2月5日消息，三星與臺積電據悉都將從2025年開始投入2nm制程量產。此前，韓國政府1月中旬表示，三星公司計劃到2047年在首爾南部投資500萬億韓元建設“超大集群”半導體項目，將重點生產先進產品，包括使用2nm工藝制造的芯片。
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1 聯電與英特爾“結盟”1月25日，聯電與英特爾共同宣布正式合作，英特爾（Intel）將提供現有廠房及設備產能，聯電（UMC）提供12nm技術IP，并負責工廠運營及生意接洽。此番與英特爾合作，英特爾將提供其位于美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和制造，透過運用晶圓廠的現有設備，大幅降低前期投資，并最佳化利用率。并且后續還會提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好的采購決策。據TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023
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臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產之后，研發和量產的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現量產。這意味著工廠及相關的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱，位于新竹科學園區的寶山2nm首座晶圓廠P1已經完成鋼構工程，并正在進行無塵室等內部工程 —— 最快4月啟動設備安裝工作，相關動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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12 月中旬，韓國總統尹錫悅與荷蘭首相馬克·呂特發表聯合聲明，雙方構建「半導體同盟」。雙方一致認為，兩國在全球半導體供應鏈中有著特殊的互補關系，并重申構建覆蓋政府、企業、高校的半導體同盟的決心。為此，雙方商定新設經貿部門之間的半導體對話協商機制，同時推進半導體專業人才培養項目。陪同尹錫悅出訪的還有三星電子和 SK 海力士公司的高管團隊，這兩家芯片巨頭都是荷蘭 ASML 公司的主要客戶。在變化多端的全球半導體市場，為了幫助由三星電子和 SK 海力士支撐的韓國半導體產業，尹錫悅走到了前臺，凸顯出韓國政府對于保
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1月8日消息，據報道，日本熊本放送消息，臺積電日本熊本新廠建筑工程在上個月末已完成，預定年內投產，目前處于設備移入進機階段。另外，該廠開幕式預計在2月24日舉行。公開資料顯示，臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠計劃生產12/16nm和22/28nm這類成熟制程的半導體，初期多數產能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬片產能。臺積
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英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA
EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。Hig
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Huawei最近推出了一款名為清云L450的筆記本電腦，配備了全新的海思麒麟9006c芯片。這款芯片之所以與最近推出的華為麒麟芯片不同，是因為它是一款5納米的SoC。迄今為止，在美國的制裁之后，華為只能推出7納米的芯片。因此，在清云L450筆記本電腦內看到一款5納米的華為麒麟SoC引起了人們的興趣。許多人認為，這家中國制造商終于找到了一種突破限制、生產先進芯片的方式。然而，Tech Insights的拆解揭示了所有的謠言。結果顯示，華為麒麟9006c并非由中國半導體制造廠商中芯國際（SMIC）制造，而是來
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TSMC 不急于采用ASML的High-NA EUV進行大規模生產。本周，英特爾開始收到其第一臺ASML的0.55數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻工具，它將用于學習如何使用這項技術，然后在未來幾年內將這些機器用于18A后的生產節點。相比之下，據中國Renaissance和SemiAnalysis的分析師表示，TSMC并不急于在不久的將來采用High-NA EUV，該公司可能要在2030年或更晚才會加入這一陣營。“與英特爾在轉向GAA（計劃在[20A]插入之后）后不久即開始使用High-NA
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臺積電、英偉達與中國客戶，都很忙。
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12月21日，荷蘭光刻機巨頭ASML通過社交媒體宣布，其首套高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機正從荷蘭Veldhoven總部開始裝車發貨，將向英特爾進行交付。數值孔徑（NA）是光刻機光學系統的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率和最高能達到的工藝節點。
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據外媒，除了傳統客戶聯發科、AMD、英偉達、英特爾、高通外，特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設計定案（New Tape-Outs，NTOs）。報道稱，特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術生產下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據了解，臺積電N3P工藝計劃預計在2024年投產，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標，以及技術成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
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半導體巨頭競相制造下一代尖端芯片，此舉將塑造 5000 億美元產業的未來。
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臺積電在歐洲、日本的新廠都傳來了新消息。11 月 21 日，有媒體報道臺積電考慮在熊本建造第三工廠，生產制程 3 納米芯片。預計相關投資額約達 200 億美元。臺積電目前正在熊本縣建設第一工廠，預計生產 12 納米的半導體等。不久前，11 月初德國聯邦反壟斷局批準臺積電與德國半導體公司博世、英飛凌以及荷蘭半導體公司恩智浦成立合資公司。這標志著臺積電在歐洲的第一座晶圓廠即將落地。作為一家代工廠，臺積電過去依靠的是規模化生產，壓低成本，進而吸引客戶。在多年的積累中，臺積電在代工規模與代工技術兩個方面都已經成為
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