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晶圓廠 文章 最新資訊

恩智浦將關(guān)閉ECHO Fab晶圓廠，退出氮化鎵5G PA芯片制造

  • 12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報(bào)道，NXP 恩智浦已做出了關(guān)閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業(yè)也將退出氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投產(chǎn)的 ECHO Fab 當(dāng)時(shí)是最先進(jìn)的同類生產(chǎn)設(shè)施。而在 2027 年第一季度，這座生命周期不到七年的 6 英寸晶圓廠將完成最后一片晶圓的生產(chǎn)。恩智浦在一份郵件中表示：近年來(lái)，由于移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商投資回報(bào)不足，5G 部署進(jìn)程放緩，全球 5G 基站部署數(shù)量遠(yuǎn)低于最初預(yù)期。鑒
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TMSC考慮將日本第二家晶圓廠升級(jí)為4納米工藝

  • 據(jù)日經(jīng)報(bào)道，臺(tái)積電正在考慮升級(jí)其尚未建成的Fab 23二期產(chǎn)能，以期在日本生產(chǎn)其N4工藝技術(shù)（4納米級(jí)）芯片。對(duì)像臺(tái)積電這樣的代工廠來(lái)說(shuō)，推進(jìn)晶圓廠能力并不意外，因?yàn)樗麄兺ǔ?huì)順應(yīng)需求。更令人驚訝的是，臺(tái)積電已撤出現(xiàn)場(chǎng)重型機(jī)械設(shè)備，并通知供應(yīng)商，2026年全年日本不再需要新廠房工具。臺(tái)積電位于日本熊本附近的Fab 23第二階段（又稱JASM第二階段）預(yù)計(jì)將生產(chǎn)N6（6納米級(jí)）和N7（7納米級(jí)）制造技術(shù)的芯片，這將補(bǔ)充該公司Fab 23第一階段的能力，后者使用40nm、28nm、22nm、16nm和12nm
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算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

  • 近日，英偉達(dá)宣布入股新思科技，并開(kāi)啟多年深度合作，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。作為一家以算力和應(yīng)用見(jiàn)長(zhǎng)的芯片公司，為什么要親自“下場(chǎng)”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應(yīng)的是，臺(tái)積電早已與楷登電子在先進(jìn)制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規(guī)則直接嵌入設(shè)計(jì)工具之中。 這一系列動(dòng)作清晰地揭示了一個(gè)深層趨勢(shì)：在摩爾定律逼近極限、先進(jìn)封裝成為算力增長(zhǎng)核心引擎的今天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)范式正從單一的制程競(jìng)賽，轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級(jí)的協(xié)同優(yōu)化。想要繼續(xù)提升性能、控制成本，就必須實(shí)現(xiàn)“工藝 + EDA + 設(shè)計(jì)”的深度協(xié)同，而
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兩起訴訟背后，臺(tái)積電的對(duì)手應(yīng)該學(xué)到什么？

  • 短短一周內(nèi)，臺(tái)積電先后提請(qǐng)了兩起公開(kāi)訴訟，背后都是涉及公司商業(yè)機(jī)密可能被泄露。兩起訴訟雖然都是針對(duì)前員工，但實(shí)際上真正的目標(biāo)是敲打兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，日本的Rapidus和美國(guó)的英特爾。臺(tái)積電的統(tǒng)治力有多強(qiáng)，公司年凈利潤(rùn)率高達(dá)40%，市場(chǎng)占有率超過(guò)35%（2025年Q2 Counter Point數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體制造，非純代工），這個(gè)數(shù)據(jù)的離譜程度大概只有英偉達(dá)市值占全球半導(dǎo)體總市值的36%可以相提并論。Rapidus學(xué)什么？勇氣！當(dāng)全球各個(gè)國(guó)家都在搶奪半導(dǎo)體先進(jìn)制造時(shí)，失落的帝國(guó)日本在經(jīng)歷多次失敗后，決定推出
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品質(zhì)追求：來(lái)自晶圓廠的真知灼見(jiàn)

  • 作為應(yīng)用材料公司自動(dòng)化產(chǎn)品部市場(chǎng)營(yíng)銷與戰(zhàn)略規(guī)劃總監(jiān)，David Hanny的團(tuán)隊(duì)經(jīng)常有機(jī)會(huì)與客戶進(jìn)行深入交流。因此，應(yīng)用材料公司對(duì)行業(yè)的需求有著深刻洞察，今天David Hanny想分享一些來(lái)自客戶的反饋。當(dāng)與客戶溝通時(shí)，他們普遍關(guān)注四大核心需求，這是他們需要為其終端客戶提供的服務(wù)。David Hanny團(tuán)隊(duì)最近有機(jī)會(huì)與一些不同芯片的領(lǐng)先供應(yīng)商進(jìn)行了交流，比如汽車行業(yè)的大陸集團(tuán)和博通公司，此前也與蘋果、高通等企業(yè)進(jìn)行過(guò)類似的交流。他們始終面臨的首要挑戰(zhàn)是生產(chǎn)質(zhì)量。作為計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體制造商，他們致力于生產(chǎn)可靠
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臺(tái)積電美國(guó)廠生產(chǎn)意外中斷

