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英飛凌針對800 VDC架構AI數據中心推出基于CoolGaN高壓IBC參考設計

作者: 時間:2026-04-01 來源: 收藏

 【2026年3月31日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出兩款全新高壓中間總線轉換器(HV ,幫助客戶加速向±400 V和800 V直流(VDC)供電的AI服務器電源架構轉型。這些采用的650 V ?開關,專為追求更高機架功率、更低配電損耗、更優散熱性能的超大規模云服務提供商、電源架構提供商與服務器OEM廠商所設計。

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高壓中間總線轉換器(HV 可幫助客戶加速向±400 V和800 V直流(VDC)供電的AI服務器電源架構轉型 

新款參考設計針對兩種不同的架構進行開發:至50 V的設計作為下游48 V 模塊的中間級,而至12 V的設計則為緊湊型服務器主板提供直接的電壓轉換。針對定制化應用,英飛凌還提供數字控制器XDPP1188-200C,支持靈活的輸出電壓,包括48V、24V和12V。 

英飛凌科技電源系統事業部副總裁Christian Burrer表示:“英飛凌持續走在AI供電領域的前沿。我們的HV IBC參考設計憑借高品質的功率半導體與系統級設計專業知識,幫助客戶加速邁向高壓直流數據中心架構。通過展示完整、高效的實現方案,我們幫助客戶降低開發風險、提升功率密度,并實現大規模的能源效率提升。” 

此次推出的或±400 V至50 V HV IBC參考設計專為下一代開發,滿載效率超過98%。該設計采用英飛凌優化的高壓和中壓?開關、EiceDRIVER?柵極驅動器以及PSOC?微控制器,包含兩個3 kW 400 V至50 V轉換模塊,采用輸入串聯-輸出并聯(ISOP)配置。該架構可擴展至6 kW 持續功率設計(TDP),并支持在400 μs內達到10.8 kW。利用PCB集成平面變壓器,多級同步整流器,以及全載條件下的軟切換來降低電磁干擾(EMI)。該緊湊型設計方案尺寸僅為60 x 60 x 11 mm,實現了2.5 kW/in3優異的功率密度。 

第二款參考設計是一個超薄HV IBC演示板,將800 VDC總線電壓直接轉換成12 V中間總線電壓。該設計提供6 kW TDP,且支持在400 μs內達到10.8 kW的峰值功率。作為ISOP半橋LLC轉換器,它采用創新的矩陣變壓器設計,占板面積為130 mm × 40 mm,厚度僅為8 mm。其功率密度達到2.3 kW/in3以上,并支持創新的服務器主板散熱方案,峰值效率可達98.2%,而滿載效率可達97.1%。為滿足這些嚴苛的規格要求,該設計采用了英飛凌高效的650 V ?和40 V OptiMOS? 7開關,搭配EiceDRIVER?柵極驅動器和PSOC?微控制器。 

這兩款HV IBC參考設計專為與英飛凌從電網到核心的各種AI服務器供電產品組合配合使用而優化設計,包括固態變壓器和固態斷路器、高壓和中間總線轉換以及第二級DC轉換電源模塊。英飛凌充分發揮硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的優勢,大幅提高產品效率、密度與可靠性,以經過驗證的高品質半導體器件、持續的設計支持以及可擴展的產品性能為客戶提供通往下一代AI服務器平臺端到端電源架構的明確路徑。


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