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1d dram 文章 最新資訊

三星1d DRAM良率問題或拖慢HBM5E量產(chǎn)計劃

  • 據(jù)韓國媒體報道，三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）因良率未達(dá)標(biāo)，短期內(nèi)可能無法實現(xiàn)量產(chǎn)，進而影響其下一代HBM內(nèi)存的推進節(jié)奏。這一技術(shù)問題直接波及三星計劃中的HBM5E產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)。一位接近三星內(nèi)部的人士透露，三星電子決定在D1d良率達(dá)到預(yù)期目標(biāo)之前無限期推遲量產(chǎn)計劃，且尚未明確重啟時間。公司正重新審視工藝路線圖，以尋求良率提升的解決方案。盡管D1d DRAM技術(shù)此前已通過預(yù)生產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA），但因良率低于預(yù)期，三星對其試產(chǎn)和量產(chǎn)的投資回報率（ROI）表示擔(dān)憂。D1d DRAM技術(shù)對三
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1864億！SK海力士達(dá)營業(yè)利潤率高達(dá)72%，碾壓臺積電

  • 2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務(wù)報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長60%，同比增長198%；營業(yè)利潤 37.61 萬億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長 405.5%；凈利潤 40.34 萬億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長 397.6%。從季度業(yè)績來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關(guān)，營業(yè)利潤為37.6萬億韓元，營業(yè)利潤率達(dá)
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NAND報價狂漲：LTA將成為存儲器行業(yè)主流模式

  • 本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達(dá)40%，缺口持續(xù)擴大助推價格飆升。DRAM漲幅逐步收斂，反觀NAND價格動能轉(zhuǎn)強，甚至超越DRAM：預(yù)估一般型DRAM在第二季度合約價格將上漲約58%-63%，NAND閃存則上漲約70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND產(chǎn)能幾近消失，終端客戶庫存普遍僅剩六至九個月，供需結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)趨緊繃。大摩科技產(chǎn)業(yè)分析師在最新釋出的報告中指
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DRAM的 “打地鼠” 式安全危機

  • 核心要點Rowhammer（行錘） 仍是 DRAM 的主要安全威脅，Rowpress（行壓） 正成為新的相關(guān)威脅。內(nèi)存控制器發(fā)出的新型刷新指令可緩解問題，但并非完美解決方案。更小的垂直結(jié)構(gòu) DRAM 單元有望從根本上消除問題，但距離量產(chǎn)仍需數(shù)年。Rowhammer 已經(jīng)困擾了數(shù)代 DRAM 產(chǎn)品，并且隨著制程進步愈發(fā)嚴(yán)重。與之相關(guān)的新型漏洞 Rowpress 也隨之出現(xiàn)。新的刷新指令可以減輕不良影響，但要徹底根除問題，可能只能依靠新一代 DRAM 存儲單元結(jié)構(gòu)。新思科技（Synopsys）應(yīng)用工程執(zhí)行董事
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三星無懼DRAM崩盤恐慌：一季度漲價翻倍后，二季度再提價 30%

  • 如今的內(nèi)存市場，簡直像維多利亞時代那位被焦慮裹挾的貴婦一樣歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 領(lǐng)域：現(xiàn)貨價格小幅回調(diào)，就引發(fā)了 “行業(yè)末日” 的唱衰論調(diào)，甚至連帶股價大跌。但三星這類真正的行業(yè)巨頭卻始終淡定，并且鐵了心按計劃持續(xù)提價。三星 2026 年一季度 DRAM 價格翻倍后，二季度內(nèi)存產(chǎn)品再平均漲價 30%據(jù)韓國《ETNews》報道，三星已對其 DRAM 產(chǎn)品執(zhí)行 ** 季度環(huán)比約 30%的提價供貨。關(guān)鍵在于，此次漲價是在2026 年一季度 DRAM 均價同比大漲 100%** 的基礎(chǔ)上繼續(xù)上
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內(nèi)存漲不停 Q2上看5成

  • TrendForce最新存儲器產(chǎn)業(yè)研究指出，大廠逐步退出成熟DDR4以下產(chǎn)品制造的策略不變，在市場供給結(jié)構(gòu)持續(xù)收斂下，過去幾個月，整體價格已累積驚人漲幅。 由于目前市場供需仍未平衡，市場普遍看好，內(nèi)存報價漲勢，至少將延伸到今年下半年。TrendForce考量供給持續(xù)縮減，以及訂單轉(zhuǎn)移，但臺廠產(chǎn)能擴張不及等因素，預(yù)估2026年第二季consumer DRAM合約價格，仍將持續(xù)季增45~50%。內(nèi)存業(yè)者則更樂觀的預(yù)期，今年全年價格都將維持向上趨勢。TrendForce表示，2026年3月consumer DR
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DRAM合約價再度上漲30%

  • 韓國媒體ETnews報道，三星在一季度將DRAM合約價上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價將再度上漲30%。由于隨著對AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的擴展，包括三星在內(nèi)的主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能集中在HBM上，通用DRAM的供應(yīng)變得不足，導(dǎo)致價格急劇上漲。據(jù)悉，三星已確認(rèn)于3月底與主要客戶完成價格談判，并簽署了供應(yīng)合同。DRAM合約價30%的漲幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手機所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已經(jīng)將DRAM的平均價格提高了100%。這意味著，如果2025年DRAM價格為10000韓元
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美光CEO：DRAM供不應(yīng)求將持續(xù)至2027年

