2026年4月2日，積塔半導(dǎo)體舉辦“2026半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新研討會(huì)”。會(huì)上，積塔半導(dǎo)體集中展示了其在數(shù)模混合平臺(tái)與綜合性代工能力方面的最新成果與突破，系統(tǒng)介紹了CMOS與BCD工藝平臺(tái)的發(fā)展布局，明確提出構(gòu)建方案化代工能力的技術(shù)路徑。同時(shí)，會(huì)議還特邀到了來自汽車、具身智能等領(lǐng)域的頭部企業(yè)代表及高校教授，圍繞行業(yè)前沿趨勢分享洞察，共話產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與生態(tài)協(xié)同新機(jī)遇。

在積塔所構(gòu)建的方案化代工體系中，存儲(chǔ)正成為其中的核心板塊與關(guān)鍵方向，如今已逐漸成為衡量代工平臺(tái)綜合能力的重要維度。

長期以來，芯片代工行業(yè)的競爭焦點(diǎn)集中在工藝制程、產(chǎn)能規(guī)模、交期穩(wěn)定性與質(zhì)量管控上，但這一格局正隨下游需求結(jié)構(gòu)的變革而悄然改變。在汽車電子、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心等高可靠應(yīng)用場景中，具備獨(dú)立運(yùn)行能力的芯片，往往需要集成邏輯運(yùn)算、模擬控制與程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。這類芯片對嵌入式非易失存儲(chǔ)（eNVM）的依賴遠(yuǎn)勝于消費(fèi)類產(chǎn)品——不僅要求斷電后保留代碼與關(guān)鍵參數(shù)，還需在寬溫區(qū)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定讀寫，并在整個(gè)產(chǎn)品生命周期中保持性能一致性。由此，嵌入式非易失存儲(chǔ)技術(shù)的實(shí)力，逐漸成為評(píng)判代工平臺(tái)能力的核心指標(biāo)。

據(jù)QYResearch機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2025年全球嵌入式非易失性存儲(chǔ)器市場銷售額達(dá)到了153億美元。這一數(shù)據(jù)既印證了技術(shù)的發(fā)展?jié)摿Γ餐癸@存儲(chǔ)能力已從代工平臺(tái)的配套環(huán)節(jié)，轉(zhuǎn)變?yōu)橄到y(tǒng)化平臺(tái)競爭的核心要件。

積塔半導(dǎo)體早已瞄準(zhǔn)這一趨勢，針對性布局多項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)，為客戶打造了多元化的技術(shù)解決方案。而在本次技術(shù)創(chuàng)新研討會(huì)上，積塔半導(dǎo)體與英飛凌正式簽署項(xiàng)目合作協(xié)議，成為全場關(guān)注的核心焦點(diǎn)。

存儲(chǔ)技術(shù)路線之爭：沒有一把萬能鑰匙

嵌入式非易失存儲(chǔ)領(lǐng)域并非由單一技術(shù)主導(dǎo)，代工廠的主流技術(shù)路線主要分為三類：ETOX（eFlash）、新型存儲(chǔ)（FeRAM/RRAM等）以及 SONOS，三者各有適配場景，也存在相應(yīng)的技術(shù)局限。

eFlash是工業(yè)界最為成熟的嵌入式存儲(chǔ)方案，其可靠性擁有充分的量產(chǎn)數(shù)據(jù)支撐，在大容量代碼存儲(chǔ)場景中表現(xiàn)亮眼。但該技術(shù)工藝集成復(fù)雜度高，通常需額外引入10層甚至更多光刻層，推高了制造成本；更關(guān)鍵的是，28/22nm制程節(jié)點(diǎn)被業(yè)界普遍視為eFlash規(guī)模化應(yīng)用的終點(diǎn)，相比物理極限，經(jīng)濟(jì)壁壘更加難以逾越——在更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，eFlash的集成成本已難以接受。

包括FeRAM、RRAM、PCM等在內(nèi)的新型存儲(chǔ)代表著嵌入式存儲(chǔ)的未來方向，在低功耗、高擦寫耐久性和先進(jìn)節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展性上展現(xiàn)出各異的顯著優(yōu)勢。從產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展來看，RRAM與PCM則在汽車市場滲透方面走在前列，英飛凌（eRRAM）和意法半導(dǎo)體（ePCM）是代表性推動(dòng)力量。然而，新型存儲(chǔ)技術(shù)的量產(chǎn)數(shù)據(jù)積累有限，尤其是在高溫可靠性方面仍需進(jìn)一步驗(yàn)證，一定程度上放緩了它成為主流技術(shù)的步伐。

