久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d 晶體管

3d 晶體管 文章 最新資訊

晶體管水平掃描電路的掃描電壓線性改進電路圖

晶體管與LC回路構(gòu)成的晶頻電路圖

晶體管溫度補償電路圖

  • 溫度升高，電流增大，NTC熱敏電阻阻值下降，Ub下降，Ib減小，穩(wěn)定晶體管靜態(tài)工作點。
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  溫度補償  

晶體管輸出驅(qū)動電路

技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

  • 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設備及消費者的優(yōu)先選擇。
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  SSD  

汽車車載3D技術(shù)應用助力實現(xiàn)安全駕駛

  • 3D并不是什么新技術(shù)，在消費電子領(lǐng)域已有廣泛的應用，但在汽車應用中卻處于起步階段，仍需要相關(guān)技術(shù)和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應用為
  • 關(guān)鍵字： 車載  3D  安全駕駛  

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  3D XPoint  

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  3D XPoint  

2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

  • 　　摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
  • 關(guān)鍵字： SSD  3D NAND  

2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

  • 　　由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 　　   　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  

氮化鎵（GaN）晶體管設備越薄越冷

  • 　　伊利諾伊大學研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 　　GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量，這會限制他們的性能。 　　基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學微納米技術(shù)實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。 　　采用計算機輔助設計，坎·拜拉姆的團隊已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設備的熱預期和最終性能。
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  晶體管  

晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器

  • 引言雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點，它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過去由于這些元件太高成本而不可能實現(xiàn)的新應用，比如我們可以在某些情況下用多個并聯(lián)的小
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  穩(wěn)壓器  

1nm晶體管現(xiàn)身！

  • 　　以物理學規(guī)則來看，電晶體的最小尺寸被認為是5奈米，但透過采用碳奈米管制作電晶體閘極，這個極限已經(jīng)被突破… 　　碳奈米管從過去幾十年就已經(jīng)用于制作實驗性電晶體，但大多是當做電晶體通道(channel);美國勞倫斯柏克萊國家實驗室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate)，并因此實現(xiàn)了號稱全世界最小的電晶體。 　　   　　采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
  • 關(guān)鍵字： 1nm  晶體管  

DIY 3D全息投影儀

  • YouTube上的科技頻道總不乏各種技術(shù)宅的奇思妙想，日前，一位名為“Mrwhosetheboss”發(fā)布了一則有趣的視頻，記錄了他將一臺智能手機打造成一臺3D全息投影儀的全過程。 下面就讓我們一起來見證一下奇跡發(fā)
  • 關(guān)鍵字： 3D  全息投影儀  DIY  

1nm晶體管能否改寫摩爾定律的命運？

  • 隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，摩爾定律所預言的發(fā)展軌跡似乎已逼近終點。這意味著，固守傳統(tǒng)思路的芯片制造商將舉步維艱。
  • 關(guān)鍵字： 1nm  晶體管  
共1064條 19/71 |‹ « 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 » ›|

3d 晶體管介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d 晶體管!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d 晶體管的理解，并與今后在此搜索3d 晶體管的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473