【2026年4月1日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布搭載TLVR（跨電感穩壓器）技術的高電流密度四相電源模組，以滿足先進AI數據中心對電力需求的不斷增長。TDM24745T是一款全新的OptiMOS?四相電源模組，專為滿足下一代AI加速器快速增長的電力需求而設計。該模組將四個功率級、TLVR電感和解耦電容集成到緊湊的9 x 10 x 5 mm3封裝中，提供業界領先的電流密度，高達2 A/mm2以上。這項組合實現了卓越的瞬態性能，支持高級GPU和AI處理器所需的高電流核心供電，并適用于橫向和垂直的電力傳輸配置。

作為業界首款采用此類緊湊封裝的TLVR四相電源模組，英飛凌的TDM24745T產品提供高達320 A的峰值電流能力 

英飛凌科技電源IC與連接系統高級副總裁兼總經理Athar Zaidi表示：“隨著AI的工作負荷以前所未有的速度增長，對高效且超緊湊的供電需求比以往任何時候都更加迫切。借助TDM24745T，我們重新定義了高電流穩壓的可能性。通過將業界領先的電流密度與先進的TLVR技術集成到極小型的封裝中，我們幫助客戶更好地發揮計算性能、降低能耗，并加速下一代AI數據中心的部署。” 

隨著AI數據中心的電力需求不斷提升，電力架構也必須變得更加緊湊、靈敏和高效。TDM24745T通過簡化電力架構設計和提升功率密度，騰出了額外的PCB空間來容納更多計算資源，并同時提供極快的瞬態響應。TLVR架構還能將所需的輸出電容降低多達50%，幫助系統設計人員實現更高效、節省空間的布局，從而直接為能源節約和降低AI服務器平臺的總體擁有成本（TCO）做出貢獻。 

作為業界首款采用此類緊湊封裝的TLVR四相模組，TDM24745T提供高達320 A的峰值電流能力，特別適用于下一代AI處理器和高電流多處理器平臺。結合英飛凌的數字多相控制器，該模組支持靈活、可擴展的架構，加速在快速演進的AI環境中完成系統部署。憑借OptiMOS?-6 MOSFET技術、芯片嵌入式集成技術和專有的磁性元件技術，該模組即使在最緊湊的AI服務器設計中仍能提供更佳的效率與熱性能，助力打造更節能的AI數據中心。 

TDM24745T電源模組已無縫集成于英飛凌端到端AI服務器供電生態系統中，涵蓋從電網接口到核心處理器供電的所有環節。英飛凌以硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術的綜合優勢，提供全面、可擴展的解決方案，助力實現AI優化數據中心架構的出色效率、可靠性和功率密度。