SONOS則處于一個(gè)獨(dú)特的中間地帶，核心優(yōu)勢在于與邏輯工藝的天然兼容性：將SONOS eNVM模塊集成到代工CMOS工藝中，通常只需新增約幾張光罩，且無需引入額外的高壓氧化層。這意味著更低的集成成本和更簡潔的工藝路徑。同時(shí)，SONOS對于系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）產(chǎn)品的適配性極強(qiáng)，與標(biāo)準(zhǔn)邏輯/混合信號(hào)CMOS工藝的兼容性非常高。此外，SONOS技術(shù)已在MCU產(chǎn)品中大規(guī)模應(yīng)用近二十年，出貨量達(dá)到數(shù)十億顆，展現(xiàn)出成熟可靠的量產(chǎn)能力。因此，對于工業(yè)控制、消費(fèi)類應(yīng)用，以及經(jīng)過專項(xiàng)設(shè)計(jì)優(yōu)化的車規(guī)級(jí)應(yīng)用來說，SONOS提供了一條性能、成本與成熟度相對均衡的現(xiàn)實(shí)技術(shù)路徑。

事實(shí)上，存儲(chǔ)技術(shù)路線的選擇并非非此即彼，積塔半導(dǎo)體的判斷是：eFlash、SONOS、新型存儲(chǔ)各有其位置，致力于為客戶提供多元化選擇，而非押注單一技術(shù)。

積塔半導(dǎo)體副總經(jīng)理王俊表示：“此次高品質(zhì)SONOS技術(shù)的補(bǔ)齊，是在已有嵌入式存儲(chǔ)布局基礎(chǔ)上的能力擴(kuò)充，能夠讓客戶在可靠性要求高且成本敏感的應(yīng)用場景中，新增一種經(jīng)過量產(chǎn)驗(yàn)證的優(yōu)質(zhì)選項(xiàng)，進(jìn)一步為客戶創(chuàng)造更豐富的技術(shù)價(jià)值。”

從功率代工起家，走向系統(tǒng)級(jí)能力

要理解積塔半導(dǎo)體此次的存儲(chǔ)技術(shù)布局，可先從其發(fā)展脈絡(luò)入手。

積塔半導(dǎo)體的前身是1988年在上海徐匯成立的上海先進(jìn)半導(dǎo)體，長期深耕功率器件代工領(lǐng)域，不僅在功率分離器件和功率IC方面積累了深厚的工藝沉淀，更在車規(guī)認(rèn)證方面形成了顯著優(yōu)勢：車規(guī)IGBT、碳化硅功率器件先后量產(chǎn)上車，車規(guī)級(jí)晶圓累計(jì)出貨已超過數(shù)百萬片。這些車規(guī)領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)積累，成為其技術(shù)升級(jí)的重要基石。

2017年積塔半導(dǎo)體在臨港成立后，基于行業(yè)競爭格局做出戰(zhàn)略調(diào)整：在成熟制程競爭日趨激烈的背景下，單純的功率代工已難以支撐長期差異化發(fā)展，唯有打造覆蓋數(shù)字、模擬與功率的協(xié)同工藝體系，才能滿足客戶從器件到系統(tǒng)的一站式需求。

圍繞這一目標(biāo)，積塔半導(dǎo)體在臨港新建了12英寸產(chǎn)線，整合CMOS數(shù)字邏輯平臺(tái)和BCD數(shù)模混合工藝平臺(tái)，逐步構(gòu)建方案化代工能力。本次技術(shù)研討會(huì)正是這一轉(zhuǎn)型成果的集中呈現(xiàn)，從用于電源管理、驅(qū)動(dòng)的90nm BCD工藝，再到55/40/28 nm的控制、射頻邏輯工藝，多工藝節(jié)點(diǎn)的協(xié)同能力已逐步成型。

然而在方案化工藝的整體版圖中，存儲(chǔ)一度是相對薄弱的一環(huán)。對于想要承接MCU、RFID、NOR Flash等應(yīng)用的晶圓代工廠而言，一套能在同一邏輯平臺(tái)上低成本集成、且具備充足量產(chǎn)數(shù)據(jù)的嵌入式存儲(chǔ)方案至關(guān)重要。此次引入SONOS技術(shù)，正是積塔為優(yōu)化方案化代工的存儲(chǔ)能力、完善工藝拼圖所邁出的關(guān)鍵一步。

