 推進 2nm 研發，進度加快

日經 XTech 稱，Rapidus 計劃2026 年底前開始生產客戶定制的 2nm 測試芯片，這是其2027 年實現 2nm 量產目標的關鍵一步。報道補充，來自美國 AI 領域、日本及歐洲客戶的需求十分強勁。

日經 XTech 還介紹了 Rapidus 在 2nm 工藝上的最新進展：

• 2025 年 7 月客戶活動中，該公司已展示可運行的2nm 晶體管，當時性能尚未達標。

• 2025 年 9 月前后，開始優化性能指標，改進速度顯著提升。

值得注意的是，在 IBM 研發基地所在地美國紐約州奧爾巴尼需耗時約1 年半的工作，Rapidus 在北海道千歲工廠僅用不到2 個月就完成，凸顯其研發節奏大幅加快。

臺積電同步在日本布局

隨著日本半導體生態持續發展，臺積電也在擴大當地布局。據讀賣新聞 2026 年 2 月消息，臺積電已敲定在日本熊本縣量產3nm 先進芯片的計劃，這是 3nm 工藝首次在日本投產。

該項目預計投資約170 億美元。日本政府認為，3nm 芯片的應用場景與 Rapidus 的目標領域不同，因此兩者不存在直接市場競爭。