- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律 3D NAND
- 雖然真空管曾經一度是早期電子元器件的基本核心組件，但是截止到上個世紀七十年代，真空管就已基本被半導體晶體管所全部替代。可是，近年來美國航空航天局(NASA)艾姆斯研究中心的研究人員一直在開發可將真空管和現代半導體晶體管的優勢融為一體的“納米真空溝道晶體管”(NVCTs, nanoscale vacuum channel transistors)。
與傳統晶體管相比，納米真空溝道晶體管的速度更快且對高溫和輻射等極端環境的抵抗能力更強。這些優勢使納米真空溝道晶體管成為了抗輻照
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晶體管
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統硬盤，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。
市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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三星 3D NAND
- “首屆IC咖啡國際智慧科技產業峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產品的戰略思考。
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存儲器 3D NAND DRAM 20170203
- 多年來這個定律一直在發揮作用。第一個集成電路(由德州儀器的杰克?基爾比發明，見圖)還只是一個笨拙不堪的大家伙，而現在晶體管已需用納米(1米的十億分之一)來計量。人們以摩爾定律的發展速度創造了快速而智能化的計算機，圖案漂亮并將世界聯接在了一起。從摩爾博士創立這個定律的時候起，人類就進入了一個不可思議的信息技術時代。本來一個不經意的發現竟有如此強大的生命力。 其實它并不是一條真正的定律，而只是一種現象，一種對技術發展漫漫征程的描述，發展的每一步都包含著具體的技術變革(見圖表)。技術發展勢不可擋，已成預言
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摩爾定律 晶體管
- 據海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
Chosun Biz日前引述業界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產所需設備及人力費用。
三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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三星 3D NAND
- 東京—東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向游樂設備LED照明、工業設備高電壓信號發射機等應用推出新一代晶體管陣列“TBD62089APG”。該新IC在輸入部分集成了為數據存儲功能提供支持的D型觸發器電路(8位類型)。樣品發貨即日啟動，量產計劃于2016年12月開始。 游樂設備(彈球盤和老虎機)、家用電器(空調和冰箱)以及工業設備(自動售貨機、ATM等銀行終端、辦公室自動化設備和工廠自動化設備)等應用每年都不斷增加功能，導致IC的安裝面積不足。 TBD62089APG采用DIP20封
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東芝 晶體管
- 據美國電氣與電子工程師協會《光譜》雜志網站11日報道，美國國家航空航天局(NASA)與韓國科學技術研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修復的晶體管。研究人員表示，最新自我修復技術有助于研制單芯片飛船，其能以五分之一光速飛行，在20年內抵達距太陽系最近的恒星“比鄰星”。
今年4月12日，霍金宣布啟動“突破攝星”計劃，同俄羅斯商人尤里·米爾納、臉譜創始人馬克·扎克伯格合作建造能以五分之一光速(每秒6萬千米)飛行的微型
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芯片 晶體管
- 集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/模混合集成電路三大模擬集成電路又稱線性電路，用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機...
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晶體管 混合式 應急電源
- 與HE-NE激光器相比,COZ激光器的觸發電壓和工作電壓更高,工作電流也大.因此對構成電源的每個元器件的耐壓能力和功率容量的要求可能超過容許值.而晶體管的耐壓能力較差,常常需要串聯使用....
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電子管 晶體管 串聯穩壓電源
- UJT觸發電路的優點是,電路簡單.但產生的輸出是尖脈沖,并且移相范圍不寬,僅適用于直接觸發同步信號與控制信號的迭加來控制移相角.我們將分別討論同步信號是正弦波和鋸齒兩種移相電路....
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晶體管 移相觸發
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