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DRAM老三SK的大逆襲！專(zhuān)家揭稱(chēng)霸全球關(guān)鍵技術(shù)
- 在人工智能（AI）熱潮帶動(dòng)下，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)迎來(lái)三年來(lái)最強(qiáng)勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報(bào)價(jià)漲幅可望擴(kuò)大至三成以上。 財(cái)信傳媒董事長(zhǎng)謝金河指出，韓國(guó)SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過(guò)去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價(jià)狂飆近500%，且海力士專(zhuān)注于高階制程，不僅拉高產(chǎn)品附加價(jià)值，也導(dǎo)致DDR4與DDR5大缺貨，同時(shí)帶旺整個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。謝金河在臉書(shū)發(fā)文指出，韓國(guó)是今年全亞洲表現(xiàn)最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點(diǎn)一路漲到3617.86點(diǎn)，漲幅高達(dá)58.35%。 這波
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內(nèi)存模組廠(chǎng)十一長(zhǎng)假大蓋牌！ 消費(fèi)性DRAM暫停報(bào)價(jià)
- DRAM缺貨潮加速顯現(xiàn)，在中國(guó)十一長(zhǎng)假期間，存儲(chǔ)器市場(chǎng)詢(xún)單備貨的動(dòng)能不增反減，短期內(nèi)現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)飆升。近一周來(lái)，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調(diào)漲約8%。 盡管終端消費(fèi)市場(chǎng)需求平淡，但各家存儲(chǔ)器模組廠(chǎng)觀察到市場(chǎng)價(jià)格漲勢(shì)兇猛，包括臺(tái)系業(yè)者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報(bào)價(jià)，等待長(zhǎng)假結(jié)束后更明確的漲價(jià)行情。 據(jù)悉，此波暫停報(bào)價(jià)儼然已形成了連鎖效應(yīng)，威剛率先從上周實(shí)施暫停報(bào)價(jià)，以缺貨最為嚴(yán)重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態(tài)硬盤(pán)（SSD）等產(chǎn)品仍維持繼
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存模組 DRAM
因涉嫌向中國(guó)泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋
- 據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國(guó)泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬(wàn)億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級(jí)法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個(gè)月。法院在拘留期屆滿(mǎn)前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報(bào)道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級(jí)研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請(qǐng)保釋?zhuān)ㄔ菏芾怼?/li>
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士
三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場(chǎng)
- 各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專(zhuān)注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開(kāi)始建設(shè)量產(chǎn)線(xiàn)，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動(dòng)采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶(hù)協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶(hù)協(xié)商根據(jù)市場(chǎng)條件調(diào)整價(jià)格。在三大巨頭中，美光是第一個(gè)宣布提價(jià)的，據(jù) EE Times China9 月 12 日?qǐng)?bào)道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價(jià)格將上漲 20%-30%，提價(jià)不僅涉及消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)，還包括汽車(chē)電子，后者的價(jià)格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來(lái)源還表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 三星 AI 海力士
存儲(chǔ)器行情來(lái)得又急又快 DRAM報(bào)價(jià)10月看漲雙位數(shù)
- 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)在生成式AI與大型云端服務(wù)商（CSP）急單帶動(dòng)下，正式進(jìn)入新一輪長(zhǎng)線(xiàn)上行。 隨著業(yè)界開(kāi)始惜售，業(yè)者預(yù)期，10月DDR4與DDR5合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)，皆將出現(xiàn)雙位數(shù)漲幅。產(chǎn)業(yè)界大老指出，這一波內(nèi)存行情漲得又快又急，可望一路延續(xù)到2026年底。根據(jù)業(yè)界對(duì)10月漲幅最新預(yù)估，DDR5合約價(jià)將上漲10~15%，現(xiàn)貨價(jià)漲15~25%; DDR4合約價(jià)將上漲逾10%，現(xiàn)貨價(jià)漲幅則超過(guò)15%，隨著市場(chǎng)供貨趨緊，現(xiàn)貨價(jià)漲幅還有進(jìn)一步拉升的可能。業(yè)者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應(yīng)用與儲(chǔ)存需求強(qiáng)勁，推升NAN
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商切入下一代存儲(chǔ)技術(shù)：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng)，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級(jí)態(tài)勢(shì)攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴(lài)于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開(kāi)高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿(mǎn)足 AI 芯片對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計(jì)，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過(guò)高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運(yùn)行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時(shí)還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲(chǔ)廠(chǎng)商也普遍將 3D
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
2025年第二季度DRAM營(yíng)收增長(zhǎng)，SK海力士蟬聯(lián)第一
