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1d dram 文章 最新資訊

應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作

  • 隨著人工智能熱潮推動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時(shí)，也在加深與頭部存儲(chǔ)廠商的合作。據(jù)路透社報(bào)道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達(dá)成合作，共同開發(fā)對(duì)人工智能與高性能計(jì)算至關(guān)重要的下一代芯片。3 月 10 日，應(yīng)用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術(shù)研發(fā)。雙方將在應(yīng)用材料新建的研發(fā)中心 ——設(shè)備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲(chǔ)材料、工藝整合及 3D 先進(jìn)封裝技術(shù)
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應(yīng)用材料攜手美光 加速HBM、閃存及DRAM技術(shù)研發(fā)

  • 應(yīng)用材料公司今日宣布，正與美光科技展開合作，研發(fā)新一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、高帶寬內(nèi)存及閃存解決方案，以提升人工智能系統(tǒng)的高能效表現(xiàn)。雙方整合了應(yīng)用材料位于硅谷的 EPIC 創(chuàng)新中心的先進(jìn)研發(fā)能力，以及美光位于愛達(dá)荷州博伊西的頂尖創(chuàng)新中心資源，助力鞏固美國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)體系。應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官加里?迪克森表示：“應(yīng)用材料與美光長(zhǎng)期保持合作關(guān)系，始終致力于通過(guò)突破材料工程與制造創(chuàng)新的邊界，打造性能更優(yōu)、能效更高的先進(jìn)存儲(chǔ)芯片。下一代存儲(chǔ)技術(shù)在人工智能系統(tǒng)的未來(lái)發(fā)展中愈發(fā)關(guān)鍵，我們十分欣喜能以 EP
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存儲(chǔ)漲價(jià)后遺癥來(lái)了

  • 此前，國(guó)家發(fā)改委價(jià)格監(jiān)測(cè)中心發(fā)文稱，2025 年 9 月至今，受需求「爆發(fā)式」增長(zhǎng)、產(chǎn)能「斷崖式」緊缺等因素影響，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)缺口擴(kuò)大，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，近 1 個(gè)月多以來(lái)，漲幅呈現(xiàn)擴(kuò)大態(tài)勢(shì)，建議關(guān)注存儲(chǔ)芯片對(duì)下游價(jià)格的影響。那么下游哪些產(chǎn)業(yè)會(huì)受到影響呢？全品類存儲(chǔ)價(jià)格全線沖高，漲價(jià)潮持續(xù)加碼硬件存儲(chǔ)價(jià)格的暴漲已持續(xù)半年，上行趨勢(shì)仍在持續(xù)強(qiáng)化。本輪漲價(jià)覆蓋了 DRAM、NAND Flash 兩大主流存儲(chǔ)品類，以及 Nor Flash、車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)等細(xì)分賽道，呈現(xiàn)出「全品類普漲、漲幅
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存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格最新動(dòng)態(tài)：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)高于合約價(jià)，二季度議價(jià)前市場(chǎng)情緒謹(jǐn)慎

  • DRAM 平均現(xiàn)貨價(jià)格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，漲幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→39.17，漲幅 1.29%DDR4 16Gb（2G×8）eTT 版：32.34→33.02，漲幅 2.48%DDR4 16Gb（1G×8）3200：20.20→20.70，漲幅 2.10%DDR4 8Gb：13.53→13.66，漲幅 1.02%最新更新時(shí)間：2026 年 3 月 4 日
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內(nèi)存價(jià)格邁入小時(shí)級(jí)波動(dòng)，中小廠商爭(zhēng)搶剩余貨源艱難求生

  • 人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機(jī)，DRAM 市場(chǎng)被迫啟用 “小時(shí)級(jí)定價(jià)” 模式 —— 數(shù)萬(wàn)家中小企業(yè)為生存展開激烈爭(zhēng)奪逾 19 萬(wàn)家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》今日發(fā)布的報(bào)道，受人工智能需求激增引發(fā)的內(nèi)存短缺問(wèn)題持續(xù)加劇影響，內(nèi)存價(jià)格開始以小時(shí)為單位波動(dòng)。半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士提醒，若中小廠商無(wú)法預(yù)付貨款并立即下單，短短數(shù)分鐘內(nèi)報(bào)價(jià)就可能大幅上漲。報(bào)道指出，當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)已明顯分化：約 100 家頭部采購(gòu)商憑借議價(jià)能力牢牢掌握貨源，而超過(guò) 19 萬(wàn)家中小企業(yè)只能爭(zhēng)搶剩余的少量庫(kù)存。人工智能
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三星和SK海力士將繼續(xù)大幅提高DRAM價(jià)格