SONOS：從量產(chǎn)驗(yàn)證到系統(tǒng)賦能

此次積塔半導(dǎo)體引入的SONOS技術(shù)，核心價(jià)值在于商業(yè)化量產(chǎn)成熟可靠，同時(shí)設(shè)計(jì)及工藝的整體化授權(quán)可保障后續(xù)制造、開發(fā)及優(yōu)化的連續(xù)性和穩(wěn)定性。另外，SONOS技術(shù)對于獨(dú)立式、嵌入式存儲(chǔ)都有很好的應(yīng)用場景。

王俊在采訪中表示，積塔一直都積極地同國際大廠合作。通過同國際芯片大廠的項(xiàng)目技術(shù)合作，不僅使積塔能快速提升特色技術(shù)代工能力，也能讓積塔的工藝技術(shù)更匹配全球市場需求。此次與英飛凌的項(xiàng)目合作，正是這一合作思路的又一次落地實(shí)踐，未來將圍繞MCU、NOR存儲(chǔ)、甚至存算一體等應(yīng)用為客戶提供更具競爭力的解決方案。

對積塔半導(dǎo)體而言，此次SONOS技術(shù)的引入，是其方案化代工能力的重要升級(jí)。王俊強(qiáng)調(diào)，依托該技術(shù)，積塔在同一工藝平臺(tái)上具備了同時(shí)支持MCU、RFID、NOR Flash、PMIC和智能傳感等多類型芯片制造的基礎(chǔ)能力，進(jìn)一步強(qiáng)化了特色存儲(chǔ)代工實(shí)力，得以向客戶提供“存儲(chǔ)+控制+驅(qū)動(dòng)+功率”的一站式產(chǎn)能供應(yīng)與特色代工解決方案，真正實(shí)現(xiàn)從單一工藝優(yōu)勢到方案化平臺(tái)能力的躍升。

從芯片設(shè)計(jì)公司的視角來看，代工廠存儲(chǔ)能力的完整性，直接影響著產(chǎn)品架構(gòu)、研發(fā)周期與供應(yīng)鏈安全。一方面，在同一Fab內(nèi)實(shí)現(xiàn)控制邏輯與嵌入式存儲(chǔ)的集成，避免了多源驗(yàn)證帶來的兼容性問題，顯著降低供應(yīng)鏈復(fù)雜度；尤其在車規(guī)和工業(yè)等需要長期穩(wěn)定供貨的場景中，這種集成優(yōu)勢尤為突出。另一方面，SONOS相對較低的成本門檻與成熟的量產(chǎn)數(shù)據(jù)，使設(shè)計(jì)公司在原型驗(yàn)證階段迭代更快、風(fēng)險(xiǎn)更低。

而此次積塔擴(kuò)充存儲(chǔ)能力帶來的價(jià)值，不僅體現(xiàn)在成熟應(yīng)用場景的效率與成本優(yōu)化上，更在新興應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)樵O(shè)計(jì)公司構(gòu)筑了全新的技術(shù)支撐。值得關(guān)注的是，隨著機(jī)器人、邊緣AI等對低功耗存算需求的持續(xù)增長，積塔半導(dǎo)體的方案化代工能力也為設(shè)計(jì)公司打開了更廣闊的創(chuàng)新空間。

結(jié)語

代工行業(yè)的競爭，從來不只是產(chǎn)能和價(jià)格。當(dāng)越來越多的客戶需要在同一平臺(tái)上集成控制、存儲(chǔ)、驅(qū)動(dòng)與功率能力時(shí)，Fab的方案化服務(wù)能力開始成為真正的護(hù)城河。

積塔半導(dǎo)體此次以SONOS為代表的存儲(chǔ)布局，是其方案化代工戰(zhàn)略的重要組成部分。在eFlash提供大容量高可靠方案、RRAM等新型存儲(chǔ)代表未來方向的同時(shí)，SONOS以其工藝兼容性好、集成成本低、量產(chǎn)數(shù)據(jù)充分的特點(diǎn)，補(bǔ)全了可靠性要求高且成本敏感的應(yīng)用場景下的選項(xiàng)空白。三條路線并行，讓積塔半導(dǎo)體面對不同客戶需求時(shí)，都有話可說、有方案可選。

對于國內(nèi)Fabless生態(tài)而言，這意味著在芯片從架構(gòu)設(shè)計(jì)到量產(chǎn)交付的鏈路上，又多了一個(gè)能提供完整工藝選項(xiàng)的本土Foundry。而積塔半導(dǎo)體真正想要證明的，或許不僅僅是“我們也有存儲(chǔ)”，而是當(dāng)企業(yè)需要一個(gè)能支撐系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)的代工伙伴時(shí)，積塔是一個(gè)值得認(rèn)真考慮的選擇。