  • 據(jù)可靠?jī)?nèi)部消息人士蒂姆·卡爾潘（Tim Culpan）透露，9月下旬，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州Fab 21晶圓廠意外發(fā)生事故 —— 其一家供應(yīng)商突發(fā)停電，導(dǎo)致數(shù)千片在制晶圓被迫報(bào)廢。臺(tái)積電發(fā)言人已確認(rèn)供應(yīng)商停電屬實(shí)，但未回應(yīng)此次事故造成的實(shí)際損失。這起事故起因是臺(tái)積電外包商英國(guó)工業(yè)氣體與工程公司林德集團(tuán)（Linde）出現(xiàn)電力故障，切斷了芯片制造所需的關(guān)鍵氣體原料供應(yīng)，迫使Fab 21停擺數(shù)小時(shí)。值得注意的是停電并未導(dǎo)致工廠本身斷電，與多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施一樣，該廠配備了自備發(fā)電機(jī)以應(yīng)對(duì)突發(fā)停電，但事故切斷了生產(chǎn)
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臺(tái)積電將在中國(guó)臺(tái)灣建設(shè)十座2納米晶圓廠

  • 據(jù)《自由時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電將在中國(guó)臺(tái)灣將2納米晶圓廠數(shù)量增加到十家。此前，中國(guó)臺(tái)灣計(jì)劃建設(shè)七座2納米工廠。其中兩座位于新竹的寶山遺址;其中五輛位于高雄，另外三輛位于臺(tái)南。在美國(guó)，臺(tái)積電正在建設(shè)一個(gè)三晶圓制造集群，全部具備2納米制程能力，預(yù)計(jì)從2027年到2030年啟動(dòng)。本月初，臺(tái)積電開(kāi)始在最終的四晶圓廠綜合體內(nèi)建設(shè)首個(gè)1.4納米晶圓廠。到今年年底，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2025年內(nèi)開(kāi)設(shè)或裝備八個(gè)晶圓廠和一座包裝廠——這將成為公司歷史上最具攻擊性的單年擴(kuò)張。
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Rapidus將于2027年開(kāi)始1.4nm晶圓廠建設(shè)

  • Rapidus是日本本土競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，宣布將于2027財(cái)年開(kāi)始建設(shè)下一代1.4納米晶圓廠，預(yù)計(jì)2029年在北海道開(kāi)始生產(chǎn)。據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，此舉有望幫助日本芯片制造商縮小與臺(tái)灣芯片巨頭的差距，后者今年早些時(shí)候已公布其1.4納米技術(shù)。公司還表示，將從明年開(kāi)始對(duì)該節(jié)點(diǎn)進(jìn)行全面研發(fā)。該公司得到了多家日本公司的支持，包括豐田和索尼等巨頭，以及私人融資機(jī)構(gòu)。此外，日本政府還通過(guò)補(bǔ)貼和直接財(cái)政支持大力投資該初創(chuàng)企業(yè)。Rapidus已獲得1.7萬(wàn)億日元的承諾，超過(guò)100億美元，預(yù)計(jì)未來(lái)幾個(gè)月將投入數(shù)千億日元。
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臺(tái)積電美國(guó)廠利潤(rùn)出現(xiàn)跳水式下降

  • 臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的工廠正面臨嚴(yán)峻的財(cái)務(wù)壓力，數(shù)據(jù)顯示該工廠的利潤(rùn)呈斷崖式下滑 —— 2025年第二季度盈利42.32億新臺(tái)幣（現(xiàn)約合9.68億元人民幣），而在第三季度驟降至僅4100萬(wàn)新臺(tái)幣（現(xiàn)約合938.1萬(wàn)元人民幣），降幅達(dá)到99%。美國(guó)業(yè)務(wù)成本持續(xù)高企利潤(rùn)下滑的核心原因在于，臺(tái)積電正加速推進(jìn)其亞利桑那二廠向3nm等高端制程節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)型。與專注于成熟制程并取得成功的一廠不同，二廠的目標(biāo)是滿足由AI熱潮驅(qū)動(dòng)的、對(duì)尖端芯片不斷增長(zhǎng)的客戶需求。轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程意味著必須投入極其昂貴的工藝設(shè)備，從而大幅推高
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三晶圓廠破土動(dòng)工

  • 據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司 （YMTC） 在武漢的第三座 NAND 晶圓廠破土動(dòng)工，并計(jì)劃在 2027 年運(yùn)行第一塊芯片。據(jù)報(bào)道，該公司還在擴(kuò)建其第二家晶圓廠，并考慮進(jìn)入 DRAM 市場(chǎng)。兩年前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了一款 232 層 3D NAND 存儲(chǔ)器 X3-9070，具有 QLC、200+ 個(gè)活動(dòng)字行和 19.8 Gb/mm2 的位密度。該芯片采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking 3.0架構(gòu)開(kāi)發(fā)，是長(zhǎng)江存儲(chǔ)武當(dāng)山項(xiàng)目的一部分，該項(xiàng)目旨在依靠中國(guó)設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)。據(jù) Omdia 估計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將占全球
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黃仁勛為何打臉「馬斯克晶圓廠夢(mèng)」？ 曝1原因追臺(tái)積電難如登天

