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三星面臨大罷工，存儲(chǔ)價(jià)格或加速上漲
- 最新消息，由超過(guò)6.6萬(wàn)名韓國(guó)三星電子工會(huì)成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會(huì)成員贊成罷工。若無(wú)重大變化，三星電子工會(huì)成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計(jì)劃。關(guān)鍵訴求：取消績(jī)效獎(jiǎng)金上限三星勞資雙方此前就2026年薪資問(wèn)題進(jìn)行了多輪談判，但雙方就部分議題的分歧持續(xù)擴(kuò)大，談判最終破裂。如果此次罷工得以實(shí)施，這將是三星自1969年成立以來(lái)遭遇的第二次大罷工，距離上一次2024年7月的25天總罷工僅不到兩年。三星工會(huì)要求提高績(jī)效獎(jiǎng)金計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)的透明度，取消績(jī)效獎(jiǎng)金
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲(chǔ) DRAM NAND HBM
Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%
- 據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務(wù)器級(jí)DRAM模塊（RDIMM）DDR5價(jià)格較2025年第四季度上漲150%，移動(dòng)終端用12GB LPDDR5X上漲130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，價(jià)格也暴漲180%。不僅是DRAM價(jià)格出現(xiàn)130%~180%的大幅上漲，NAND產(chǎn)品線也上漲約130%~150%，漲幅遠(yuǎn)超此前預(yù)期的季度增長(zhǎng)100%。業(yè)界預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)供應(yīng)短缺狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)至2027年下半年。A
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
全球首款1c LPDDR6，來(lái)了
- SK 海力士宣布，已成功開(kāi)發(fā)基于第六代 10 奈米級(jí)（1c）制程技術(shù)的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產(chǎn)品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗(yàn)證，預(yù)計(jì)今年上半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，并于下半年開(kāi)始供貨。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一種主要應(yīng)用于智能手機(jī)與平板等行動(dòng)裝置的低功耗 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)低電壓運(yùn)作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要鎖定 On-device AI 應(yīng)用，例如智能手機(jī)、平板電腦等終端設(shè)備。與
- 關(guān)鍵字： SK 海力士 LPDDR6 DRAM
應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作
- 隨著人工智能熱潮推動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時(shí)，也在加深與頭部存儲(chǔ)廠商的合作。據(jù)路透社報(bào)道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達(dá)成合作，共同開(kāi)發(fā)對(duì)人工智能與高性能計(jì)算至關(guān)重要的下一代芯片。3 月 10 日，應(yīng)用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術(shù)研發(fā)。雙方將在應(yīng)用材料新建的研發(fā)中心 ——設(shè)備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲(chǔ)材料、工藝整合及 3D 先進(jìn)封裝技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 美光 SK海力士 半導(dǎo)體 DRAM HBM NAND
海力士推出超性能版LPDDR6內(nèi)存：較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%
- 海力士宣布成功研發(fā)首款 LPDDR6 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，超性能版LPDDR6內(nèi)存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達(dá) 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內(nèi)存架構(gòu)一旦落地于 SOCAMM 模組，或?qū)⒊蔀閿?shù)據(jù)中心市場(chǎng)的一大助力。這家存儲(chǔ)芯片廠商同時(shí)透露，此款 LPDDR6 內(nèi)存基于其 2024 年發(fā)布的領(lǐng)先 10nm 級(jí)（1c）工藝節(jié)點(diǎn)打造。新款 LPDDR6 內(nèi)存芯片基礎(chǔ)運(yùn)行速率超 10.7Gbps，遠(yuǎn)超目前市場(chǎng)上性能最強(qiáng)的在售 LPDDR5X 內(nèi)存
- 關(guān)鍵字： 海力士 LPDDR6 內(nèi)存 LPDDR5X
應(yīng)用材料攜手美光 加速HBM、閃存及DRAM技術(shù)研發(fā)