  • 4月2日，據(jù)外資投行摩根士丹利針對美光科技（Micron）的跟蹤報告顯示，美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投資人會議中透露，盡管美光正在加速擴產(chǎn)DRAM，但新產(chǎn)能最快要到2027年底才能出貨。因此，DRAM供不應(yīng)求的局面將持續(xù)至2027年。此外，部分關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備的產(chǎn)能不足也是導(dǎo)致這一現(xiàn)象的重要原因。 目前，人工智能芯片對高帶寬內(nèi)存（HBM）的強勁需求，成為DRAM市場供不應(yīng)求的核心瓶頸。美光計劃在2025年第三季度將其HBM市場份額提升至與整體DRAM市場份額持平的水平
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長鑫科技IPO最新進展

  • 根據(jù)上交所官網(wǎng)披露的信息顯示，國產(chǎn)DRAM巨頭長鑫科技科創(chuàng)板IPO審核狀態(tài)變更為“中止”，引起市場關(guān)注。關(guān)于此次“中止”，上交所給出的說明為“長鑫科技集團股份有限公司因發(fā)行上市申請文件中記載的財務(wù)資料已過有效期，需要補充提交。”需要指出的是，目前的“中止”狀態(tài)并非“終止”。本次“中止”屬于IPO審核過程中的技術(shù)性暫停，而非審核終止，不妨礙企業(yè)IPO的正常審核，通常在企業(yè)補充披露審計材料并提交更新稿后，審核程序?qū)⒒謴?fù)，上市進程未受實質(zhì)性影響。針對此次IPO中止，長鑫科技相關(guān)消息人士明確回應(yīng)，此次狀態(tài)調(diào)整屬于
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存儲市場超級周期來臨：AI 驅(qū)動下的機遇、挑戰(zhàn)與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)

  • 存儲器行業(yè)固有的 boom-bust 周期魔咒、供應(yīng)鏈重構(gòu)壓力、技術(shù)迭代挑戰(zhàn)以及全球產(chǎn)業(yè)格局的重新洗牌，也讓這場繁榮背后暗藏多重考驗。
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“黃金氣體”短缺成為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈新危機

  • 中東沖突的蔓延正通過氦氣短缺影響半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。伊朗對全球主要氦氣生產(chǎn)國卡塔爾的設(shè)施發(fā)動襲擊，導(dǎo)致現(xiàn)貨價格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對芯片生產(chǎn)構(gòu)成重大風(fēng)險，尤其對三星電子和SK海力士等韓國企業(yè)造成嚴(yán)重影響 —— 市值蒸發(fā)超過2000億美元。最新報告顯示，伊朗對卡塔爾能源設(shè)施的襲擊嚴(yán)重影響了氦氣（被譽為“黃金氣體”）的供應(yīng)。這種看似“小眾”的工業(yè)氣體正逐漸成為全球芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵風(fēng)險因素。據(jù)報道，卡塔爾占全球氦氣供應(yīng)量的30%以上，其核心生產(chǎn)設(shè)施受損導(dǎo)致全球供應(yīng)驟減。短短兩周內(nèi)，氦氣現(xiàn)
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閃迪10億美元入股南亞科技，強化DRAM供應(yīng)鏈合作

  • 據(jù)彭博社報道，存儲芯片巨頭閃迪（Sandisk）旗下子公司閃迪科技（Sandisk Technology）近日通過私募配售方式，以10億美元收購南亞科技1.39億股股份，占其流通普通股比例約3.9%。 南亞科技是中國臺灣地區(qū)的一家領(lǐng)先DRAM芯片制造商，專注于消費電子、計算機及服務(wù)器等領(lǐng)域的DRAM產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)。根據(jù)雙方達(dá)成的多年戰(zhàn)略供應(yīng)協(xié)議，南亞科技將向閃迪科技持續(xù)供應(yīng)DRAM產(chǎn)品。這標(biāo)志著雙方的合作從單純的買賣關(guān)系升級為資本紐帶下的深度綁定。 此次交易價格較南亞科技30日均價折讓
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三星面臨大罷工，存儲價格或加速上漲

  • 最新消息，由超過6.6萬名韓國三星電子工會成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會成員贊成罷工。若無重大變化，三星電子工會成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計劃。關(guān)鍵訴求：取消績效獎金上限三星勞資雙方此前就2026年薪資問題進行了多輪談判，但雙方就部分議題的分歧持續(xù)擴大，談判最終破裂。如果此次罷工得以實施，這將是三星自1969年成立以來遭遇的第二次大罷工，距離上一次2024年7月的25天總罷工僅不到兩年。三星工會要求提高績效獎金計算標(biāo)準(zhǔn)的透明度，取消績效獎金
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Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%

  • 據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務(wù)器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用12GB LPDDR5X上漲130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，價格也暴漲180%。不僅是DRAM價格出現(xiàn)130%~180%的大幅上漲，NAND產(chǎn)品線也上漲約130%~150%，漲幅遠(yuǎn)超此前預(yù)期的季度增長100%。業(yè)界預(yù)測，存儲供應(yīng)短缺狀況預(yù)計將持續(xù)至2027年下半年。A
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全球首款1c LPDDR6，來了

  • SK 海力士宣布，已成功開發(fā)基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術(shù)的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產(chǎn)品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預(yù)計今年上半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，并于下半年開始供貨。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一種主要應(yīng)用于智能手機與平板等行動裝置的低功耗 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)，通過低電壓運作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要鎖定 On-device AI 應(yīng)用，例如智能手機、平板電腦等終端設(shè)備。與
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1d dram介紹

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