晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。
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1nm 晶體管
北京時間10月7日晚間消息，美國勞倫斯伯克力國家實驗室(以下簡稱“伯克力實驗室”)教授阿里-加維(Ali Javey)領導的一個研究小組日前利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的晶體管。
晶體管由三個終端組成：源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。電流從源極流到漏極，由柵極來控制，后者會根據所施加的電壓打開和關閉。
伯克力實驗室研究人員蘇杰伊-德賽(Sujay Desai)稱：“長期以來，半導體行業一直認為，任何小
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摩爾定律 晶體管
美光公司日前開始量產其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產品的連續讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍，據稱也更加耐用。
Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發現有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認的
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美光 3D NAND
武漢東湖新技術開發區管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數據型閃存(3D NAND Flash)技術開發及產業化”項目可行性專家評審會，業內專家對
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3D NAND
三星最新的產品是一種面向企業級應用、高可靠的固態盤存儲--V-NAND固態盤。最新用于固態盤V-NAND技術帶來性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固態盤
現在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存儲技術
最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領先地位。
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3D NAND 三星
存儲器作為四大通用芯片之一，發展存儲芯片產業的意義不言而喻。對電子產品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全等亦息息相關。
當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯網廠商帶動數據中心爆發，使得國產廠商對存儲需求量巨大。
相關數據顯示，2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
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3D NAND DRAM
美光(Micron)3D NAND固態硬碟(SSD)產品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產品。
美光移動事業行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產品，鎖定中、高階智能型手機市場，此區塊市場占全球智能型手機總數的50%。
而這也是業界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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美光 3D NAND
在指針式萬用電表中，測量晶體管直流電流放大倍數是通過直流電流表(通常在1.5V標稱電壓下，標準量程為5mA)測量的。隨著電池電壓的減小，通過調節電阻檔的零歐姆電位器以使電流表達到滿度，由于電流表偏離標準量程，也就造成了測量誤差。文中分析了當電池電壓從1.65V降至1.35V過程中所產生的誤差值。取其中的最大值作為技術指標中的誤差值。而一般廠家在技術指標中，沒有給出該誤差值或精度等級。
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萬用電表 晶體管 電流放大倍數 誤差分析 201609
利用半導體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機電方面的書看
下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態表示二進制的“0”和“1”。
源極和漏極之間是溝道(Channel)，當沒有對柵極(G)施加電壓的時候，溝道中不會聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會有有效電流產生，晶體管處于關閉狀態。可以把這種關閉的狀態解釋為&l
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晶體管
中國正在下大力度推進存儲產業的發展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。
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3D NAND 存儲器
目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰即將開打!
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美光 3D NAND
據韓國經濟報導，大陸半導體產業在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業者也紛紛強化投資。
市調業者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發NAND Flash市場版圖變化。
清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
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三星 3D NAND
本月早些時候公布的2015年半導體國際技術路線圖顯示，經過50多年的小型化，晶體管可能將在短短五年間停止縮減。該報告的預測，到2021年之后，繼續縮微處理器當中小晶體管的尺寸，對公司來說不再經濟。相反，芯片制造商將使用其它手段提升晶體管密度，即從水平專到垂直，建立多層電路。
一些人認為，這一變化將有可能被解釋為摩爾定律死亡的另外一種方式。雪上加霜的是，這是最后一份ITRS路線圖。目前，半導體行業協會和半導體研究公司已經分道揚鑣，就摩爾定律死亡之后，尋找和制定新的半導體發展路線圖。預計其他ITRS
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