- 應(yīng)用材料公司今日宣布，正與美光科技展開(kāi)合作，研發(fā)新一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、高帶寬內(nèi)存及閃存解決方案，以提升人工智能系統(tǒng)的高能效表現(xiàn)。雙方整合了應(yīng)用材料位于硅谷的 EPIC 創(chuàng)新中心的先進(jìn)研發(fā)能力，以及美光位于愛(ài)達(dá)荷州博伊西的頂尖創(chuàng)新中心資源，助力鞏固美國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)體系。應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官加里?迪克森表示：“應(yīng)用材料與美光長(zhǎng)期保持合作關(guān)系，始終致力于通過(guò)突破材料工程與制造創(chuàng)新的邊界，打造性能更優(yōu)、能效更高的先進(jìn)存儲(chǔ)芯片。下一代存儲(chǔ)技術(shù)在人工智能系統(tǒng)的未來(lái)發(fā)展中愈發(fā)關(guān)鍵，我們十分欣喜能以 EP
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存儲(chǔ)漲價(jià)后遺癥來(lái)了
- 此前，國(guó)家發(fā)改委價(jià)格監(jiān)測(cè)中心發(fā)文稱，2025 年 9 月至今，受需求「爆發(fā)式」增長(zhǎng)、產(chǎn)能「斷崖式」緊缺等因素影響，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)缺口擴(kuò)大，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，近 1 個(gè)月多以來(lái)，漲幅呈現(xiàn)擴(kuò)大態(tài)勢(shì)，建議關(guān)注存儲(chǔ)芯片對(duì)下游價(jià)格的影響。那么下游哪些產(chǎn)業(yè)會(huì)受到影響呢？全品類存儲(chǔ)價(jià)格全線沖高，漲價(jià)潮持續(xù)加碼硬件存儲(chǔ)價(jià)格的暴漲已持續(xù)半年，上行趨勢(shì)仍在持續(xù)強(qiáng)化。本輪漲價(jià)覆蓋了 DRAM、NAND Flash 兩大主流存儲(chǔ)品類，以及 Nor Flash、車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)等細(xì)分賽道，呈現(xiàn)出「全品類普漲、漲幅
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash
存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格最新動(dòng)態(tài)：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)高于合約價(jià)，二季度議價(jià)前市場(chǎng)情緒謹(jǐn)慎
- DRAM 平均現(xiàn)貨價(jià)格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，漲幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→39.17，漲幅 1.29%DDR4 16Gb（2G×8）eTT 版：32.34→33.02，漲幅 2.48%DDR4 16Gb（1G×8）3200：20.20→20.70，漲幅 2.10%DDR4 8Gb：13.53→13.66，漲幅 1.02%最新更新時(shí)間：2026 年 3 月 4 日
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM 現(xiàn)貨價(jià) 合約價(jià) 集邦咨詢
內(nèi)存價(jià)格邁入小時(shí)級(jí)波動(dòng)，中小廠商爭(zhēng)搶剩余貨源艱難求生
- 人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機(jī)，DRAM 市場(chǎng)被迫啟用 “小時(shí)級(jí)定價(jià)” 模式 —— 數(shù)萬(wàn)家中小企業(yè)為生存展開(kāi)激烈爭(zhēng)奪逾 19 萬(wàn)家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》今日發(fā)布的報(bào)道，受人工智能需求激增引發(fā)的內(nèi)存短缺問(wèn)題持續(xù)加劇影響，內(nèi)存價(jià)格開(kāi)始以小時(shí)為單位波動(dòng)。半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士提醒，若中小廠商無(wú)法預(yù)付貨款并立即下單，短短數(shù)分鐘內(nèi)報(bào)價(jià)就可能大幅上漲。報(bào)道指出，當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)已明顯分化：約 100 家頭部采購(gòu)商憑借議價(jià)能力牢牢掌握貨源，而超過(guò) 19 萬(wàn)家中小企業(yè)只能爭(zhēng)搶剩余的少量庫(kù)存。人工智能
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM NAND
三星和SK海力士將繼續(xù)大幅提高DRAM價(jià)格
- 據(jù)報(bào)道，全球前兩大DRAM芯片大廠三星和SK海力士已向客戶發(fā)出通知，今年第二季度將繼續(xù)大幅提高DRAM價(jià)格。而具體的漲價(jià)幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價(jià)以確保DRAM供應(yīng)。這一波DRAM價(jià)格的持續(xù)上漲，是因?yàn)樽匀ツ晗掳肽昶鹨駻I基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮刺激 —— 這也徹底改變了交易慣例，大客戶與中小企業(yè)之間的購(gòu)買力差距也在擴(kuò)大。有業(yè)內(nèi)人士觀察到，有些客戶必須接受價(jià)格上漲超過(guò)之前合同價(jià)格的兩倍以上，才能獲得DRAM的批量供應(yīng)。近期有消息顯示，三星在與蘋果就LPDDR5X供應(yīng)價(jià)格進(jìn)行談判時(shí)，三星
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM
DDR5顆粒擬漲40%，Q2 DRAM價(jià)格或翻倍