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)到316.3億美元，相比第一季度增長(zhǎng)了17.1%。這一增長(zhǎng)主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)的上漲以及出貨量的顯著提升，同時(shí)HBM出貨規(guī)模的擴(kuò)大也起到了推動(dòng)作用。集邦咨詢(xún)分析稱(chēng)，PC OEM、智能手機(jī)以及CSP廠(chǎng)商的采購(gòu)需求逐步回升，推動(dòng)DRAM原廠(chǎng)加速去庫(kù)存化，多數(shù)產(chǎn)品的合約價(jià)已止跌回升。在廠(chǎng)商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn)，其售價(jià)和位元出貨量均
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴(lài)
- 根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴(lài)日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話(huà)警告說(shuō)，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴(lài)可能會(huì)成為韓國(guó)在人工智能和 HBM 競(jìng)賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出，在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴(lài)于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND DRAM
實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問(wèn)世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來(lái)。
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)分析
- 在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動(dòng)下，2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)20%至321.01億美元，同比增長(zhǎng)37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠(chǎng)商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，二季度DRAM銷(xiāo)售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長(zhǎng)25.1%，市場(chǎng)份額提升至38.2%，連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開(kāi)與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長(zhǎng)13%，市場(chǎng)份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士 三星 美光 HBM
SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來(lái)DRAM技術(shù)路線(xiàn)圖
- SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會(huì)上，該公司提出了未來(lái)30年的DRAM新技術(shù)路線(xiàn)圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車(chē)善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動(dòng)DRAM技術(shù)創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來(lái)”的全體會(huì)議。首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說(shuō)，通過(guò)當(dāng)前的技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展來(lái)提高性能和容量變得越來(lái)越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門(mén)）平臺(tái)和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級(jí)或以下的技術(shù)。4F2 VG平臺(tái)是下一代
- 關(guān)鍵字： SK海力士 IEEE VLSI 2025 DRAM
中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破，基于 DRAM 原理
- 目前，在自動(dòng)駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域，對(duì)邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動(dòng)超低功耗邊緣智能的發(fā)展。現(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過(guò)自適應(yīng)變化來(lái)增強(qiáng)或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學(xué)習(xí)和記憶過(guò)程，多種可塑性機(jī)制——包括內(nèi)在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問(wèn)題，由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬教授以及香港理工大學(xué)蔡陽(yáng)教授領(lǐng)銜的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)提出了一種
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 半導(dǎo)體
據(jù)報(bào)道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場(chǎng)份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復(fù)蘇
- 三星電子因與英偉達(dá)的 HBM3E 驗(yàn)證問(wèn)題而面臨困境，據(jù)韓國(guó)媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報(bào)道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報(bào)告中稱(chēng)，其 DRAM 市場(chǎng)份額按價(jià)值計(jì)算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個(gè)百分點(diǎn)。值得注意的是，《韓民族日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星的 DRAM 市場(chǎng)份額首次跌破 40%，自 2014 年以來(lái)，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達(dá)到 48%
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲(chǔ)
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4 價(jià)格下滑放緩，韓國(guó)內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價(jià)
- 根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DDR4，由于兩家主要韓國(guó)供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片實(shí)施了顯著的月度價(jià)格上調(diào)，之前的價(jià)格下跌趨勢(shì)有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買(mǎi)方和賣(mài)方預(yù)期價(jià)格差異的限制，實(shí)際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格，由于兩家主要韓國(guó)供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片實(shí)施了大幅度的月度漲價(jià)，之前的價(jià)格下跌趨勢(shì)有所緩和。目前，DDR4 市場(chǎng)顯示現(xiàn)貨價(jià)格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品，隨著合約價(jià)
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DRAM DDR4
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