  • 據(jù)報(bào)道，全球前兩大DRAM芯片大廠三星和SK海力士已向客戶發(fā)出通知，今年第二季度將繼續(xù)大幅提高DRAM價(jià)格。而具體的漲價(jià)幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價(jià)以確保DRAM供應(yīng)。這一波DRAM價(jià)格的持續(xù)上漲，是因?yàn)樽匀ツ晗掳肽昶鹨駻I基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮刺激 —— 這也徹底改變了交易慣例，大客戶與中小企業(yè)之間的購(gòu)買力差距也在擴(kuò)大。有業(yè)內(nèi)人士觀察到，有些客戶必須接受價(jià)格上漲超過(guò)之前合同價(jià)格的兩倍以上，才能獲得DRAM的批量供應(yīng)。近期有消息顯示，三星在與蘋果就LPDDR5X供應(yīng)價(jià)格進(jìn)行談判時(shí)，三星
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DDR5顆粒擬漲40%，Q2 DRAM價(jià)格或翻倍

  • 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，SK海力士和三星兩大內(nèi)存巨頭接連傳出漲價(jià)消息，DDR5內(nèi)存顆粒價(jià)格擬上調(diào)40%，第二季度DRAM價(jià)格或?qū)⒎丁?nbsp;內(nèi)存模組廠商已暫停對(duì)外報(bào)價(jià)，等待成本重新核算。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《PCDIY！》資深記者Rose Lee透露，新一波內(nèi)存漲價(jià)將呈現(xiàn)“一浪接一浪”的迅猛態(tài)勢(shì)，傳導(dǎo)速度極快。其中，DDR5主流32GB規(guī)格產(chǎn)品價(jià)格預(yù)計(jì)將從目前約新臺(tái)幣1萬(wàn)元飆升至2萬(wàn)元，突破歷史新高。目前，全球渠道商和代理商仍有部分低價(jià)庫(kù)存，但隨著成本上漲，這些庫(kù)存將逐步被消化，市場(chǎng)將全面進(jìn)入高價(jià)時(shí)代。 
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存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高

  • 據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價(jià)格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價(jià)格再次創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到13美元，而NAND閃存價(jià)格漲幅超過(guò)33%。自去年4月以來(lái)，通用DRAM價(jià)格已連續(xù)11個(gè)月上漲。數(shù)據(jù)顯示，2月份通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價(jià)格為13.00美元，較上月的11.50美元上漲了13.04%。這一價(jià)格創(chuàng)下自2016年6月開始該項(xiàng)調(diào)查以來(lái)的最高紀(jì)錄。TrendForce分析指出，PC DRAM價(jià)格較上一季度上漲
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存儲(chǔ)價(jià)格將繼續(xù)上漲

  • 隨著AI服務(wù)的進(jìn)步，需求不斷增長(zhǎng)，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計(jì)今年內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢(shì)將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫(kù)存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫(kù)存管理和緊張的供需環(huán)境有利于就長(zhǎng)期合同進(jìn)行磋商，DRAM相對(duì)于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業(yè)務(wù)的擴(kuò)張。SK海力士認(rèn)為，在AI客戶強(qiáng)勁需求的推動(dòng)下，當(dāng)前的內(nèi)存價(jià)格上漲趨勢(shì)可能貫穿全年。雖然PC和移動(dòng)用戶可能因價(jià)格大幅上漲而降低配置（despeccing），這可能會(huì)抑制需求，但由于供應(yīng)擴(kuò)張能力有限，
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華邦電子預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格到2026年6月將暴漲近4倍，產(chǎn)能已預(yù)訂至2027年

  • AI應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)內(nèi)存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說(shuō)會(huì)上指出，DRAM供應(yīng)緊張已成為當(dāng)前焦點(diǎn)。據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，公司表示DRAM短缺將持續(xù)存在，本季度內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望與本季持平。《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》進(jìn)一步指出，除了本季度價(jià)格接近翻倍外，第二季度價(jià)格預(yù)計(jì)還將再上漲近一倍，這意味著到2026年6月底，DRAM價(jià)格可能達(dá)到2025年底水平的近4倍。《工商時(shí)報(bào)》也提到，華邦2025年和2026年的產(chǎn)能已全部售罄，產(chǎn)線處于滿載運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。受此強(qiáng)勁漲價(jià)趨勢(shì)推動(dòng)，機(jī)構(gòu)投資者對(duì)
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如何走出DRAM短缺困境？

