英飛凌科技推出了業內首款基于 TLVR 架構、電流密度超過 2A/mm2 的四相電源模塊，精準面向下一代 AI 計算平臺。該公司表示，全新 TDM24745T OptiMOS 模塊將多個功率元器件集成在緊湊尺寸內，以應對 AI 數據中心日益增長的功率密度需求。

此次發布凸顯了 AI 基礎設施中的一個關鍵瓶頸 —— 高效供電，并揭示了半導體廠商如何在系統層面解決規模化擴展難題。

提升電流密度，適配 AI 負載

根據官方發布信息，TDM24745T 在 9×10×5mm3 的封裝內集成了四個功率級、一個互感電感電壓調節器（TLVR）電感以及去耦電容。這種高度集成設計實現了超過 2A/mm2 的電流密度，同時支持橫向與縱向供電架構。

英飛凌功率集成電路與連接事業部高級副總裁兼總經理 Athar Zaidi 在發布稿中表示：“隨著 AI 負載以前所未有的速度擴展，對高效、極致緊湊供電方案的需求愈發迫切。借助 TDM24745T，我們重新定義了大電流穩壓的性能邊界。將業內領先的電流密度與 TLVR 技術結合，并封裝在極小尺寸內，我們幫助客戶釋放更多計算性能、降低能耗，并加速下一代 AI 數據中心的部署。”

該模塊峰值電流能力最高可達 320A，適用于大電流多處理器平臺與先進 AI 加速器。

TLVR 架構提升效率，優化布局

英飛凌表示，TLVR 架構可實現更快的瞬態響應，同時將所需輸出電容減少多達 50%，簡化系統設計。這一縮減可直接節省 PCB 空間，讓設計人員能分配更多區域用于計算資源。

公司還強調，通過采用 OptiMOS?6 MOSFET 技術、芯片嵌入式集成方案以及專用磁件，產品實現了更優的散熱與效率表現。搭配英飛凌數字多相控制器，該模塊支持可擴展、靈活的電源架構，適配快速演進的 AI 負載。英飛凌指出，TDM24745T 已融入其完整的 AI 電源生態，覆蓋從電網到核心的供電鏈路，并結合硅、碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）技術，優化數據中心設計的效率與穩健性。

對 AI 數據中心的系統級價值

隨著 AI 基礎設施持續規模化，供電正成為決定性約束條件。英飛凌稱，通過將多種功能集成在緊湊模塊中并提升瞬態響應，旨在降低系統復雜度，同時優化總體擁有成本（TCO）。對系統設計人員而言，更高的電流密度、更少的無源器件需求以及更優的效率，有助于加快部署進度，并實現更高密度的計算架構。