- 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，SK海力士和三星兩大內(nèi)存巨頭接連傳出漲價(jià)消息，DDR5內(nèi)存顆粒價(jià)格擬上調(diào)40%，第二季度DRAM價(jià)格或?qū)⒎丁?nbsp;內(nèi)存模組廠商已暫停對(duì)外報(bào)價(jià)，等待成本重新核算。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《PCDIY！》資深記者Rose Lee透露，新一波內(nèi)存漲價(jià)將呈現(xiàn)“一浪接一浪”的迅猛態(tài)勢(shì)，傳導(dǎo)速度極快。其中，DDR5主流32GB規(guī)格產(chǎn)品價(jià)格預(yù)計(jì)將從目前約新臺(tái)幣1萬(wàn)元飆升至2萬(wàn)元，突破歷史新高。目前，全球渠道商和代理商仍有部分低價(jià)庫(kù)存，但隨著成本上漲，這些庫(kù)存將逐步被消化，市場(chǎng)將全面進(jìn)入高價(jià)時(shí)代。
- 關(guān)鍵字： DDR5 DRAM
存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價(jià)格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價(jià)格再次創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到13美元，而NAND閃存價(jià)格漲幅超過(guò)33%。自去年4月以來(lái)，通用DRAM價(jià)格已連續(xù)11個(gè)月上漲。數(shù)據(jù)顯示，2月份通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價(jià)格為13.00美元，較上月的11.50美元上漲了13.04%。這一價(jià)格創(chuàng)下自2016年6月開(kāi)始該項(xiàng)調(diào)查以來(lái)的最高紀(jì)錄。TrendForce分析指出，PC DRAM價(jià)格較上一季度上漲
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)芯片 DRAM NAND TrendForce
存儲(chǔ)價(jià)格將繼續(xù)上漲
- 隨著AI服務(wù)的進(jìn)步，需求不斷增長(zhǎng)，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計(jì)今年內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢(shì)將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫(kù)存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫(kù)存管理和緊張的供需環(huán)境有利于就長(zhǎng)期合同進(jìn)行磋商，DRAM相對(duì)于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業(yè)務(wù)的擴(kuò)張。SK海力士認(rèn)為，在AI客戶強(qiáng)勁需求的推動(dòng)下，當(dāng)前的內(nèi)存價(jià)格上漲趨勢(shì)可能貫穿全年。雖然PC和移動(dòng)用戶可能因價(jià)格大幅上漲而降低配置（despeccing），這可能會(huì)抑制需求，但由于供應(yīng)擴(kuò)張能力有限，
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) NAND DRAM SK海力士
華邦電子預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格到2026年6月將暴漲近4倍，產(chǎn)能已預(yù)訂至2027年
- AI應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)內(nèi)存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說(shuō)會(huì)上指出，DRAM供應(yīng)緊張已成為當(dāng)前焦點(diǎn)。據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，公司表示DRAM短缺將持續(xù)存在，本季度內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望與本季持平。《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》進(jìn)一步指出，除了本季度價(jià)格接近翻倍外，第二季度價(jià)格預(yù)計(jì)還將再上漲近一倍，這意味著到2026年6月底，DRAM價(jià)格可能達(dá)到2025年底水平的近4倍。《工商時(shí)報(bào)》也提到，華邦2025年和2026年的產(chǎn)能已全部售罄，產(chǎn)線處于滿載運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。受此強(qiáng)勁漲價(jià)趨勢(shì)推動(dòng)，機(jī)構(gòu)投資者對(duì)
- 關(guān)鍵字： 華邦 DRAM
如何走出DRAM短缺困境？
- 如今科技領(lǐng)域似乎一切都圍繞AI展開(kāi)，而事實(shí)也的確如此。在計(jì)算機(jī)內(nèi)存市場(chǎng)，這一點(diǎn)體現(xiàn)得尤為明顯。為AI數(shù)據(jù)中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤(rùn)空間巨大，導(dǎo)致原本用于其他領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)能被分流，價(jià)格也隨之暴漲。據(jù)Counterpoint Research數(shù)據(jù)，本季度截至目前，DRAM價(jià)格已上漲80%～90%。電子行業(yè)為何會(huì)陷入這一困境？當(dāng)前局面是DRAM行業(yè)周期性繁榮與衰退疊加前所未有的AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)浪潮共同導(dǎo)致的結(jié)果。供需劇烈波動(dòng)的核心要理解這一事件的來(lái)龍去脈，就必須認(rèn)識(shí)到造成
- 關(guān)鍵字： DRAM GPU
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