  • 如今科技領(lǐng)域似乎一切都圍繞AI展開，而事實(shí)也的確如此。在計(jì)算機(jī)內(nèi)存市場(chǎng)，這一點(diǎn)體現(xiàn)得尤為明顯。為AI數(shù)據(jù)中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤(rùn)空間巨大，導(dǎo)致原本用于其他領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)能被分流，價(jià)格也隨之暴漲。據(jù)Counterpoint Research數(shù)據(jù)，本季度截至目前，DRAM價(jià)格已上漲80%～90%。電子行業(yè)為何會(huì)陷入這一困境？當(dāng)前局面是DRAM行業(yè)周期性繁榮與衰退疊加前所未有的AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)浪潮共同導(dǎo)致的結(jié)果。供需劇烈波動(dòng)的核心要理解這一事件的來(lái)龍去脈，就必須認(rèn)識(shí)到造成
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英特爾重返 DRAM 賽道？深入解析與軟銀合作的 Z-Angle 內(nèi)存項(xiàng)目

  • 2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達(dá)成合作，共同研發(fā) Z-Angle 內(nèi)存（ZAM），其內(nèi)存領(lǐng)域的野心再度引發(fā)關(guān)注。根據(jù)雙方發(fā)布的新聞稿，該項(xiàng)目將于 2026 年第一季度啟動(dòng)，預(yù)計(jì) 2027 年推出原型產(chǎn)品，2030 年實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。在此次合作中，英特爾將提供技術(shù)與創(chuàng)新支持，SAIMEMORY 則主導(dǎo)產(chǎn)品研發(fā)與商業(yè)化進(jìn)程。《日本電子工程時(shí)報(bào)》援引軟銀發(fā)言人的表述稱，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 軸，研發(fā)團(tuán)隊(duì)正考慮采用垂直堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。報(bào)道還提到，軟銀計(jì)劃在 2027 財(cái)年完
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電動(dòng)車企成本的“完美風(fēng)暴”正在形成

  • 瑞銀在最新研報(bào)中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購(gòu)置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來(lái)了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關(guān)鍵零部件（存儲(chǔ)芯片DRAM）價(jià)格的劇烈反彈。據(jù)該行測(cè)算，一輛典型的中型智能電動(dòng)車的成本通脹高達(dá)人民幣4000至7000元。瑞銀稱，在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤(rùn)微薄的市場(chǎng)環(huán)境下，由于車企很難將這部分成本轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者，這波成本上漲足以將車企的利潤(rùn)完全吞噬（fully erode carmakers' margin）。金屬價(jià)格全線反彈研報(bào)稱，瑞銀基于其過(guò)往的拆解數(shù)據(jù)，建立了一個(gè)
  • 關(guān)鍵字： 電動(dòng)車  DRAM  金屬  購(gòu)置稅  

上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)

  • 三星今年第一季度對(duì)NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過(guò)100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對(duì)NAND產(chǎn)品采取了類似的定價(jià)策略；存儲(chǔ)芯片大廠SanDisk也計(jì)劃在一季度將面向企業(yè)級(jí)的NAND價(jià)格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢(shì)頭將在第二季度延續(xù)。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價(jià)格漲幅為上一季度的3
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瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車業(yè) 2大品牌最危險(xiǎn)

  • 生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，卻可能為汽車供應(yīng)鏈埋下新的不確定性。 瑞銀最新發(fā)布的全球汽車產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告警告，受AI服務(wù)器需求暴增影響，DRAM產(chǎn)能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導(dǎo)致汽車級(jí)存儲(chǔ)器面臨價(jià)格上漲與供應(yīng)短缺的雙重壓力，相關(guān)沖擊預(yù)計(jì)將自2026年第二季開始逐步浮現(xiàn)。瑞銀指出，全球三大DRAM供應(yīng)商三星電子、SK海力士與美光，為追求更高的毛利率，已明確將產(chǎn)能重心轉(zhuǎn)向AI服務(wù)器所需的HBM產(chǎn)品，由于汽車級(jí)DDR內(nèi)存與AI芯片共享有限的硅晶圓產(chǎn)能，HBM產(chǎn)能快速擴(kuò)張，勢(shì)必排擠車用DR
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1d dram介紹

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