  • 特斯拉執(zhí)行長(zhǎng)馬斯克（Elon Musk）日前丟出震撼彈，表示公司可能自行建造一座月產(chǎn)能高達(dá)100萬(wàn)片晶圓的超大晶圓廠，并打算與英特爾合作。 此消息一出，引發(fā)科技界熱議。 對(duì)此，英偉達(dá)（NVIDIA）執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛（Jensen Huang）坦言，制造先進(jìn)芯片極為困難，即使像馬斯克這樣聰明的人，自建晶圓廠也「幾乎不可能」達(dá)到臺(tái)積電的水準(zhǔn)。馬斯克拋?zhàn)越ňA廠震撼彈馬斯克6日在股東大會(huì)上指出，隨著自動(dòng)駕駛與機(jī)器人應(yīng)用的快速成長(zhǎng)，特斯拉考慮自行建造一座巨型晶圓廠，月產(chǎn)能可達(dá)100萬(wàn)片，以供應(yīng)未來(lái)龐大的運(yùn)算需求。 他
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臺(tái)積電1.4納米晶圓廠將于11月5日破土動(dòng)工

  • 臺(tái)積電將于 11 月 5 日在臺(tái)中中部科學(xué)園破土動(dòng)工。該晶圓廠計(jì)劃于 2028 年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。這將耗資 490 億美元。預(yù)計(jì)年收入高達(dá)159億美元，雇用8-10,000名員工。最初，臺(tái)積電的計(jì)劃是在該地點(diǎn)建造四座晶圓廠，第一波建設(shè)中建造兩座 1.4 納米晶圓廠，然后再建造兩座 1nm 工藝晶圓廠。然而，據(jù)說(shuō)每片晶圓售價(jià) 1.4 美元的 45 納米工藝的需求如此之強(qiáng)勁，以至于臺(tái)積電已被說(shuō)服同時(shí)建造四座晶圓廠——所有晶圓廠都能夠運(yùn)行 1.4 納米工藝。1nm晶圓廠將建在臺(tái)南科學(xué)園的沙侖。隨著英特爾上周在錢
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SEMI：到2028年全球300毫米晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)到 $374B

  • 根據(jù) SEMI 在 SEMICON West 上發(fā)布的最新 300 毫米晶圓廠展望報(bào)告，預(yù)計(jì) 2026 年至 2028 年間，全球 300 毫米晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)到 3740 億美元。這一激增反映了區(qū)域晶圓廠的擴(kuò)張、人工智能芯片需求的蓬勃發(fā)展以及全球半導(dǎo)體自給自足的推動(dòng)。對(duì)于eeNews Europe的讀者來(lái)說(shuō)，這些預(yù)測(cè)凸顯了芯片制造能力以及相應(yīng)的設(shè)備機(jī)會(huì)下一步將擴(kuò)大到哪里，從而影響歐洲不斷發(fā)展的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的供應(yīng)商、代工廠和材料供應(yīng)商。人工智能和區(qū)域化推動(dòng)晶圓廠擴(kuò)張根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，2025
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德州儀器將因關(guān)閉150毫米晶圓廠而裁員400

  • 德州儀器 （TI） 已通知員工其位于德克薩斯州的達(dá)拉斯和謝爾曼晶圓廠即將裁員。據(jù)當(dāng)?shù)匦侣劽襟w KXII 報(bào)道，該公告于 9 月 25 日發(fā)布，預(yù)計(jì)約有 400 名員工將受到該公司在該州關(guān)閉的 150 毫米晶圓廠裁員的影響。一位匿名員工告訴 KXII，工人們此前曾被告知，如果他們幫助關(guān)閉舊晶圓廠，他們將優(yōu)先在新的 300 毫米工廠工作，這是該公司投資超過(guò) 600 億美元在德克薩斯州和猶他州建設(shè)七個(gè)芯片晶圓廠的計(jì)劃的一部分。其中包括德克薩斯州謝爾曼和理查森以及猶他州李海的“大型站點(diǎn)”，其中
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三安宣布 8 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)完成

  • 8 月 27 日，三安在投資者關(guān)系平臺(tái)上宣布，其湖南三安半導(dǎo)體基地的 8 英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片線從建設(shè)到投產(chǎn)不到一年，進(jìn)展比預(yù)期更快。截至 2025 年 8 月，湖南三安已建立起相對(duì)完整的 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能：6 英寸 SiC 產(chǎn)能為每月 16000 片，8 英寸襯底和外延產(chǎn)能分別為每月 1000 片和 2000 片。此外，該公司還有氮化鎵-on-Silicon 產(chǎn)能為每月 2000 片。湖南三安碳化硅項(xiàng)目的總投資額為160億元人民幣，目標(biāo)是建立一個(gè)兼
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